半導体材料物品を製造かつ／または処理するための方法が開示されている。さまざまな方法において、第１の半導体材料物品が提供され、この第１の半導体材料物品は、半導体材料を溶融させるのに充分なほどに加熱され、溶融した半導体材料は、溶融した半導体材料物品の最短寸法に対し実質的に平行な方向で固化される。本明細書中に記載された方法によって製造される半導体材料物品も同様に開示されている。
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多結晶シリコンを取得する装置は：そのシリコンに対して石英で作られ、カップ形状のグラファイト容器（4）において除去可能に収納された少なくとも1つのるつぼ（3）；固定された底部ハーフシェル（6）及び垂直に可動式である上部ハーフシェル（7）を含む流体密封のケーシング（5）；グラファイトプレート（14）が介在した状態でそのるつぼに向かい合って配置された上部誘導コイル（12）、そのグラファイト容器の側壁（17）の周りに配置された側部誘導コイル（16）及びそのグラファイト容器の底壁（19）に向かい合って配置され、その底壁からの距離（D）を変更するために垂直に可動式である底部誘導コイル（18）；及び、誘導コイルのお互いに別々のa.c.電力供給に対する手段（20）；を含み、少なくともその側部誘導コイル（16）は、お互いに重なり合って配置された複数の平面の巻き（13a...13e）、及びそれらの巻きを全て一緒に又は一度に1つ以上を別々に選択的に短絡させ、供給する又は供給しないための及びそれらの供給の周波数を全て一緒に又は一度に1つ以上を別々に変更するための手段（25）を含む。

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【課題】 多結晶シリコン成長空間の熱的不平衡度を解消し、今後の技術展望に対応して鋳塊装置の高さ方向への大きさ制約による問題点を解消するとともにドアの大きさをふやすことができる多結晶シリコン鋳塊製造装置を提供する。
【解決手段】 所定大きさの真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に備えられ、シリコン原材を収容するるつぼと、前記るつぼ内のシリコン原材を溶融させるために熱を加えるヒーターと、前記るつぼの下側に備えられるサセプタと、前記るつぼ内に溶融したシリコン結晶を成長させるために熱を放出させる冷却板と、前記るつぼと冷却板の間に備えられ、放熱を拘束するドア開閉装置と、前記るつぼの温度を測定する温度センサーと、前記温度センサーの出力値を受けてるつぼ内の温度を制御する制御部とを含む多結晶シリコン鋳塊製造装置であって、前記ドア開閉装置は所定間隔を置いて開放部が形成された第１ドアと第２ドアを含んでなり、前記第１ドアと第２ドアの相対回転によって開放部を選択的に開閉する駆動部を含んでなる。 （もっと読む）

シリコン結晶化装置は、シリコンを収容する坩堝（１１）と、前記坩堝に収容される前記シリコンを溶融させ、続いて前記溶融シリコンを凝固させるように設けられている加熱／熱放散機構（１３〜１５）と、前記坩堝内の前記溶融シリコンを、前記溶融シリコンの凝固過程で撹拌するように設けられている電磁撹拌装置（１７）とを備える。制御機構（１８）は、前記加熱／熱放散機構を制御して、前記溶融シリコンを指定凝固速度で凝固させ、前記電磁撹拌装置を制御して、前記溶融シリコンを前記溶融シリコンの前記指定凝固速度に応じて撹拌することにより、前記溶融シリコンの速度と前記指定凝固速度との比が、第１の閾値を上回るようになるように設けられている。
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【課題】育成炉内の温度分布の形成に影響を与える断熱部材の形状精度と配置精度の確保を容易にするサファイア単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】ルツボ２０内に種子結晶および原料を収納し、育成炉１０内の筒状ヒーター１４内にルツボ２０を配置して筒状ヒーター１４により加熱して原料および種子結晶の一部を融解して結晶化させるサファイア単結晶の製造装置１において、筒状ヒーター１４を取り囲むように育成炉１０内に断熱部材１６が配設されてホットゾーン１８が形成され、断熱部材１６は、上下方向に積層された複数の筒状部材１６ａ、１６ｂを備え、且つ、複数の筒状部材１６ａ、１６ｂを積層する際の径方向の位置決めを行う位置決め手段１７を有し、複数の筒状部材１６ａ、１６ｂは、カーボンフェルトを成形した部材より成る。 （もっと読む）

結晶を成長させるという様な、材料を加工するのに使用される真空炉での無用の副次的反応を最小限にするための方法である。プロセスは、炉室環境で施行され、ヘリウムが炉室へ、不純物を洗い流す流量で、且つ加熱ゾーンに熱安定性を実現し、熱流の変化を最小限にし、加熱ゾーンの温度勾配を最小限にする所定の圧力で投入される。冷却中は、冷却率を上げることを目的に、ヘリウム圧力を使用して熱勾配の縮小が図られる。 （もっと読む）

【課題】クラックのない高品質のサファイアの単結晶が得られるサファイア単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】一方向凝固法によるサファイア単結晶の製造方法において、ルツボ２０に、ルツボ２０の線膨張係数と製造されるサファイア単結晶の成長軸に垂直な方向の線膨張係数との相違に起因する相互応力を、ルツボ２０およびサファイア単結晶に全く発生させない、もしくはサファイア単結晶に相互応力による結晶欠陥を発生させずルツボ２０に相互応力による変形を起こさせないような線膨張係数を持つ材料からなるルツボ２０を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クラックや濁りの発生を十分防止することができ、良好な透過率特性を示すフッ化物結晶を歩留まりよく得ることができるフッ化物結晶の育成方法、係る方法を用いて得られるフッ化物結晶及び光学部材を提供する。
【解決手段】ブリッジマン炉１０を用い、フッ化物原料が配合された結晶原料３をルツボ２に収容し、溶融後、融液を冷却固化してフッ化物結晶を育成する方法であって、フッ化物原料として、鉄及び鉛の合計質量濃度が１．５ｐｐｍ未満であるフッ化物を配合する。なお、結晶中への酸素の凝集を抑制する観点からは、鉄の質量濃度が０．５ｐｐｍ未満且つ鉛の質量濃度が１ｐｐｍ未満であることが好ましい。 （もっと読む）

溶融した半導体材料を保持し、一方向凝固工程により多結晶シリコン・インゴットを作製するための窒化ケイ素被覆坩堝と、坩堝を被覆する方法と、シリコン・インゴットおよびウェーハを作製する方法と、坩堝を被覆するための組成物と、低酸素量のインゴットおよびウェーハとに関する。
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【課題】紫外・真空紫外（ＵＶ／ＶＵＶ）領域における透過率が十分高く且つ耐レーザー性や耐ＵＶ／ＶＵＶ性に優れたフッ化物単結晶、それを実現可能とするフッ化物の熱処理方法及びフッ化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】被処理物であるフッ化物５を、脱酸素機能を有するスカベンジャーとともに、気密化可能な加熱炉１００内に収容する収容ステップと、気密化した加熱炉１００内から排気して当該加熱炉内１００の圧力を１×１０^−１Ｐａ以下にしてからスカベンジャーの昇温を開始する昇温開始ステップと、スカベンジャーの温度が当該スカベンジャーの融点よりも２０℃〜５０℃低い温度になったときに加熱炉１００内からの排気を停止する排気停止ステップと、スカベンジャーの温度が当該スカベンジャーの融点よりも２０℃〜５０℃高い温度になったときに加熱炉１００内からの排気を再開する排気再開ステップと、を有する。 （もっと読む）