【課題】実用化の障害となるめっきの長時間化を改善し、貫通電極による三次元実装を実現するのに好適な導電材料構造体をより短時間で形成できるようにする。
【解決手段】貫通電極用凹部１２を形成した基板Ｗの表面の該凹部１２表面を含む全表面に導電膜１４を形成し、基板Ｗ表面の所定位置にレジストパターン３０を形成し、導電膜１４を給電層とした第１めっき条件で第１電解めっきを行って貫通電極用凹部１２内に第１めっき膜３６を埋込み、貫通電極用凹１２部内への第１めっき膜３６の埋込みが終了した後に、導電膜１４及び第１めっき膜３６を給電層とした第２めっき条件で第２電解めっきを行って、レジストパターン３０のレジスト開口部３２に露出した導電膜１４及び第１めっき膜３６上に第２めっき膜３８を成長させる。 （もっと読む）

【課題】純錫めっき或いは錫合金めっきが施された銅又は銅合金の平角導体を熱処理しても、耐食性並びに挿抜耐久性に優れると共に、コネクタ嵌合した後もウイスカーの発生を抑制したＦＦＣ用のめっきＣｕ平角導体を提供することにある。具体的には、発生するウイスカーの最大長を５０μｍ以下とすることにある。
【解決手段】少なくとも端子部が形成されるＣｕ平角導体上には、パラジウムの含有率が３〜２５質量％のＳｎＰｄ合金めっき層、その上に純Ｓｎめっき層或いはＳｎ系合金めっき層が形成され、前記めっき層の合計厚さが０．５〜２．０μｍで且つ純Ｓｎめっき層或いはＳｎ系合金めっき層の厚さが０．３〜１．０μｍであるめっきＣｕ平角導体とすることによって、解決される。 （もっと読む）

【課題】非焼付性に優れる摺動部材を提供する。
【解決手段】Ｓｉを必須成分とするＡｌ基軸受合金層１上に中間層２を介してオーバレイ層３を被着した摺動部材において、Ａｌ基軸受合金層１の表面に、Ａｌ合金層１中のＳｉ粒子の一部がＡｌ基軸受合金層１の表面から突出した状態で分布することにより、凹凸状を形成させる。Ａｌ基軸受合金層１の表面から突出するＳｉ粒子は、９０％以上が粒径２μｍ以下の大きさで、且つ、この粒径２μｍ以下のＳｉ粒子同士が互いに重心間で平均６μｍ以下離れた状態で分布させる。中間層２の表面及びオーバレイ層３の表面を、Ａｌ基軸受合金層１の表面の凹凸に応じた凹凸状に形成させる。 （もっと読む）

【課題】配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】めっき法を用いてＣｕ配線２０を形成する際、まず第１の電流密度の条件で第１の平均粒径を有する第１の金属膜を形成し、次いで、第１の電流密度よりも高い第２の電流密度の条件で第１の平均粒径よりも大きい第２の平均粒径を有する第２の金属膜を形成する。その後、第１，第２の金属膜の上部に所定元素を導入し、導入後、第１，第２の金属膜上にキャップ膜を形成する。
【選択図】図５
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【課題】めっき膜の平坦性を保ちつつ、太幅配線におけるめっき膜の膜質を良好に保つ。
【解決手段】細幅凹部と太幅凹部とをめっき膜で埋設する際に、細幅配線をめっき膜で埋設する第１のめっき膜成長ステップ（Ｓ１０２）および太幅配線をめっき膜で埋設する第２のめっき膜成長ステップ（Ｓ１０８）を含み、Ｓ１０２の後、平坦化を促進するために逆バイアスステップで添加剤を除去する処理（Ｓ１０４）を行う場合、逆バイアスステップの後第２のめっき膜成長ステップの前に、第１のめっき膜成長ステップと同じ方向に、第２のめっき膜成長ステップよりも低い電流量で電流を流して、細幅凹部と太幅凹部上にめっき膜を成長させるスローステップ（Ｓ１０６）を挿入する。 （もっと読む）

【課題】微細な凹凸パターンを有する被処理基板を電解メッキにより金属層で充填する電解メッキプロセスを含む半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】被処理基板を、銅塩を含む電解メッキ液に浸漬し、被処理基板上に銅層を成膜する第１の成膜工程と、電解メッキ液中にて、さらに銅層を成膜する第２の成膜工程と、を含み、第１の成膜工程は、被処理基板が前記電解メッキ液に浸漬されてから１０秒間以内の期間実行され、被処理基板は、ミリメートル（ｍｍ）で表した基板直径Ｄにｒｐｍで表した回転数Ｎを使ってＤ×Ｎ×πで定義した周速が６０００×πｍｍ／分以下となるような第１の回転数Ｎで回転され、被処理基板にメッキ電流が１０ｍＡ／ｃｍ²以下の第１の電流密度で供給され、第２の成膜工程では被処理基板は、第１の回転数よりも大きな第２の回転数で回転され、被処理基板にメッキ電流が第１の電流密度よりも大きな第２の電流密度で供給される。 （もっと読む）

【課題】良好な耐食性を持ち、３０〜１０００ＭＨｚの周波数範囲で良好な電磁波シールド性を示す表面処理金属板及び電子機器用筐体を得ることを目的とする。
【解決手段】Ｚｎ含有率９２〜１００ｍａｓｓ％で、且つ片面あたりの付着量が０．５〜５０ｇ／ｍ^２であるＺｎ系下層めっき層と、ｄ／ｎ（ｄは結晶格子の面間隔、ｎは自然数）が０．１１２５ｎｍ以上０．１１４５ｎｍ未満に対応する位置に存するピークのＸ線回折強度をｄ／ｎが０．１１２０ｎｍ以上０．１１２５ｎｍ未満に対応する位置に存するピークのＸ線回折強度で割った値が０．５以上で、且つ片面あたりの付着量が０．５〜５０ｇ／ｍ^２であるＺｎ−Ｎｉ系上層めっき層、及び上層めっき層上の少なくとも一部に平均膜厚が０．４〜４．０μｍである化成処理皮膜を有することを特徴とする電磁波シールド性に優れた表面処理金属板である。 （もっと読む）

【課題】加熱処理後の表面性状が良好で、かつ後工程におけるはんだ付け性が良好な接続部品用金属材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銅または銅合金の角線材を母材とし、その最表面に実質的に銅およびスズで構成される銅スズ合金層が形成されている接続部品用金属材料において、前記最表面の銅スズ合金層は、さらに亜鉛、インジウム、アンチモン、ガリウム、鉛、ビスマス、カドミウム、マグネシウム、銀、金、アルミニウムの群から選ばれる少なくとも１種を、総量で前記スズの含有量に対する質量比で０．０１％以上１％以下含有することを特徴とする接続部品用金属材料。耐熱性を向上させるために、母材からの金属拡散を防止するバリア性を持つニッケル等の下地めっきを母材表面に施してもよい。 （もっと読む）

【課題】 高価な貴金属や有害な鉛を使用せず、ウィスカの発生を防止できると同時に、従来の錫めっきに比べて摩擦係数が低く、多ピン化したコネクタ用端子として使用したとき小さな挿入力で挿着することが可能な錫めっき銅合金材を提供する。
【解決手段】 銅合金母材上に銅−錫合金被覆層３を備え、その上に最表面として錫被覆層４を有する錫めっき銅合金材であって、銅−錫合金被覆層３と錫被覆層４の界面に複数の山と谷とが形成されている。その界面の断面において、山の頂点の高さとその両側の谷の平均高さとの差の平均値が０.２μｍ以上０.７μｍ以下であり、谷の周期の平均値が１.５μｍ以上５.０μｍ以下であって、且つ錫被覆層の厚みの平均値が０.２μｍ以上０.７μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】線膨張係数を任意に変化させることを可能としたキャリア付き極薄銅／合金複合箔または極薄合金箔を使用することで、金属張板、プリント配線板または積層板において生じる反りや、銅箔を実装するパッケージとの接続箇所における半田クラック等の問題を抑制すること。
【解決手段】回路基板と積層するキャリア付きＦｅ−Ｎｉ合金箔、またはキャリア付き銅箔とＦｅ−Ｎｉ合金箔の複合箔であって、前記Ｆｅ−Ｎｉ合金箔の線膨張係数をＦｅ成分とＮｉ成分との配合比を変えることで前記回路基板の線膨張係数にあわせる。 （もっと読む）