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国際特許分類[C23F4/00]の内容

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【課題】金属材料の表面積を大きく増加させることのできる金属材料表面へのワイヤ状突起物の形成方法、及び該ワイヤ状突起物を備える金属材料を提供する。
【解決手段】アルゴンガス等の不活性ガスをチャンバ内に導入しながら、高周波電力の出力によりチャンバ内にプラズマを発生して、チャンバ内に設置された金属材料の表面のスパッタエッチングを行う(ステップS3)。これにより、金属材料の表面に円錐状突起物が形成される。さらに、アルゴンガスに加えて、水或いは水素をチャンバ内に導入しながら、引き続き、高周波電力の出力によりチャンバ内にプラズマを発生して、金属材料の表面のスパッタエッチングを行う(ステップS4)。これにより、金属材料の表面にワイヤ状突起物が形成される。ワイヤ状突起物は、円錐状突起物の先端から成長している。 (もっと読む)


【課題】基準面からの凹面の厚さを均一化する加工方法を提供する。
【解決手段】ラジカル反応による無歪精密加工方法は、複数の凹面が形成された被加工物20と加工電極4とを相対的に走査させて、被加工物をラジカル反応により加工する方法であって、被加工物20の複数の凹面31〜36の基準面22からの厚さを被加工面のほぼ中央の座標位置でそれぞれ個別に測定する工程と、これらの測定値を複数の凹面毎に加工電極4の走査方向に連続する近似曲線Cを作成する工程と、この近似曲線Cから厚さの最小値を算出する工程と、近似曲線Cに基づき任意の座標位置の基準面から厚さを算出し、任意の座標位置の基準面から厚さと最小値との差を加工量として算出する工程と、加工量に基づき、加工電極4の走査速度を算出する工程と、を有し、走査速度に基づき加工時間を制御する。このような加工方法によれば、複数の凹面の基準面22からの厚さを均一化できる。 (もっと読む)


【課題】金属化フィルムを一様な温度で加熱させてプレヒーリング効果を高める。
【解決手段】プレヒーリング装置(30)は、フィルム(22)の一方の面に金属膜(23)が形成されたフィルムコンデンサ(11)用の金属化フィルム(21)に対して500Vの電圧を印加することで、金属化フィルム(21)に存在する絶縁欠陥部(25)周辺の金属膜(23)を除去する電圧印加ユニット(32)と、金属化フィルム(21)に対して500Vの電圧を印加する前に、金属化フィルム(21)の金属膜(23)の形成面(23a)の2点間に電流を流して金属化フィルム(21)を予備加熱する加熱ユニット(40)を備えている。 (もっと読む)


【課題】TSV(Through Silicon Via hole)加工用の薄化Si基板の支持ガラスの熱伝導効率を上げることで、加工処理速度や、成膜速度、膜質を向上させる。
【解決手段】凹部16と凸部17からなる凹凸パターン15を裏面12側に形成した、再利用可能な支持ガラス基板11の表面13側に接着剤24で貼り合わせた薄化半導体基板19をESC電極2上に載置することによって前記半導体基板19の冷却を促進し、TSV加工速度を向上させる。 (もっと読む)


【課題】製造工程数及び製造コストを削減しつつ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、下地層1上にTiを主成分とする密着層2を形成する工程と、密着層2上にWを主成分とする導電層3を形成する工程と、導電層3上にSiONを主成分とするハードマスク層4を形成する工程と、ハードマスク層4上にレジストパターン5を形成する工程と、レジストパターン5を保護膜とするエッチング処理により導電層3の一部3aを露出させる工程と、レジストパターン5及びハードマスク層4の残部4aを保護膜とするエッチング処理により密着層2の一部2aを露出させる工程と、その後、エッチング処理により下地層1の一部1aを露出させると共に、導電層3の残部3bを露出させる工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ中における負イオンの利用効率を高め、強誘電体や貴金属などの難エッチング材であっても高速エッチングを可能とし、装置の簡略化、低コスト化を図る。
【解決手段】基板(20)に対してトランス結合されたバイアス用高周波電源(52)と当該トランス(56)の二次側に直列接続されたバイアス用直流電源(54)とを用い、高周波電圧と直流電圧とを重畳させた基板バイアス電圧を基板(20)に印加する。基板バイアス電圧の自己バイアス電圧Vdcとピーク−ピーク間電位差Vppを独立に制御可能とし、Vdcを0V以上にすることが好ましい。プラズマ生成部(14)で生成される表面波プラズマの表面波共鳴密度は、4.1×108cm-3以上1.0×1011cm-3以下であることが好ましい。この条件を満たすようプラズマ生成用高周波電源(36)の周波数と誘電体部材(30)の比誘電率の組合せが設計される。 (もっと読む)


【課題】取付スペースが小さくて済み、かつ開閉動作時間も短いエッチング装置おけるシャッタ機構を提供する。
【解決手段】パレット22に複数のパーツを搭載し、パレット22の下方のイオンビーム発射装置から発射されたイオンビームIをパレット22の入射口23からパーツの底部に照射することによりエッチングを行うエッチング装置において、入射口23に配置されたシャッタ羽根14と、シャッタ羽根14が連結された回転アクチェータ12とを備え、回転アクチェータ12の回転によりシャッタ羽根14を、入射口23を開放する垂直位置と入射口23を閉鎖する水平位置とに回転駆動するようにした。 (もっと読む)


【課題】摺動部品表面への被加工材の凝着物が発生し難い摺動部品を提供する。
【解決手段】表面構造として、周期10〜100nm、深さ5〜50nmの第1周期構造と、周期100〜1000nm、深さ20〜500nmの第2周期構造と、周期1000〜10000nm、深さ100〜3000nmの第3周期構造のうち、少なくとも2種類の周期構造を有し、当該少なくとも2種類の周期構造のうち一方の周期構造上に他方の周期構造が形成されている表面構造を有する摺動部品である。 (もっと読む)


【課題】薄膜除去後の基板のダメージが少なく、再研磨の工程負荷も少ないことにより、基板の再生コストを低減できる基板の再生方法を提供する。
【解決手段】ガラスからなる基板の主表面上にパターン形成用の薄膜を備えるマスクブランクまたは該マスクブランクを用いて作製された転写用マスクの前記薄膜を除去して基板を再生する方法であって、マスクブランクまたは転写用マスクの薄膜を、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)、およびキセノン(Xe)のうちのいずれかの元素とフッ素(F)との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することにより、基板を再生する。 (もっと読む)


本発明による鋼板通板装置は、進行する鋼板の厚さ変化に対応しながら鋼板を通板させる上下部シールロールと、前記鋼板の幅変化に対応しながら前記シールロールと協働してチャンバ壁を通過する鋼板を包囲状態でシールするように提供される鋼板シールユニットと、を含む。
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