【課題】垂直ブリッジマン法による、たとえばＫ（Ｔａ，Ｎｂ）Ｏ３結晶の作製において、種子結晶近傍の温度分布を局所的に制御して、最適な温度条件により、高品質結晶を歩留まりよく成長させる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】炉内に保持されたるつぼ１１内に種子結晶１４を配置し、るつぼ１１内に充填された原料溶液を加熱溶解し、るつぼ１１の下方より上方に向かって、原料を除冷することにより結晶成長させる結晶製造装置において、前記種子結晶１４が配置される前記るつぼ１１の外側に取り付けられた中空構造のキャップ１７と、前記中空構造を流れる冷媒の流量調整を行う手段とを含む温度制御手段を備える。前記キャップ１７の代わりに螺旋型のパイプを用いてもよい。前記温度制御手段は、前記種子結晶１４の近傍を局所的に冷却して温度制御するだけでなく、前記キャップ１７にヒータを内包させて、冷却と加熱の両方で温度制御することも可能である。 （もっと読む）

【課題】縦型ボート法において、双晶不良の発生を抑制する結晶成長用ルツボを提供する。
【解決手段】一方に円錐台形の肩部５を備えた円筒形の直胴部６と、前記肩部５の先端に設けられ種結晶３を収納する細径部４とを有し、前記肩部５及び前記直胴部６に収容される結晶原料融液を、前記細径部４から前記直胴部６へ向かって結晶成長させる結晶成長用ルツボ１において、前記肩部５の内壁面に、結晶成長方向に対してほぼ垂直に、円周状の凹溝８を所定の間隔を隔てて複数形成するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体、太陽電池、液晶などの薄膜を形成するターゲット材について、酸素濃度を低減することによってパーティクルの発生を抑制し、加工性および成膜の膜質を高めたターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】優先的に一定範囲の方向Ａに配向した結晶組織を有し、酸素濃度が３.０×１０¹⁸atom/cm³以下であり、好ましくは、酸素濃度１.０×１０¹⁸atom/cm³以下であって、スパッタ面の平均結晶粒径が１〜２０mm、酸素濃度と炭素濃度の比（酸素濃度/炭素濃度）が２０以下であるターゲット材、およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】耐熱及び冷却に関し望ましい効果を有し、電極に純水を供給する必要がなく、費用節約や安全上の課題を解決しうる結晶成長炉の電極構造体を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのグラファイト電極柱２と、少なくとも１つの金属電極柱と、少なくとも１つの固着基部４と、少なくとも１つのロックナットとを含み、グラファイト電極柱は、金属電極柱のナット基部に係合し、少なくとも１つの金属電極柱は、固着基部を通って炉壁に固締される。従って、少なくとも１つのグラファイト電極柱は、重量支持体としても導電性の電極としても働く。炉壁に溶接されたフランジ４１は、大気に晒される面積が大きくなることから、望ましい冷却効果を達成することができ、散水が実施されれば温度降下を促進することができる。固着基部には弾性座金が設けられているので、弾性力を用いてグラファイト各電極柱の荷重を軸方向に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体結晶を再現性よく得ることのできる半導体結晶成長方法および転位密度の均一な半導体結晶を提供する。
【解決手段】半導体結晶成長方法は、半導体の種結晶３０と半導体の原料とを収容した容器２０を加熱して、原料を半導体融液３４とする原料融解工程と、容器２０の種結晶３０側の一端３０ａを、種結晶３０を収容している側とは反対側の容器２０の他端２０ａよりも低温に保持する温度保持工程と、種結晶３０側の半導体融液３４の温度の降下量を、他端２０ａ側の半導体融液３４の温度の降下量よりも少なくした状態で半導体融液３４の温度を降下させて、種結晶３０側から容器２０の他端２０ａに向けて半導体融液３４を徐々に固化させる結晶成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】低過冷度型の結晶を高い割合で含む球状シリコン結晶を、高い再現性をもって得ることを可能とする、球状シリコン結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】容器内に保持したシリコン材料を加熱して、溶融する工程、溶融したシリコン材料に、AlPの微粉末を添加する工程、及び、AlPの微粉末を含む溶融シリコン材料の液滴を、前記容器から気相中へ落下させる工程を含む、球状シリコン結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】一般的に使われるキャスト成長法を用いて、そのインゴット全体の品質を上げることができ、高品質で高歩留まりなSi結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長用ルツボに入れたSi融液を、融液上部ほど温度が低く融液中心ほど温度が低くなるように温度分布を調整する。次に、Si融液の上部からSi融液中に種結晶や冷媒を挿入または局所冷却を行うことにより、Si融液上部で局所的な核形成を促進する。しかる後、適切な温度分布を保ったまま冷却を行い、Si融液の上部から下部へSi結晶インゴットを結晶成長させ、結晶成長の途中または最終段階で、残留するSi融液をルツボ外に排除する。 （もっと読む）

【課題】不純物の含有量を大幅に低減した球状に近似した形状の単結晶シリコン粒子を、多数個を一括的に製造できる単結晶シリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン粒子３の製造方法は、不純物が偏析した突起部１２を有するとともに表面に酸窒化膜１１が形成された単結晶シリコン粒子３の突起部１２を、単結晶シリコン粒子３の表面を実質的に加工変質させずに研磨加工によって除去する。研磨加工はバレル研磨加工により行なう。 （もっと読む）

【課題】るつぼの底部または側部の裂け目から流出したシリコンスラリーによる熱の影響のために炉の下側本体に生じる歪みと変形を防止するスラリー排出ダクト構造を有する結晶成長炉を提供する。
【解決手段】シリコンスラリー９１が漏れて結晶成長炉のるつぼから排出され、台板の周囲に沿って支持ポストまで流れ落ちるのを防ぐように、細長い軒板４に沿って軒樋５のＶ字状溝へと下方向に流れるため、支持ポストは破損せず、るつぼは倒れず、シリコンスラリー９１は氾濫しない。炉の下側本体には、シリコンスラリー９１が支持ポストの近くまで流れないように、大量に漏れ出すシリコンスラリー９１を収容する受入皿６が追加で設けられる。 （もっと読む）

約３０Ｗ／ｍ・Ｋ以下の面内熱伝導率、および約２Ｗ／ｍ・Ｋ以下の面間熱伝導率を有する熱分解窒化ホウ素材料が開示される。その密度は、１．８５ｇ／ｃｃ未満である。 （もっと読む）