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国際特許分類[C30B11/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固による単結晶成長,例.ブリッジマン―ストックバーガー法 (253)

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【課題】結晶面方位の制御とグレインバウンダリーの発生による多結晶化の防止とを両立できる単結晶育成用ルツボを提供すると共に、このルツボにより育成される高品質のフッ化物結晶を提供する。
【解決手段】ルツボ本体2の原料収容部2B内で融解したフッ化物原料が冷却により結晶化する際、ルツボ本体2の小径周壁部2C側では、その周囲の放熱空間5及び円筒状支持部材6の複数の放熱窓6Cを通して十分に放熱される。その結果、ルツボ本体2の温度勾配は、種結晶を収容した種結晶収容部2Dを囲む小径周壁部2C側が低く、フッ化物原料を収容した原料収容部2Bを囲む大径周壁部2A側が高い温度勾配に維持される。このため、原料収容部2B内で融解したフッ化物原料が結晶化する際の結晶成長は、種結晶収容部2Dに収容された種結晶を起点として開始され、種結晶を中心としてその結晶面に沿って放射状に進行する。 (もっと読む)


【課題】 簡易な構成でチャンバ内の酸素濃度を低減することができる基板製造装置を提供する。
【解決手段】 基板12の原料を加熱溶融した融液11を貯留する坩堝2は、チャンバ3によって形成される収容空間9に備えられる。バッファ空間25を形成するバッファ室6は、収容空間9に連通し、かつ冷却体が通過可能な連通孔17、ガスが排気される排気孔34、および外部空間に連なり、かつ冷却体が通過可能な搬送孔23が形成される。バッファ空間25は、連通孔17、排気孔34および搬送孔23に連通する。搬送孔23は、開閉手段24のシャッタ33によって開閉可能であって、下地板4が通過するときに開状態となる。収容空間9には、ガス供給手段15によって不活性ガスが供給される。ガス噴出手段35は、搬送手段7がバッファ空間25において下地板4を搬送するときに、冷却体に向けて不活性ガスを噴出する。 (もっと読む)


【課題】坩堝降下法(ブリッジマン法)や単結晶引上げ法(チョクラルスキー法)等の方法を用いて単結晶を製造する際に用いる原材料前処理品を高品質に製造するための原材料前処理用坩堝を提供する。
【解決手段】底部内壁1aに対して実質的に垂直な第一側部内壁3aと、その下端位置の高さが、第一側部内壁3aの上端位置の高さよりも高い位置にあり、実質的に垂直な第二側部内壁2aと、第一側部内壁3aの上端から第二側部内壁2aの下端へと延びる第一傾斜内壁3bとを有し、第一側部内壁3aの上端位置における水平断面積が、第二側部内壁2aの下端位置における水平断面積よりも小さい内部に段差を有する原材料前処理用坩堝。 (もっと読む)


【課題】溶融落下法によって粒状結晶を製造する際に、落下途中に結晶材料の融液の液滴が合体するのを大幅に抑制して、粒径の揃った多数の粒状結晶を製造できる粒状結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】粒状結晶6の製造方法は、坩堝1の中の結晶材料を溶融して融液を作製する工程と、坩堝1のノズル1aに3次元運動を行わせる工程と、ノズル1aから融液を液滴4として排出する工程と、液滴4を落下させる工程と、液滴4を落下中に凝固させる工程と、を含む構成である。 (もっと読む)


【課題】フッ化物単結晶中の固体スカベンジャー粒子と酸化物との残留量を十分に低減することによって、優れた光学性能を有するフッ化物単結晶を容易に生産できる製造方法を提供すること。
【解決手段】ルツボ1中に収容されたフッ化物粒子及び固体スカベンジャー粒子を含有する粒子混合物を、温度勾配を設けて加熱することによりフッ化物粒子の融液を得る加熱工程、及び融液を冷却してフッ化物単結晶を得る冷却工程を有し、ルツボ1が、温度勾配の方向に、フッ化物粒子及び固体スカベンジャー粒子の合計量に対する固体スカベンジャー粒子の含有割合が互いに異なる粒子混合物からなる複数の粒子群を収容し、複数の粒子群が、フッ化物粒子を主成分として含む第一の粒子群4Aと、第一の粒子群4Aよりも固体スカベンジャー粒子の含有割合が高い第二の粒子群とを含む、フッ化物単結晶の製造方法。 (もっと読む)


【課題】単結晶や多結晶を連続的に低コストで容易に良質に製造できる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】加熱炉11内に原料の入った坩堝本体14を配置してこれを不活性ガス雰囲気中で酸化を防止しつつ原料の融点以上の温度に保ち、坩堝本体14の底部に形成した通孔17から、坩堝本体14下部に配置した溶液受け室23内の昇降テーブル31上に搭載した貯留容器30に溶融した原料融液25を流下させた後、昇降テーブル31とともに貯留容器30を下降させ、その後溶液受け室23に隣接して配置した複数の凝固室41に昇降テーブル31上から貯留容器30を移送し、この凝固室41で所定時間冷却させた後、凝固室41にそれぞれ隣接して配置した冷却室で常温まで冷却し、その後凝固したインゴットを冷却室から搬出する。 (もっと読む)


【課題】多数個の結晶シリコン粒子を導電性基板上に変換効率が高く高性能で高信頼性の光電変換装置に好適な結晶シリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子101の製造方法は、坩堝のノズル部からシリコン融液を粒状に排出し、この粒状のシリコン融液を冷却して凝固させることによって、不純物が偏析した突起部105を有する結晶シリコン粒子101を製造し、次に結晶シリコン粒子101の突起部105を研磨加工によって除去する。 (もっと読む)


【課題】単結晶や多結晶を連続的に低コストで容易に良質に製造できる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】加熱炉11内に原料の入った坩堝本体14を配置してこれを不活性ガス雰囲気中で酸化を防止しつつ原料の融点以上の温度に保ち、攪拌102を回転することにより精製した後、坩堝本体14の底部に形成した通孔17から坩堝本体14の下部に配置した貯留槽に精製した原料融液92を流下させる。流下した原料融液92を、坩堝本体14下部において昇降テーブル31上に搭載した種子結晶板101の上面に接触させた状態で、昇降テーブル31とともに種子結晶板101を下降させることによって結晶を成長させる。 (もっと読む)


本発明は太陽電池級シリコンを含む、半導体級シリコンの鋳塊を生産するための装置および方法に関し、溶解および結晶化工程の加熱ゾーン内において酸素欠如材料を採用することによって、加熱ゾーン内の酸素の存在がほとんど減少されまたは排除されている。方法は、単結晶のシリコン結晶を成長させるためのブリッジマン法、ブロックキャスティング法、およびCZ工程のような、太陽電池級シリコン鋳塊を含んだ半導体級シリコン鋳塊の結晶化を含んだ任意の公知の工程に採用されてもよい。本発明は溶解工程および結晶化工程を実施するための装置にも関し、加熱ゾーンの材料は酸素欠如材料である。
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【課題】垂直勾配凝固法を用いた単結晶あるいは多結晶材料、特に光電池用途のシリコンの製造方法及び装置を提供し、及び坩堝断面を多角形、特に矩形あるいは四角形形状に構成することにより材料の損耗を低減する。
【解決手段】坩堝周囲に均質でない温度分布を形成する平坦な平面状発熱体、特にジャケットヒーターを設置する。この温度分布を坩堝の中心に形成される温度勾配に対応させる。平面状発熱体の熱出力を坩堝の上端から下端へ向けて減ずる。平面状発熱体を縦方向あるいは水平方向へ蛇行して延びる複数の平行な加熱ウェブで構成する。これらウェブからの熱出力を導体断面を相違させることによって設定する。坩堝の角部分における局部的過熱を防止するため、ウェブが蛇行して延びる転回ゾーンにおいて断面を狭窄する。平面状発熱体は複数の相互接続された独立分節から作製可能である。 (もっと読む)


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