【課題】ハロゲンガスを用いずに銅部材のエッチングレートを高くすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０において、円滑化された表面５０を有するＣｕ層４０を得た後、水素ガスにメタンガスを添加した処理ガスを処理室１５の内部空間へ導入し、該処理ガスからプラズマを生じさせて、酸化層４２のエッチングの際に生じた酸素ラジカル５２、並びにメタンから生じた炭素ラジカル５３を処理室１５の内部空間に存在させ、酸素ラジカル５２や炭素ラジカル５３から有機酸を生成し、該有機酸をＣｕ層４０の銅原子と反応させて銅原子を含む有機酸の錯体を生成し、さらに、該生成された錯体を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】環境負荷を低減し、かつ従来のプラズマストリッパーに比べて格段に高速、短時間で被皮処理ワイヤの表面処理を可能にした同軸マグネトロンプラズマストリッパーを提供する。
【解決手段】内部に動作ガスが導入される筒状の外側陽極電極１２と、外側陽極電極１２内に同軸的に配置された線状の中心陽極電極１３を備える。さらに、外側陽極電極１２内に中心陽極電極１３を囲うように配置されて軸方向に移送される陰極となる複数の被処理ワイヤ１４と、外側陽極電極１２内に軸心方向の磁界Ｂを発生させる磁界発生手段１５とを備える。被処理ワイヤ１４の周りで発生するマグネトロンプラズマ１０で被処理ワイヤ１４の表面処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングにより、強誘電体層のテーパー角を７０°以上に加工し、かつ側壁にエッチング生成物が付着しない圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に下部電極膜１２と強誘電体層１３と上部電極膜１４がこの順に積層された処理対象物上に有機物からなるレジスト１５を配置する。化学構造中にハロゲン元素を含むガス（ただし、Ｃｌ₂は除く）と希ガスとの混合ガスをプラズマ化し、レジスト１５と処理対象物２１に接触させ、また処理対象物２１下の電極にバイアス電圧を印加して、プラズマ中のイオンを入射させ、異方性エッチングする。エッチングされた側面のテーパー角度は７０°以上に形成され、側面にエッチング生成物は付着しない。 （もっと読む）

【課題】 Ｔａなどの高融点金属層とＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石が積層された高性能永久磁石薄膜を用いた、高加工精度の小型・高性能なマイクロデバイスを、低コストで大量に生産することができる、希土類永久磁石薄膜の製造方法の提供。
【解決手段】基板上に、厚さ５００ｎｍ以下の希土類合金磁性層と、厚さ５０ｎｍ以下の高融点金属層を含む多層構造を有する希土類永久磁石薄膜を形成し、前記希土類永久磁石薄膜上にフォトレジスト層を形成し、前記フォトレジスト層を露光、現像することによりパターニングし、前記パターニングされた前記フォトレジスト層をマスクとして、露出した前記希土類永久磁石薄膜をイオンミリングにより除去し、残存する前記希土類永久磁石薄膜上の前記フォトレジスト層を酸素プラズマアッシングにより除去する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理空間からの排気を均一に行う。
【解決手段】プラズマ処理空間を囲う真空チャンバ２と、その壁を貫通する開口２ａに対して外側から吸引口５１ａが連通接続された真空ポンプ５０と、プラズマ処理空間に臨んで基板を乗載可能な基板支持体１２とを備えたプラズマ処理装置において、真空ポンプ５０を介して真空チャンバに基板支持体１２を固設する。また、その支持脚１２ａが、開口２ａの中央を通り、真空ポンプ５０の支軸５２を兼ねるようにする。さらに、その支軸５２を中空の杆体にする。これにより、プラズマ処理空間から開口に至る排気路が基板支持体の周りで同じになるうえ、その開口のところでも同一性が維持されて、排気が均一になる。コンパクトな装置にもなる。 （もっと読む）

【課題】固体表面に存在する数１０ｎｍ〜１００μｍ程度の周期の表面粗さをガスクラスターイオンビームの照射によって低減する。
【解決手段】固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす角度を照射角度とし、固体とこの固体に衝突したクラスターとが相互作用する距離が飛躍的な増大に転じる照射角度を臨界角として、予め固体表面の形状データを取得する過程と、臨界角以上の照射角度で固体表面に対して、形状データに含まれる８００ｎｍ以上１．１μｍ以下の範囲の周期をもつ表面の凹凸のうねりの方向と照射方向とを一致させてガスクラスターイオンビームを照射する照射過程とを有する固体表面の平坦化方法とする。この臨界角は７０°である。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光及び検査光において吸収体層での反射率を低減でき、ＥＵＶ光および検査光の両方において高コントラストな反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１と基板１上に形成された反射体層２と、反射体層２上に形成された吸収体層３を持つＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収体層３の表面に所定の大小二つの表面粗さの凹凸４を形成する。 （もっと読む）

【課題】表面及び裏面にチタン含有膜が形成された基板の裏面からチタン含有膜を除去するときに、基板の裏面に残留するチタン元素を従来より短い時間で除去することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の裏面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を支持する支持部により、表面及び裏面にチタン含有膜が形成されている基板を支持し、支持部に支持されている基板を、支持部とともに回転させ、回転する基板の裏面にフッ酸を含む第１の処理液を供給し、供給した第１の処理液により基板の裏面を処理する第１の工程Ｓ１１と、第１の工程Ｓ１１の後に、回転する基板の裏面にアンモニア過水を含む第２の処理液を供給し、供給した第２の処理液により基板の裏面を処理する第２の工程Ｓ１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】画像処理によらず、測定位置を適切に調整することができるエッチングモニタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るエッチングモニタリング装置は、光源１０から被処理基板Ｓ上に導入される入射スポット光の照射位置を移動させるための微小移動ステージ１６と、被処理基板Ｓ上を入射スポット光の光径以下の間隔で走査した照射位置の各々に対し、CCDラインセンサ１８により取得される検出信号から干渉成分の強度を取得する干渉強度取得部２５と、干渉強度取得部２５により取得された干渉成分の強度に基づき、その強度が最大となる被処理基板Ｓ上の位置を探索し、その位置をエッチング深さの測定位置とするよう照射位置を移動させる測定位置決定部２６と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置を特に複雑化することなく、被処理物上でのプラズマの均一性を損なわずに、耐圧誘電体部材の内表面における不均一な反応生成物の付着防止と削れ防止とがバランスよくほぼ均一に達成できるようにする。
【解決手段】耐圧誘電体部材５を介し減圧可能なチャンバ１内に反応ガスからのプラズマ６を発生させて対向電極３上の被処理物２に働かせエッチングなどのプラズマ処理を行わせる第１の電極４と、第１の電極４と前記耐圧誘電体部材５との間に設けられて耐圧誘電体部材５の内表面５ａの反応生成物が付着するのを防止する第２の電極７とを備え、第２の電極７の耐圧誘電体部材５の内表面５ａからの電極距離Ｌ２を、それらの各対向域における耐圧誘電体部材５の内表面５ａでの反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに応じて設定することにより、上記の目的を達成する。 （もっと読む）