本発明は、合金クラスタによる半導体中の不純物の内部ゲッタリングに関する。具体的には、金属間化合物クラスタは、シリコン内に形成され、２種類以上の遷移金属を含むクラスタである。そのようなクラスタは、ホスト材料よりも低い溶融温度を有し、シリコンの不純物をゲッタリングして、分離された、より有害でない位置へ収集するのに特に有効であることが示される。合金クラスタのうちいくつかについての斬新な組成も説明される。
（もっと読む）

【課題】 金属元素等の不純物を低減し易いとともに、単結晶の歪みを小さく抑えることができ、より高品質な単結晶を製造し易い製造方法を提供する。
【解決手段】 固体バルク原料３０を溶融固化することによりかさ体積を減少させて、中間成形体４０を形成する前処理工程と、中間成形体４０を溶融して単結晶を成長させる育成工程とを備えた単結晶製造方法であり、前処理工程で固化の進行方向を制御して周囲の一部に不純物を偏析させることにより中間成形体４０を形成し、中間成形体４０の不純物濃度の高い部分４０ｂを除去した後、不純物濃度の低い部分４０ａを用いて育成工程を行う。 （もっと読む）

【課題】結晶成長時の不純物偏析効果を利用して、エキシマレーザー光を長時間照射しても透過率が低下しない高品質な蛍石の単結晶を効率よく且つ確実に製造することを可能とする蛍石の単結晶製造装置、並びにそれを用いた蛍石単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直ブリッジマン法による蛍石の単結晶製造装置であって、炉室を形成する炉本体１と、前記炉室を高温側炉室１０ａと低温側炉室１０ｃとに鉛直方向に２室に分離する仕切り部１０ｂに配置されている断熱部材１４ｂと、引き下げ棒１３により前記高温側炉室１０ａと前記低温側炉室１０ｃとの間を前記仕切り部１０ｂを通って移動可能なように設置されたルツボ１１と、前記高温側炉室１０ａ内と前記低温側炉室１０ｃ内とにそれぞれ配置されたヒーターとを備え 前記ルツボの外径Ｒ_２と前記ヒーターの内径Ｒ_１との比（ルツボの外径Ｒ_２／ヒーターの内径Ｒ_１）が０．７６以上である。 （もっと読む）

【課題】安定した高い収率で化合物半導体単結晶を製造し得る技術を提供する。
【解決手段】化合物半導体単結晶の製造に用いられる縦型の熱分解窒化硼素（ＰＢＮ）製容器１ｂは、溶融酸化硼素の液滴２ａが８０度以上１４０度未満の範囲内の接触角（θ）を生じる内壁を有する。この容器を使用して縦型ブリッジマン法によってＧａＡｓ単結晶やＩｎＰ単結晶を育成して化合物半導体結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】 結晶育成方向軸に垂直な断面の直径が５０ｍｍ以上であって、ステッパー用レンズ材料として用いた場合に十分な解像性能が得られるフッ化物単結晶、及び、フッ化物単結晶の育成方法、並びに、フッ化物単結晶からなるレンズを提供する。
【解決手段】 結晶育成方向軸Ａに垂直な断面の形状が直径５０ｍｍ以上の略円形状であるフッ化物単結晶であって、前記断面における中心部Ｃの屈折率均一性をＢ１、外周部Ｏの屈折率均一性をＢ２としたとき、Ｂ２／Ｂ１の値が下記式：
【数１】


の条件を満たしているフッ化物単結晶、結晶育成方向に温度勾配のある結晶生長炉内で単結晶を育成する育成ステップと、前記結晶生長炉内で前記単結晶をその融点未満の均一な温度に加熱する再加熱ステップと、前記単結晶を冷却する冷却ステップと、を含むフッ化物単結晶の育成方法及び前記フッ化物単結晶からなるレンズ。 （もっと読む）

【課題】 結晶育成方向軸に垂直な断面の直径が５０ｍｍ以上であって、ステッパー用レンズ材料として用いた場合に十分な解像性能が得られるフッ化物単結晶、及び、かかるフッ化物単結晶を容易且つ確実に育成することが可能なフッ化物単結晶の育成方法、並びに、かかるフッ化物単結晶からなるレンズを提供する。
【解決手段】 結晶育成方向軸Ａに垂直な断面の形状が直径５０ｍｍ以上の略円形状であるフッ化物単結晶であって、前記断面における中心部Ｃの波長１９３ｎｍにおける透過率をＴ１、外周部Ｏの波長１９３ｎｍにおける透過率をＴ２としたとき、Ｔ２／Ｔ１の値が下記式：
【数１】


の条件を満たしているフッ化物単結晶育成するステップと、再加熱ステップと、冷却ステップと、を含むフッ化物単結晶の育成方法及び前記のフッ化物単結晶からなるレンズ。 （もっと読む）

【課題】 不純物の局在的な分布を規定することにより、結像性能悪化に影響しない光学部材を提供する。
【解決手段】 光学装置の結晶性光学部材であって、その第一面および第二面において、少なくとも中心、外周部及びその中間の３点におけるアルカリ土類金属不純物濃度の最大値及び最小値をＣ_１，Ｃ_２としたときＣ_１／Ｃ_２の値が規定値以下である。上記Ｃ_１／Ｃ_２の値は、１．０５以下であり、結晶性光学部材は、フッ化物、特にフッ化カルシウムである。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体単結晶の育成に好ましい温度分布を形成することができかつヒータの寿命を伸ばし得る化合物半導体結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】 化合物半導体結晶の製造装置は、少なくとも一方端部に開放端をする反応管１と、その反応管の周囲で大気雰囲気下に配設された第１の加熱手段３と、反応管を密閉するようにその開放端に取付けられるフランジと、反応管内に設置されて半導体結晶の原料を収容するための坩堝２と、反応管の内壁と坩堝との間に第２の加熱手段１１とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】IIa・III₂・VI₄組成の化合物のバルク単結晶の確実で安全な作製方法、及び、そのための好適な作製装置を提供する。
【解決手段】（a）VI族元素の蒸気存在下で、III₂VI_３化合物とIIa金属元素とを融解して一般式IIa・III_２・VI₄の組成を有する化合物を合成する段階、(b)IIa・III_２・VI₄化合物を過冷却点以下まで冷却して該IIa・III_２・VI₄化合物を凝固する段階、(c)凝固した該IIa・III_２・VI₄化合物を再加熱した後徐冷することにより種結晶を作製する段階、（ｄ）該種結晶を用いて、IIa−III-VI族間のIIa・III_２・VI₄の組成を有する化合物のバルク単結晶を作製する段階、を含む。 （もっと読む）

【課題】坩堝内の結晶周辺部に発生した転位が結晶内部に蓄積することを低減した単結晶製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】坩堝５内の原料を溶融し温度勾配を利用して前記原料の融液６を該融液の一端から順次に固化させて柱状の単結晶を成長させる単結晶製造方法において、前記坩堝５内の融液６中に前記一端の方向に凹面を向けた界面形状成形部材９を配置し、該界面形状成形部材９を結晶８と融液６との境界としての固液界面７に対して所定範囲内の距離ｄに保持しつつ前記界面形状成形部材と前記坩堝とを相対移動させながら単結晶を成長させる。 （もっと読む）