【課題】低気圧から高気圧まで広い動作気圧に対応できる高密度プラズマを用いて、環境負荷を低減し、かつ高速での被皮処理ワイヤの表面処理を可能にした高密度プラズマストリッパーを提供する。
【解決手段】動作ガスが導入されるチャンバ４２と、チャンバ内に配置されチャンバを貫通して移送される被処理ワイヤ４３と、チャンバ内に被処理ワイヤを取り囲むように配置され各誘電体で被覆された複数の導電体４４［４４Ａ〜４４Ｃ］と、複数の導電体のそれぞれに同電位の高電圧低周波電圧あるいは高電圧三相交流電圧を印加する交流電源と、被処理ワイヤに負の直流バイアス電圧を印加する直流バイアス電源とを備える。そして、処理ワイヤ４３の周りで発生する、チャンバと被処理ワイヤとの間の直流放電と、被処理ワイヤと複数の導電体との間の誘電体バリア放電とからなる複合プラズマで、被処理ワイヤ４４の表面処理を行う。 （もっと読む）

本発明は、微粒子化の低減を示すプラズマエッチング耐性層で基板をコーティングする方法であって、基板にコーティング層を適用するステップを含む方法を含み、コーティング層は、約２０ミクロン以下の厚さを有し、ある時間にわたってフッ素ベースのプラズマに曝露された後のコーティング層は、コーティング層の断面に広がるいかなるクラックまたは亀裂も実質的に含まない。［００６２］記載される方法によって調製されるコーティングされた基板。また、本発明には、フッ素ベースの半導体ウエハー処理プロトコルで構造要素として使用するためのコーティングされた基板も含まれ、コーティングは、約２０ミクロン以下の厚さを有するコーティング層であり、ある時間にわたってフッ素ベースのプラズマに曝露された後のコーティング層は、コーティング層の断面に広がるいかなるクラックまたは亀裂も実質的に含まず、微粒子化の低減を示す。
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【課題】局所加工ツールによる加工時間と加工量の相関が一意に定まらない場合でも、高精度で高速な加工が可能な形状加工方法を提供する。
【解決手段】各加工点Ｐ_ｉにおける局所加工ツールによる加工量を加工中に逐次測定し、加工量の時間変化を推定して、加工点間の移動時に加工される加工量Ｖ_{ｉ，ｉ＋１，ｉ}およびＶ_{ｉ，ｉ＋１，ｉ＋１}を計算する。このように計算により求めた移動中の加工量と、現加工点における加工量Ｖ_ｉとの和が、現加工点Ｐ_ｉの所望加工量Ｖ_ｉ，ｆ以上となった時に、次の加工点Ｐ_ｉ＋１への局所加工ツールの移動を開始する。 （もっと読む）

【課題】従来技術に比べてマスク層及び下地絶縁層に対し広範囲の選択比をとることができ、これにより、加工時のマスク層の後退が殆どなく、下地絶縁層の堀り込みも小さい逆テーパ形状の磁気記録ヘッドの製造技術を提供する。
【解決手段】本発明方法は、基板１１上に、磁気シールド用の絶縁層１２と、鉄−コバルト合金からなる記録用磁性層１３と、第１及び第２のマスク層１４、１５とがこの順で積層された処理対象物を用意する。真空中で塩素ガスからなる反応ガスを用い、当該磁気記録ヘッドのトレーリング側端部の幅に対応する幅を有する第１のマスク層１４ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって記録用磁性層１３をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】従来技術に比べてマスク層及び下地絶縁層に対し広範囲の選択比をとることができ、これにより、加工時のマスク層の後退が殆どなく、下地絶縁層の堀り込みも小さい逆テーパ形状の磁気記録ヘッドの製造技術を提供する。
【解決手段】基板１１上に、絶縁層１２と、鉄−コバルト合金からなる記録用磁性層１３と、第１及び第２のマスク層１４、１５とがこの順で積層された処理対象物を用意する。真空中で塩素ガスとアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガスを用い、当該磁気記録ヘッドのトレーリング側端部の幅に対応する幅を有する第２のマスク層１５ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって第１のマスク層１４及び記録用磁性層１３をエッチングする。その後、真空中で塩素ガスを用い、エッチングされた第１のマスク層１４ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって記録用磁性層１３ａをエッチングする。 （もっと読む）

【課題】既存のコーティングを除去する領域の幅を場合毎に望ましい寸法に調整できるようにする方法と装置を提供する。
【解決手段】本発明によれば、基板（４）のコーティングした面に向けられたプラズマの助けによって、コーティング、特に金属含有コーティングを備える基板（４）の一部の範囲、特に周辺ゾーン（１１）で層を除去する。プラズマヘッド（１０）を基板（４）に対してしかるべく位置合わせすること、及び／または対応する必要な数のプラズマヘッド（１０）を動作させて、１列の互いに隣接して配置したいくつかのプラズマヘッド（１０）または修正可能な断面を有する１つのプラズマヘッドから、望ましい層除去幅でプラズマを基板に向けることによって、層を除去するゾーン（１１）の幅を調整すればよい。層の厚さ全体にわたるコーティングを部分的にだけ除去することも可能である。 （もっと読む）

【課題】被加工物の表面を高い平滑度で加工できる表面加工方法及び表面加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物３２が収容された真空槽１２中に、キャリアガスを用いずに気体状の炭素クラスターイオン源３１を導入後、高周波電圧を印加してプラズマ化して炭素クラスターイオン３３を生成させ、被加工物３２に負電圧を印加して表面に炭素クラスターイオン３３を照射することによりイオン加工する第３工程とを有することを特徴とする表面加工方法。 （もっと読む）

集積回路編集のための銅の集束イオンビームエッチング用のエッチング促進剤はイオンビームによる隣接する誘電体の損失を防ぎ、隣接面上のスパッタされ再堆積した銅を非導電性にして電気的短絡を回避する。促進剤は分子中にＮ−Ｎ結合を有し、約７０〜２２０℃の沸点を有し、ヒドラジン及び水の溶液と、ヒドラジン誘導体と、メチル、エチル、プロピル及びブチルから選択された２つの炭化水素基によって飽和したニトロソアミン誘導体と、ニトロソアミン関連化合物と、四酸化窒素とを含み、好適にはヒドラジン一水和物（ＨＭＨ）、ヒドロキシエチルヒドラジン（ＨＥＨ）、ＣＥＨ、ＢｏｃＭＨ、ＢｏｃＭＥＨ、ＮＤＭＡ、ＮＤＥＡ、ＮＭＥＡ、ＮＭＰＡ、ＮＥＰＡ、ＮＤＰＡ、ＮＭＢＡ、ＮＥＢＡ、ＮＰＹＲ、ＮＰＩＰ、ＮＭＯＲ及びカルムスチン単独、又は四酸化窒素との組合せである。促進剤は高アスペクト比（深さ）の孔の銅をエッチングするのに有効である。
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【課題】減圧下であっても広範囲の圧力で放電し、効率良く一様に処理できる板状陰極表面処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０の内部に設けられた陰極機構３０、陰極機構３０内の板状陰極３６、板状陰極３６の放電にさらされる面の反対側に磁気機構４０を配し、磁気機構４０により板状陰極３６の放電にさらされる面の一端から出て他端に入る磁力線４１１を発生させ、陰極表面上にほぼこれと平行な成分をもつ磁界を設定する手段、板状陰極３６に電力を供給して表面にある磁界４１１と少くとも直交する成分を有する電界４２０を発生する手段、放電空間の圧力をガス導入系と排気系により調整することの出来る板状陰極放電を利用する表面処理装置であって、磁気機構４０が磁力線の遠回り手段を備える。 （もっと読む）

【課題】最適なメンテナンス時期を通知する膜厚検知器を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気において被処理体の上に薄膜を形成しまたは前記被処理体をエッチングする真空処理装置内に設けられる膜厚検知器であり、第１の導電性端子と、前記第１の導電性端子に隣接する第２の導電性端子と、を備え、前記被処理体以外の部分に堆積する被膜の厚みを、前記第１の導電性端子と前記第２の導電性端子との間に堆積する被膜の厚みに応じた前記第１及び前記第２の導電性端子の間の電気特性の変化として検知可能としたことを特徴とする膜厚検知器が提供される。 （もっと読む）