【課題】 粒状シリコンを製造する場合において、結晶性の高い粒状シリコンを安定して作製すると同時に、高い結晶性をもったシリコン粒子を低コストで製造することを目的とする。
【解決手段】 粒状シリコン単結晶の製造方法は、坩堝１のノズル部３からシリコン融液４を滴状に排出して落下させるとともに、このシリコン融液４を落下中に冷却して凝固させることによって粒状シリコン結晶を製造した後、この粒状シリコン結晶を熱処理して単結晶化する。シリコン融液４を落下中に冷却して凝固させることに加えて粒状シリコン結晶を熱処理して単結晶化することにより、高い結晶性をもった粒状シリコン結晶を低コストに製造できる。 （もっと読む）

【課題】坩堝内部への水分流入を防止し、光学性能（透過率など）に優れた結晶を製造することができる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０の内室ＩＲのガス圧が坩堝１０の外室ＯＲの圧力又は処理炉ＰＦの圧力よりも低い場合には、外蓋１４は内蓋１２に載置された状態を維持するので、坩堝１０の外部から坩堝１０の内室ＩＲへの水分などの流入を防止することができる。一方、坩堝１０の内室ＩＲのガス圧が坩堝１０の外室ＯＲの圧力又は処理炉ＰＦの圧力よりも高い場合には、外蓋１４が内蓋１２から持ち上がり、坩堝１０の内室ＩＲのガスは、開口部１２ａを介して、坩堝１０の外室ＯＲに排出され、更に、開口部１１を介して、坩堝１０の外部に排出される。このように、開口部１２ａを有する内蓋１２と、開口部１２ａを覆う外蓋１４とが、逆止弁の機能を実現する。 （もっと読む）

【課題】溶媒の熱対流による原料の舞い上がりを防止し、粉体の原料を用いた場合であっても高品質な結晶を製造でき且つ原料効率の高い結晶製造方法および結晶製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器中で、（１）超臨界状態および／または亜臨界状態の溶媒、並びに、（２）原料を用い、結晶を成長させる結晶製造方法であって、前記反応容器は前記原料を充填する原料充填部としてるつぼを備え、且つ、前記るつぼへの原料の充填量がｈ≧Ｄ／２（ｈはるつぼの上端から充填した原料上面までの距離、Ｄはるつぼの内直径）を満たす、或いは、前記るつぼが一つ以上の開口部を有する蓋を有することを特徴とする結晶製造方法およびこれに用いられる結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】クラックが発生することなく均一な組成を有するＬＴＧＡ（Ｌａ−Ｔａ−Ｇａ−Ａｌ酸化物）単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝３の内部にＬＴＧＡ種結晶５を充填すると共に、ＬＴＧＡ種結晶５上にＬＴＧＡ原料６を積み重ねて充填する充填工程と、坩堝３の垂直方向に温度勾配を有する炉の内部に坩堝３を配置し、ＬＴＧＡ原料６を融解して融液を形成する融解工程と、融液を下方から上方に向けて漸次固化させてＬＴＧＡ単結晶を育成する育成工程とを備え、ＬＴＧＡ原料６は、ＬＴＧＡ種結晶５から最も離間した部分のランタン及びタンタルの含有量が、それぞれＬＴＧＡ種結晶５と接する部分と比較して高い。 （もっと読む）

【課題】原料の溶媒に対する溶解速度を向上させ、十分な結晶の成長速度を安定して維持することができる結晶製造方法および結晶製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器中で、（１）超臨界状態および／または亜臨界状態の溶媒、並びに、（２）原料を用い、結晶を成長させる結晶製造方法であって、前記反応容器は前記原料を充填する１以上の原料充填部を備え、且つ、前記原料充填部の各内部水平断面積の最大値の合計が、前記反応容器の内部水平断面積の１．１倍以上であることを特徴とする結晶製造方法およびこれに用いられる結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】高い性能指数を有するＭｎＳｉ_ｙ（１.７≦ｙ≦１.８）系のＰ型熱電材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】この熱電材料の製造方法は、原料として、母材であるマンガンシリサイドＭｎＳｉ_ｙの化学量論的組成を満たすマンガン及びシリコンと、母材に添加されるゲルマニウムと、母材に添加される不純物とを用意する工程であって、ゲルマニウムを、シリコン及びゲルマニウムの和の０.３ａｔ.％〜１ａｔ.％に相当する量だけ用意する工程と、原料を溶融することにより溶融物とする工程と、該溶融物を、０℃／分より大きく、１．５℃／分以下の冷却速度で冷却することにより、結晶成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】良質のランガテイト単結晶を効率的に育成することができるランガテイト単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】坩堝３の内部にランガサイト種結晶５を充填すると共に、ランガサイト種結晶５上に原料を積み重ねて充填する充填工程と、坩堝３の垂直方向に温度勾配を有する炉の内部に坩堝３を配置し、ランガテイト原料６を融解して融液を形成する融解工程と、融液を下方から上方に向けて漸次固化させて単結晶を育成する育成工程とを備え、ランガサイト種結晶５が、ランガサイトによって構成されている。 （もっと読む）

【課題】縦型ブリッジマン法による単結晶の結晶成長において、結晶径が大きく、かつ、結晶長が長い高品質の単結晶を、効率よく製造する。
【解決手段】縦型ブリッジマン法により単結晶を製造する単結晶製造装置において、原料を配置した筒状の炉芯管と、上記炉芯管の外周側を被覆するように配置されるとともに、該被覆された領域における上記炉芯管内の温度を制御して上記炉芯管内の上記原料を熔解する熔解手段と、上記炉芯管の外周側を被覆するように配置されるとともに、該被覆された領域における上記炉芯管内の温度を制御して上記炉芯管内における上記原料の結晶化後に該結晶を凝固点よりも低い温度で保持する均熱手段とを有し、上記熔解手段と上記均熱手段とを所定の間隙を有するようにして分離して配置し、上記炉芯管の外周面において上記熔解手段と上記均熱手段とにより被覆されていない領域を形成した。 （もっと読む）

【課題】良好なキャリア濃度分布を有するＳｉドープＧａＡｓ単結晶並びにその製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】縦型ボート法による結晶育成過程において、液体封止剤層中に含まれるＳｉの濃度が液体封止剤層とＧａＡｓ原料融液層との界面近傍の下部で高く、この界面から離れて上部にいくにしたがって急激に低くなる性質を利用し、結晶育成過程の適正な時期に液体封止剤層を撹拌することにより、ＧａＡｓ原料融液層中のＳｉ濃度を制御し、単結晶中の位置を結晶育成過程における結晶の固化率ｇで表して（１−ｇ）の対数値を横軸にとり、各固化率で特定される位置における単結晶中のキャリア濃度の対数値を縦軸にとったグラフに表される曲線が、固化率ｇが０．１〜０．８の範囲において、勾配が負の値を持ち、かつその勾配の絶対値が０．６より大きい直線と勾配の絶対値が０．６以下の直線とが接続されたものであるＳｉドープＧａＡｓ単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】固液界面が結晶成長全般に亘り、結晶成長軸方向に垂直の形状、または原料融液側に凸形状となるような固液界面制御を可能とする化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】容器２底部に種結晶Ｓを収納すると共に、その種結晶Ｓの上に原料融液Ｍを収納し、容器２底部から上部に向かって温度が高くなる温度勾配となるように容器２を加熱し、種結晶Ｓより結晶成長を開始して徐々に上方に結晶化を進行させ、原料融液Ｍ全体を結晶化させる化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶化の進行に伴い、既結晶化部分の温度勾配を徐々に大きくして結晶化速度を結晶成長の開始から結晶成長の完了にわたって概ね同一にする方法である。 （もっと読む）