【課題】固液界面が結晶成長全般に亘り、結晶成長軸方向に垂直の形状、または原料融液側に凸形状となるような固液界面制御を可能とする化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】容器２底部に種結晶Ｓを収納すると共に、その種結晶Ｓの上に原料融液Ｍを収納し、容器２底部から上部に向かって温度が高くなる温度勾配となるように容器２を加熱し、種結晶Ｓより結晶成長を開始して徐々に上方に結晶化を進行させ、原料融液Ｍ全体を結晶化させる化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶化の進行に伴い、既結晶化部分の温度勾配を徐々に大きくして結晶化速度を結晶成長の開始から結晶成長の完了にわたって概ね同一にする方法である。 （もっと読む）

【課題】ステッパー用レンズ材料として用いた場合に、十分な解像性能が得られるフッ化物単結晶を提供すること。
【解決手段】結晶育成方向軸に垂直な断面の形状が円形状であり、その短径が５０ｍｍ以上であるフッ化物単結晶であって、当該単結晶を結晶育成方向軸に対して垂直に略三等分し、略三等分された各々の単結晶について、結晶育成方向軸と垂直な面における屈折率均一性のＲＭＳ値を求めた場合に、その最小値ｙを最大値ｘで除した値（ｙ／ｘ）が０．５以上であるフッ化物単結晶。 （もっと読む）

【課題】ボート法成長方法によるｎ型導電性のIII−Ｖ族化合物半導体結晶の単結晶成長歩留りを向上させる。
【解決手段】Ｇａ又はＧａＡｓ多結晶を収容した結晶成長用ボート設置部と、Ａｓ７を収容したＡｓ設置部と、結晶成長用ボート設置部とＡｓ設置部を隔てる拡散障壁部８を有する反応管１を密封した後、加熱装置を用いて反応管１内の温度分布を制御してｎ型導電性のＧａＡｓ半導体結晶９を成長させるボート法成長方法において、拡散障壁部８の温度を７００℃以上９５０℃未満に保持して、拡散障壁部８にＧａ₂Ｏ₃を析出させ、ＧａＡｓ融液５でのＳｉＯ₂（個体）の生成反応を抑制する。 （もっと読む）

【課題】クラックが発生することなく均一な組成を有するランガテイト単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】坩堝３の内部にランガテイト種結晶５を充填すると共に、ランガテイト種結晶５上にランガテイト原料６を積み重ねて充填する充填工程と、坩堝３の垂直方向に温度勾配を有する炉の内部に坩堝３を配置し、ランガテイト原料６を融解して融液を形成する融解工程と、融液を下方から上方に向けて漸次固化させてランガテイト単結晶を育成する育成工程とを備え、ランガテイト原料６は、ランガテイト種結晶５から最も離間した部分のランタン及びタンタルの含有量が、それぞれランガテイト種結晶５と接する部分と比較して高い。 （もっと読む）

【解決課題】 ブリッジマンるつぼ等に適用可能であり、長寿命でより高温での使用が可能な薄肉の耐熱容器を提供すること。
【解決手段】 本発明は、イリジウムからなり、厚さ０．３ｍｍ以下の薄肉の耐熱容器であって、イリジウム塩を含む溶融塩の溶融塩電解により形成されるイリジウム製耐熱容器である。この容器の構成材料は、貴金属を除く不純物元素の合計濃度が１００ｐｐｍ以下であり、更に、イリジウムを除く貴金属の合計濃度が１００００ｐｐｍ以下であるものが好ましい。 （もっと読む）

【解決課題】 融点１７００℃以上の高融点の単結晶材料を効率的に製造可能であり、欠陥の少ない高品質のものを製造可能な方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、金属又は金属化合物からなり、融点が１７００℃以上である高融点単結晶材料の製造方法において、単結晶種子が封入されたるつぼを、温度勾配を有する炉内を移動させて単結晶を育成するブリッジマン法を用いて単結晶を製造する方法である。ここで、使用するるつぼとしては、電気鋳造法により製造されたイリジウムよりなる厚さ０．３ｍｍ以下の薄型るつぼガ好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＶＧＦ法およびＶＢ法により、結晶成長方向の炭素濃度が一定な半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造する方法を提供する。
【解決手段】石英アンプル内に、ＧａＡｓ原料５およびＢ₂Ｏ₃６を入れたるつぼ３と、蒸気圧制御用のＡｓ７と、Ｇａ₂Ｏ₃、Ａｓ₂Ｏ₃よりなる群から選ばれた１または２以上の化合物、あるいは、一酸化炭素、二酸化炭素よりなる群から選ばれた１または２以上の化合物よりなる酸素供給源８を封入し、石英アンプル中のＣＯガス濃度を制御しながら結晶成長を行なう。 （もっと読む）

【課題】結晶成長中の結晶成長速度を所望の速度に制御することにより、結晶特性の均一な結晶を製造する。
【解決手段】炉内に保持されたるつぼ１内に種子結晶４を配置し、るつぼ１内に充填された原料を加熱液化し、るつぼ１の下方より上方に向かって、液体原料２を徐冷することにより結晶成長させる結晶製造方法において、液体原料２の構成元素で構成された相図の液相線と、炉内の温度分布５とに基づいて、成長中の結晶成長量と成長速度とを予め算出する第１ステップと、第１ステップで算出された成長速度となるように、るつぼ１の冷却速度を制御する第２ステップとを備えた。 （もっと読む）

【課題】１台の結晶製造装置により、複数の単結晶を、１回の結晶製造工程で同時に製造する。
【解決手段】炉内に保持されたるつぼ３１内に種子結晶３４を配置し、るつぼ３１内に充填された原料３２を加熱液化し、るつぼ３１の下方より上方に向かって、液体原料を徐冷することにより結晶成長させる結晶製造装置において、炉内に複数個のるつぼ３１を設置した１または複数のるつぼホルダ３８を備え、１回の製造工程で複数個の結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】 半絶縁性ＧａＡｓウエハの研削加工に起因するマイクロクラックを除去し、アニールの際のスリップを防止する。
【解決手段】ＧａＡｓインゴット１０より切り出された半絶縁性ＧａＡｓウエハ１１の外周縁部１３に研削加工により面取り部１２を形成し、この半絶縁性ＧａＡｓウエハ１１にイオンを打ち込んだ後、アニール処理するようにした半絶縁性ＧａＡｓウエハ製造方法において、前記半絶縁性ＧａＡｓウエハの前記面取り部１２を含む外周縁部１３に所定量の鏡面研磨加工を施して前記研削加工によって発生したマイクロクラックを除去することにより、アニールの際のスリップを防止する。 （もっと読む）