【課題】 成長結晶内の転位の発生を抑制し、光学素子の材料としての使用にも十分耐え得る低転位単結晶を製造する。
【解決手段】 結晶性物質の原料から単結晶を成長させる結晶製造装置は、種結晶ＳＣが配置される第１室１１４および該原料が配置される第２室１１３を有する坩堝１１０と、該第２室内に配置され、第１室側と第２室側とに開口する貫通孔が形成された第１の部材１１７とを有する。第１の部材は、溶融原料から第１室の方向に受ける第１の力が第２室の方向に受ける第２の力よりも大きくなる形状を有する。 （もっと読む）

ウエハー面内の特性の均一性や安定性、寿命に優れた化合物半導体デバイスを得るための、ドーパント濃度のウエハー面内および厚さ方向の均一性に優れた、低転位密度の燐化インジウム基板とその製造方法を提供する。 結晶の成長方向が〈１００〉方位になるように、結晶胴部に対する所定の断面積比を有する種結晶を成長容器下端に設置し、さらに燐化インジウム原料とドーパント及び酸化ホウ素を収容した成長容器を結晶成長炉に設置して、燐化インジウムの融点以上の温度に昇温して、酸化ホウ素と燐化インジウム原料及びドーパントを加熱溶融したのち、成長容器の温度を降下させることにより、ドーパント濃度のウエハー面内および厚み方向の均一性が良好な、低転位密度の燐化インジウム単結晶を得る。
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【課題】垂直温度勾配法あるいは垂直ブリッジマン法による結晶育成時に、原料結晶の融液が種結晶とルツボとの隙間に入り込まないようにして多結晶化、結晶性悪化を生じさせずにＧａＡｓ、ＩｎＰなどの良質な単結晶を育成できる化合物半導体単結晶の製造方法を提供。
【解決手段】その表面が予め空気中で高温に加熱処理して形成される酸化ホウ素薄膜で被覆された熱分解窒化ホウ素製のルツボを用いて垂直温度勾配法または垂直ブリッジマン法によって化合物半導体単結晶を製造する方法において、ルツボ種結晶保持部に酸化ホウ素封止剤および種結晶を順次設置するとともに、ルツボ直胴部に原料結晶を設置し、かつ、その際、酸化ホウ素封止剤の使用量は、単結晶育成時に溶融する酸化ホウ素封止剤が種結晶を実質的に覆い、原料結晶の融液が種結晶とルツボ種結晶保持部とで形成される隙間に入り込むのを阻止するに十分な量とすることによって提供。 （もっと読む）

【課題】 高い結晶性を有する結晶シリコン粒子を低コストに製造可能とする熱的に安定していて変形することのないシリコン粒子処理台板を提供すること。
【解決手段】 シリコン粒子処理台板１は、上面に載置されたシリコン粒子を溶融させてから固化させて単結晶シリコン粒子とするシリコン粒子処理台板１であって、台板１は、石英ガラス製の基体１ａの表面にクリストバライト結晶層１ｂが形成されていることにより、クリストバライト結晶層１ｂが表面補強層として機能することで、基体１ａの熱変形を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 成長結晶内に発生する欠陥を結晶外周部に限定させて、高品質結晶を歩留まりよく成長させる。
【解決手段】 炉内に保持されたるつぼ１１内に種子結晶１４を配置し、るつぼ１１内に充填された原料溶液１２を加熱溶解し、前記るつぼの下方より上方に向かって、原料溶液１２を除冷することにより結晶成長させる結晶製造装置において、種子結晶１４は、るつぼ１１の中心軸から離れた位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 ルツボ降下法において、結晶成長界面の位置をほぼ一定に維持して単結晶を安定して成長させることにより、高品質な単結晶を安定して得ることが可能な単結晶の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】 高温側炉室４と低温側炉室５とに鉛直方向に２室に分離する仕切り部６に相当する位置に配置されている温度測定手段と、第１及び第２のヒーター８，９とに電気的に接続されている制御手段２を備えており、前記温度測定手段が、前記仕切り部６内の所定の高さ位置におけるルツボ１３の側面温度を測定し、前記制御手段が、得られた測定値に基づいて前記所定の高さ位置におけるルツボ１３の側面温度が一定となるように前記第１及び／又は第２のヒーターを制御することによって、結晶成長界面の高さ方向の位置が一定となるように制御しつつ単結晶２０を得る。 （もっと読む）

【課題】 種結晶上端部に導入される結晶欠陥を低減し、高品質の単結晶を製造できる単結晶製造方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 坩堝下端に種結晶を置いて該坩堝内の原料を溶融し、該種結晶を起点として融液を徐々に固化させて柱状の単結晶を育成する垂直ブリッジマン法による単結晶製造方法において、該原料を溶融する前に該種結晶の上端部を溶融しておく。融液が未溶融の種結晶には直接接触せず、熱衝撃が緩和される。また原料に混合したスカベンジャが滴下しても種結晶上端部の融液によって希釈されるため、不純物としての悪影響が軽減される。その結果、種結晶上端部に導入させる結晶欠陥を低減でき、育成結晶中に結晶欠陥が伝播するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】高品質の単結晶を高い成長速度で製造する方法を提供する。
【解決手段】融液の温度を単結晶の長手方向と平行した軸(X)に沿って測定する際、固液界面から単結晶と離れるほど融液の温度が徐々に上昇して最高点(H)に到達してから、融液の底部側に行くほど温度は徐々に下降するとともに、固液界面から最高点(H)までの上昇する融液温度の傾き(ΔTi)が最高点(H)から融液の底部までの下降する融液温度の傾き(ΔTd)より大きい状態、すなわち、ΔTi>ΔTdの条件を維持しながら単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】垂直ブリッジマン法や垂直温度勾配凝固法により、連通細管を用いることなしに、種付部近傍に発生する転位を少なくして、低転位密度の化合物半導体単結晶を歩留良く育成する。
【解決手段】種結晶載置部３ａ、増径部３ｂ及び定径部３ｃを有する成長容器を支持部材７により支持して加熱装置内に配置し単結晶を成長する垂直ブリッジマン法および垂直温度勾配凝固法による化合物半導体単結晶の成長装置において、成長容器３の種結晶載置部３ａの側面を覆う覆い部材７ａを設置し、該覆い部材７ａの熱伝導率λ（Ｗ／ｍ・Ｋ）と厚さｔ（ｍ）を１．０×１０^-3≦ｔ／λ≦１．０×１０^-2の関係を満たすように設定し、種結晶６の直径を５mm〜２５mmとする。 （もっと読む）

【課題】 Ｍ−Ａｌ−Ｂの組成を有する単結晶の製造方法および該製造方法により製造されたＭ−Ａｌ−Ｂ組成を有する単結晶を提供する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、インゴットから切り出した薄片状のＡｌと、Ｍ成分供給源とホウ素供給源とを、前記薄片状Ａｌと前記成分Ｍ供給源および前記ホウ素供給源の混合物とを交互に層状に反応容器に充填し、前記反応容器の中央部と上端部および下端部との間に温度勾配を生じさせて溶融し、徐冷する、Ｍ−Ａｌ−Ｂの組成を有する単結晶の製造方法である。（ここで、前記Ｍは、アルカリ金属またはアルカリ土類元素を示す。）。 （もっと読む）