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国際特許分類[C25D5/10]の内容

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【課題】最表層として銀合金層が形成された銅または銅合金部材において、銀または銀合金層中にアンチモンなどを添加して硬度を向上させた場合にも、耐熱性を向上させることができる、最表層として銀合金層が形成された銅または銅合金部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】母材としての銅または銅合金部材12の表面の少なくとも一部に、アンチモン濃度が0.1質量%以下の銀または銀合金層14が形成され、この銀または銀合金層14の上に、最表層としてビッカース硬度Hv140以上の銀合金層16が形成されている。 (もっと読む)


【課題】Ru膜上におけるCuのめっき不良を抑制し、それにより半導体装置の性能を向上することを目的とする。
【解決手段】金属バリア層を表面全体に備えたウェハに、電解めっきにより第一Cuめっき膜および第二Cuめっき膜を形成する半導体装置の製造方法であって、
前記第一Cuめっき膜の電解めっきにおける電極の第一コンタクト部は前記金属バリア層表面に設けられ、
前記第二Cuめっき膜の電解めっきにおける電極の第二コンタクト部は前記第一Cuめっき膜表面に設けられる半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】Agの使用量を少なく抑えて低コストで製作可能であるとともに、耐熱性及び耐ウィスカー性を両立させることができるSnメッキ導電材料及びその製造方法並びにこのSnメッキ導電材料を用いた通電部品を提供する。
【解決手段】導電性の金属からなる基材2の上に、Sn又はSn合金からなるSnメッキ層5が形成されたSnメッキ導電材料1であって、基材2とSnメッキ層5との積層方向に沿った断面において、Snメッキ層5の表層部分にAg−Sn粒子が凝集したAg−Sn合金層6が形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】マグネシウム合金の電解めっきによる銅めっき層の形成において、マグネシウム合金と密着性の良い銅めっき層を形成する方法を提供する。
【解決手段】マグネシウム合金3に電解めっきを利用して銅めっき層1を形成する前に、マグネシウム合金の表面を前処理液で処理し、均一な電流分布を持たせる電解めっき用皮膜2をマグネシウム合金の表面に形成させるのを特徴とし、該方法により、マグネシウム合金の表面に形成された電解めっき皮膜2と銅めっき3との結合を容易にし、密着性のよい電解銅めっき層を形成する。 (もっと読む)


【課題】表面が黒化された銅金属層を量産性よく製造する方法を提供する。
【解決手段】めっき用導電性基材1を用いて、表面が黒化処理されたパターン化銅金属層を製造する方法において、めっき用導電性基材1が、導電性基材2の表面に絶縁層3が形成されており、その絶縁層3に開口方向に向かって幅広であってめっきを形成するための凹部4のパターンが形成されている導電性基材であり、そのめっき用導電性基材1の凹部4に第1電流密度の下に銅金属を析出させて銅金属層を形成する導電層形成工程、及び、第1の電流密度よりも大きい第2の電流密度の下に上記銅金属層の表面に、その表面が黒色になるように銅金属を析出させる黒化処理工程を、一つのピロリン酸銅めっき浴中にて行うことを特徴とする表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。 (もっと読む)


【課題】銅又は銅合金からなるリード基材のみならず、鉄―ニッケル合金からなるリード基材に形成された純錫メッキ層であってもウィスカの発生を抑制可能な電子部品の外部リード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】所定のリード基材16上に2重のメッキ層を有する、電子部品の外部リード14において、前記2重のメッキ層の一方の層が光沢錫メッキ層18からなり、他方の層が無光沢錫メッキ層20からなる電子部品の外部リード14とする。 (もっと読む)


【課題】 コネクタ等の電気・電子部品用材料に要求される諸特性を兼備した銅合金、すなわち強度、導電率、ヤング率、プレス成形性、コスト等に優れたコネクタ用銅合金を提案する。
【解決手段】 Zn:20〜41wt%、Sn:0.1 〜4.0 wt%の範囲で残部がCuおよび不可避不純物からなり、圧延方向の引張強さが600N/mm以上、導電率が18%IACS以上、ヤング率が120kN/mm以下、ばね限界値が450N/mm以上であって、さらに次式を満たしてなることを特徴とするコネクタ用銅合金。
6.0≦0.25X+Y≦12
ただし、X:Znの含有量(wt%) (もっと読む)


【課題】端子嵌合部5とはんだ付け部6を有する嵌合型コネクタ用端子において、端子嵌合部5において低摩擦係数を実現し、はんだ付け部6のはんだ付け性を改善する。
【解決手段】表面粗さの大きい銅合金板条に打抜き加工を施して端子素材を形成した後、銅合金板条全体に後めっきとしてNiめっき、Cuめっき及びSnめっきを行う。Snめっき層ははんだ付け部6で厚く、端子嵌合部5で薄く形成する。続いてリフロー処理して、Cuめっき層とSnめっき層からCu−Sn合金層12を形成し、かつ平滑化したSn層13を得る。これにより端子嵌合部5では硬いCu−Sn合金層12が一部露出して摩擦係数が低下する。はんだ付け部ではCu−Sn合金層12が露出することなく、Sn層13が全面を被覆してはんだ付け性が改善される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、交互する異なった材料組成の第一強磁性層と第二強磁性層とを包含する構造を形成する方法に関する。
【解決手段】最初に、少なくとも一つの開孔を有する支持マトリックスと、導電ベース層とを包含する基材が形成される。次いで、少なくとも一つの強磁性金属元素と、さらなる一つ以上の異なった金属元素を包含する電気メッキ液の中で該基材の電気メッキが行われる。交互する高電位と低電位とを有するパルス電流を基材構造の導電ベース層に印加し、これにより、支持マトリックスの開孔中に、交互する異なった材料組成の層を形成する。 (もっと読む)


【課題】SnまたはSn合金からなるめっき層を表面に有するめっき材料において、摩擦抵抗の低減を図り、しかも高温環境下における接触信頼性が良好であり、かつまた密着性、曲げ加工性、導電性、耐熱剥離性などが良好な、端子やコネクタなどの材料として好適なめっき材料の提供。
【解決手段】導電性基材1の表面に、SnまたはSn合金からなる表面めっき層2が形成され、当該表面めっき層の少なくとも表層部に潤滑性粒子4を有することを特徴とするめっき材料。 (もっと読む)


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