【課題】原料溶液の温度分布を局所的に制御することにより、高品質結晶を歩留まりよく成長させる。
【解決手段】炉１０内に保持されたるつぼ１内に種子結晶を配置し、るつぼ１内に充填された原料を加熱溶解し、るつぼ１の下方より上方に向かって、原料溶液を徐冷することにより結晶成長させる結晶製造装置において、炉１０内の温度を結晶成長に適した温度に調整する発熱体６と、るつぼ１の底部に接して配置された冷却板７と、冷却板７と熱的に結合され、熱媒体を流すことにより冷却板７を冷却する冷却管８とを備え、熱媒体の流量を制御して、るつぼ１内の原料溶液の温度勾配を制御する。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系化合物半導体をエピタキシャル成長させるための基板等として使用可能な、大型のＺｒＢ_２で代表される二ホウ化物単結晶の成長技術を提供する。
【解決手段】融点が２０００℃以上の溶接可能な金属製の密閉坩堝の中で化学式ＸＢ_２（但し、ＸはＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒの少なくとも一種を含む）で表わされる化学量論組成よりも端成分に富む組成からなる結晶原料を加熱融解し冷却することによって結晶化して育成する。 （もっと読む）

【課題】ArFエキシマレーザー光学系用またはF₂レーザー光学系用光学部材として好適な、該レーザー波長において透過率の高いフッ化カルシウム単結晶、または該単結晶製造用前処理品としてのフッ化カルシウム結晶を安定して製造する。
【解決手段】フッ化カルシウムをルツボに充填する工程と、該ルツボを加熱して前記フッ化カルシウムを融解する工程と、融解されたフッ化カルシウムを冷却して結晶化させる工程とを有するフッ化カルシウム結晶の製造方法において、前記ルツボに充填する際におけるフッ化カルシウムのＢＥＴ比表面積を3m²/g以下とする。 （もっと読む）

坩堝の底部への熱入力を減らし且つ抽熱を熱入力とは別個に制御するために、結晶が成長するときに、熱遮蔽部材を加熱部材と坩堝との間で制御された速度で上昇させることができる。他のステップとして坩堝を動かすステップが含まれ得るが、本発明においては、坩堝を動かす必要性を排除することができる。加熱部材の一部分のみを遮蔽することによって温度勾配が形成される。例えば、坩堝の底部への熱伝達を頂部よりも小さくするために、筒状部材の底部を遮蔽することができ、それによって、坩堝内に安定した温度勾配を生じさせることができる。
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【課題】 短い処理時間でｐＢＮ坩堝を高度に清浄化して、その清浄化された坩堝を用いて化合物半導体結晶を育成する技術を提供する。
【解決手段】 化合物半導体結晶育成用のｐＢＮ坩堝（１）の清浄化方法において、そのｐＢＮ坩堝の少なくとも内面をオゾン（５）による処理によって清浄化することを特徴としている。このように、オゾンの高い化学的反応性を利用することによって、短い処理時間でｐＢＮ坩堝を高度に清浄化することができ、その清浄化された坩堝を用いて高品質の化合物半導体結晶を育成することができる。 （もっと読む）

【課題】 所定の光透過面を有するレンズを得る際に、歩留まりよく効率的にレンズを量産するための原料となるフッ化カルシウム単結晶を提供する。
【解決手段】 本発明は、ほぼ直柱状の直柱部と、ほぼ円柱状であって直柱部の底面の面積よりも大きな面積の底面を有する円柱部と、テーパ状であって直柱部の底面及び円柱部の底面を結合してそれらと一体不可分に形成されるテーパ状部とを有するフッ化カルシウム単結晶であって、直柱部の両底面における同一の所定配向面のなす角度が０°〜５°であるものである。 （もっと読む）

【課題】 短波長域においても十分に大きな透過率を示すフッ化物単結晶が得られるフッ化物単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】 フッ化物にスカベンジャーを混合した混合物を溶融した溶融物を冷却することによりフッ化物単結晶を育成するフッ化物単結晶の製造方法において、スカベンジャーが、圧力−温度曲線において１４００℃以下に１以上の極大点を有する化合物を２種以上含む、フッ化物単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光学素子用として好適な、光散乱体を含まない極めて良質な四ほう酸リチウム単結晶を、垂直ブリッジマン法により育成させることができる新規な方法を提供する。
【解決手段】育成炉の内部空間１ａにルツボ５を配置し、垂直ブリッジマン法により、ルツボ内の原料ａから四ほう酸リチウム単結晶を育成する。育成炉の内部空間１ａの雰囲気を５〜１０体積％の酸素を含む雰囲気とし、ルツボ移動速度を０．２５〜０．５０ｍｍ／時間とした。これにより、気泡や光散乱体を含有しない、直径３インチ以上の大口径型の四ほう酸リチウム単結晶を得た。 （もっと読む）

化合物を化合、均質化、および圧密化する方法が提供される。一つの態様において、装入成分を制御された添加法で混合し、次いで新たに形成した化合物を加熱して完全に溶融させたのち、室温で急冷する。代替態様では、成分を、溶媒として作用する一つの成分が過剰にある状態で供給し、加熱してさらなる成分を溶解させたのち、溶媒を化合物から分離して、均質で圧密化した化合物を製造する。本明細書の方法は、CdTe、CdZnTeおよびZnTe化合物を製造するための経済的かつ迅速なプロセスを提供するために好都合に適用される。

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【課題】ＧａＡｓ等の化合物半導体単結晶の縦型結晶成長法において、結晶の種付け部から結晶成長最終部まで全域単結晶（Ａｌｌ Ｓｉｎｇｌｅ）となる確率を高め、かつ転位等の結晶欠陥の少ない良質な化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させるための、より簡便に製造でき、煩雑な設備を要さずに固液界面の形状制御を可能とするＰＢＮ製の化合物半導体単結晶成長用容器、およびその容器を使用した化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶収容部１ａと増径部（断面積増大部）１ｂと結晶成長部１ｃとを有し、その構成材料であるＰＢＮ板の厚さ方向に垂直な面で測定した（１００）面と（００２）面のＸ線回折積分強度比｛Ｉ_（002）／Ｉ_（100）}の値が、容器全体に渡り５０を超える熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）製化合物半導体単結晶成長用容器を使用する。 （もっと読む）