【課題】結晶粒子を、安定した一様な形状および粒径で高効率に製造することができる結晶粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶粒子の製造方法が、（１）鉛直方向に対して傾斜方向に貫通したノズル孔６を有するノズル部３が底部に設けられた坩堝１中において、結晶材料を溶融させて結晶材料の融液４を作製する工程と、（２）ノズル孔６から融液４を排出して粒状にする工程と、（３）粒状の融液４ａを、落下中に冷却して凝固させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】良好なキャリア濃度分布を有するＳｉドープＧａＡｓ単結晶並びにその製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】液体封止剤を用いた縦型ボート法によるＳｉドープＧａＡｓ単結晶の製造方法による結晶育成過程において、適正な時期に液体封止剤層を撹拌することにより、ＧａＡｓ原料融液層中のＳｉ濃度を制御し、単結晶中の位置を結晶育成過程における結晶の固化率ｇで表して（１−ｇ）の対数値を横軸にとり、各固化率で特定される位置における単結晶中のキャリア濃度の対数値を縦軸にとったグラフに表される曲線が、固化率ｇが０．１〜０．８の範囲において、勾配が負の値を持ち、かつその勾配の絶対値が０．６より大きい直線と勾配の絶対値が０．６以下の直線とが接続されたものであるＳｉドープＧａＡｓ単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】高い生産性を有し、かつ低コストに結晶シリコン粒子を連続的に製造可能な結晶シリコン粒子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン原料供給装置３０は、シリコン原料を貯留するとともに坩堝１へ供給する貯留装置７を有しており、シリコン原料を貯留装置７に供給した後に貯留装置７の内部の圧力を大気圧と同等以下に減圧し、次に不活性ガスを貯留装置７の内部に導入して貯留装置７の内部の酸素濃度を減少させるとともに貯留装置７の内部の不活性ガス圧力を坩堝１の内部の不活性ガス圧力まで加圧する第一の工程と、シリコン原料を坩堝１に供給する第二の工程と、を具備しており、第一及び第二の工程を繰り返す。また、溶融落下製造装置２０において、坩堝１のノズル部１ａからシリコン融液を粒状として排出して落下させるとともに、落下中に冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子５を連続的に製造する。 （もっと読む）

【課題】ドープしたＦｅの析出が抑制されたＩｎＰ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＩｎＰ基板の製造方法は、ＦｅドープしたＩｎＰ融液２２を封止剤２６で封止しつつＩｎＰインゴットをＶＢ法により作製して、ＩｎＰ基板を作製するＩｎＰ基板の製造方法であって、封止剤２６として、含有水分が２００重量ｐｐｍ以下の酸化ホウ素（Ｂ₂Ｏ₃）を用いることを特徴とする。このＩｎＰ基板の製造方法においては、含有水分量を２００重量ｐｐｍ以下にして、Ｉｎ空孔を占有するＨ原子の数を低減している。そのため、ＩｎＰ基板にドープされたＦｅの原子が、Ｉｎ原子に置換されやすくなるため、Ｆｅの析出が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ランガサイト系単結晶を用いて燃焼圧センサ等に用いた際におけるドリフトの発生問題を解消し、検出精度，安定性及び信頼性を飛躍的に高める方法を提供する。
【解決手段】垂直方向に温度勾配を有する加熱環境下における不活性ガス雰囲気中に坩堝部を配し、この坩堝部に種結晶を充填するとともに、この種結晶の上に原料を充填し、種結晶の一部及び原料を加熱融解させた後、坩堝部を少なくとも垂直方向に移動させてランガサイト系単結晶を作製するに際し、加熱環境をカーボン発熱体部を用いて生成し、かつこの加熱環境に不活性ガスを供給して不活性ガスが略１００〔％〕となる不活性ガス雰囲気を生成するとともに、この不活性ガス雰囲気中に坩堝部を配し、１７５〔℃〕の温度環境下における電気抵抗率が１０¹²〔Ωｃｍ〕以上となるランガサイト系単結晶を作製する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長時間を節約でき、コストが低下でき、結晶の質量とサイズが制限されることが無く、品質が光学や半導体及び通信等の素子に対する高機能要求を満足できるサファイア結晶成長方法を提供する。
【解決手段】主として、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）粉末を超微細粉体顆粒に研磨し、９９．９９９％以上に精製して噴霧造粒し、有機結合剤を添加してプレスし、そして、真空特高温炉に置き入れる前、半熟のアルミナブロックにバーンインしてから溶湯状態に加熱して結晶成長させ、固化と冷却そして収縮することにより単結晶サファイアになる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン原料を直接球状シリコン単結晶にするとともに、その歩留りを大幅に向上させる。
【解決手段】 高純度粉末状シリコン22を、表面が微細な凹凸構造をし、多数の窪みを有する高純度セラミックス又は石英ガラス又は高純度多孔質セラミックス容器の前記窪み内に収容する。不活性ガス又は高純度不活性ガスにシランガス又はハロゲン化珪素ガスを添加した雰囲気下で前記窪み内の粉末状シリコン22を融解させて前記窪み内に溌液状シリコン23を生成し、その溌液状シリコン23を冷却して球状シリコン結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】ＶＢ法、ＶＧＦ法によって製造された化合物半導体単結晶基板において、化合物半導体単結晶基板面内のキャリア濃度をより均一化した化合物半導体単結晶基板を提供する。
【解決手段】容器２の底部に予め配置した種結晶Ｓより結晶成長を開始し、徐々に上方に結晶化を進行させ、容器２内に収納した原料融液Ｍ全体を結晶化させ、得られた結晶を切断する方法によって製造された化合物半導体単結晶基板において、
以下の条件Ａ〜条件Ｃのうち、
条件Ａ：基板面内のキャリア濃度の平均値が１．０×１０¹⁸〜５．０×１０¹⁹／ｃｍ³ 条件Ｂ：基板面内のキャリア濃度の最大値、最小値が、基板面内のキャリア濃度の平均値から±５％のばらつきの範囲内
条件Ｃ：基板面内の転位密度の平均値が０〜５０個／ｃｍ² の少なくとも２つの条件を満たすものである。 （もっと読む）

【課題】 粒状単結晶シリコンの製造方法において、結晶性や開放電圧特性に優れた高品質な粒状単結晶シリコンを安定して作製でき、量産性に優れた低コストな粒状単結晶シリコンを製造する。
【解決手段】 酸素ガスと窒素ガスの反応性ガスを含む雰囲気ガス中で粒状シリコンを加熱して表面に前記ガスの成分を含む珪素化合物被膜を形成して内側のシリコンを溶融した後、降温して凝固させて単結晶化する粒状単結晶シリコンの製造方法であって、上記反応性ガスを室温より高くシリコンの融点より低い温度で導入し始めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＩ−ＶＩ族の固体の半導体材料の沈殿物を除去するアニーリング法を提供する。
【解決手段】アニールによってＩＩ−ＶＩ族固体の半導体材料２中に含まれる沈殿物３を除去するための方法である。固体の半導体材料２が合同の昇華固体の半導体材料２であり、下記の一連の段階が実行される。固体の半導体材料２は温度Ｔまで不活性ガスフロー８の下で加熱される。温度Ｔは、ＩＩ−ＶＩ族化合物／ＶＩ族元素の共晶に対応する第１の温度Ｔ_１と、最大の合同の昇華温度に対応する第２の温度Ｔ_２との間にある。固体材料２は、沈殿物３を除去するのに十分な期間に中性ガスフロー８の下で、この温度Ｔで保たれる。固体の半導体材料２は、冷却中に固体材料２がその合同の昇華線に合致するような割合で、温度Ｔから周辺温度まで不活性ガスフロー８の下で冷やされる。沈殿物３の無い固体の半導体材料２が回収される。 （もっと読む）