【課題】良い結晶学的性質を保証し、且つ、高い凝固速度を達成できるようにすると同時に、実施が容易である半導体物質のウェハを製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体物質のウェハは、この物質の液体９からのモールディングおよび方向性結晶化によって形成される。るつぼの底部に置かれているシード８は、密集していない結晶面に沿った配向性を示す。モールド５は、ピストン７を用いてまたは装置内の圧力差の創出によって溶融半導体物質９で充填される。モールド５は、好ましくは、非粘着性の堆積物で覆われている。 （もっと読む）

【課題】球状結晶の製造において、単一サイズの球状結晶を効率良く生産すると同時に、結晶性の高い球状結晶を作製する方法を提供する。
【解決手段】球状結晶９を作製するための原料を溶融坩堝１において加熱して溶融し、所定の圧力を溶融坩堝１内の融液８上面にかけながら、原料の融液８の液流を坩堝１の底部に設けたノズル１２の穴より吐出させ、落下管５中を落下させながら冷却させ凝固させる球状結晶の製造方法において、ノズル１２の穴の下の落下管５中で不活性ガスを一定の周期で間歇的に噴出して、吐出された溶融液流８１を細断して、単一サイズの球状結晶９とする。 （もっと読む）

【解決手段】
通常、シリコンである原ウェハは、所望の端部ＰＶウェハの形状を有する。原ウェハは、急速凝固またはＣＶＤにより作製することができる。原ウェハは小さな粒子を有する。再結晶化される際にシリコンを収容および保護する清浄な薄膜内にカプセル封入され、より大きな粒子構造を形成する。カプセルは、酸素または蒸気の存在下でウェハを加熱して、外表面上に通常１〜２ミクロンの二酸化ケイ素を生成させることにより作製することができる。さらに加熱すると、ウェハが移動する空間内の溶融帯が形成されて、より大きな粒子径の再結晶が生じる。カプセルは再結晶化中に溶融材料を収容し、不純物から保護する。再結晶は大気中で行うことができる。支持板を介した熱転写が、応力および欠陥を最小限にとどめる。再結晶化後、カプセルが除去される。 （もっと読む）

【課題】原料の溶融物から結晶を製造するための構成および単結晶を提供すること。
【解決手段】原料の溶融物（１６）から結晶を製造するための構成（１）は、第１の方向（１８）に指向する勾配温度領域（Ｔ）を発生するように構成される１つ以上の加熱要素を有する加熱装置（２０、２１）を含む炉と、勾配温度領域（Ｔ）に並べて配置され、溶融物（１６）を収容する少なくとも２つの複数のルツボ（１４）と、少なくとも２つのルツボ（１４）内において、第１の方向（１８）に垂直な面内の温度領域（Ｔ）を均一化するための装置（２１ａ、２１ｂ、４６、２６）とを備える。その装置は、ルツボ（１４）間の空間（２３）内に配置される充填材料（２４）を含み、径方向に向けた熱移動を発生させるため、充填材料（２４）に異方性熱伝導率を生じさせる。その構成は、充填材料（２４）に協同する移動磁界を発生させる装置でもよい。 （もっと読む）

【解決手段】 ＥＰＤが低くなるような結晶成長プロセスを用いてウェハを製造するシステムおよび方法が開示されている。また、デバイス収率を高め得る第ＩＩＩ−Ｖ族／ＧａＡｓウェハを形成する、ウェハアニーリングプロセスが提供されている。一実装例によると、エッチピット密度（ＥＰＤ）が低い第ＩＩＩ族ベースの材料を製造する方法が提供される。さらに、当該方法は、多結晶第ＩＩＩ族ベース化合物を形成する段階と、当該多結晶第ＩＩＩ族ベース化合物を用いて垂直温度勾配凝固による結晶成長を実行する段階とを備える。その他の実装例は、第ＩＩＩ族ベース結晶を形成する際に温度勾配を制御して、エッチピット密度を非常に低くする段階を備えるとしてよい。 （もっと読む）

【課題】単結晶や多結晶を連続的に低コストで容易に良質に製造できる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】加熱炉１１内に配置された原料の入った坩堝本体１４と、坩堝本体１４内の原料を不活性ガス雰囲気中において酸化を防止するための、坩堝本体１４に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段２１と、坩堝本体１４内を前記原料の融点以上の温度に保つための坩堝本体の周囲に配設した加熱手段１３と、坩堝本体１４内の溶融原料９２を攪拌するための攪拌手段１０２と、坩堝本体１４の底部に形成した通孔１７から流下する精製した原料融液を収容する、坩堝本体の下部に配置した貯留槽とを備えた結晶製造装置において、坩堝本体の上部に浮遊するスラッジ９７を排出するための坩堝本体１４の側壁に引出口９４を備えた排出管９５と、坩堝本体１４の下部に配置した排出管の他端から排出される浮遊スラッジを収容するスラッジ槽９６とを有する結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】不純化合物析出物または不純化合物介在物、特に太陽電池の電気特性に影響を及ぼす炭化シリコンの形成を防止すること。
【解決手段】本発明の一態様は、結晶シリコン、特にはポリクリスタルシリコンまたはマルチクリスタルシリコンを製造する方法および装置であって、シリコン出発材料の溶融物が形成され続いてシリコン溶融物は方向性凝固により凝固される。シリコン溶融物の上方に気体、液体、または固体の形態で相または材料が提供され、シリコン溶融物中の酸素、炭素、または窒素から選択される外来原子の濃度、すなわち凝固された結晶シリコンが制御可能である、および／または酸素ガス、炭素ガス、および窒素ガス、または酸素、炭素、および窒素から選択された少なくとも１つの元素を含むガス種から選択されるガス成分の分圧が、シリコン溶融物の上方におけるガス相において調整可能および／または制御可能である。 （もっと読む）

【課題】単結晶や多結晶を連続的に低コストで容易に良質に製造できる結晶製造方法を提供する。
【解決手段】原料融解槽５１に原料供給手段５５，５６を介して原料を供給する工程と、前記原料融解槽５１に供給した原料を融解させて原料融液を生成する工程と、前記原料融解槽５１から坩堝本体に原料融液を供給する工程と、を有する結晶製造方法において、前記原料融解槽５１に原料供給手段５５，５６を介して原料を供給する工程および前記原料融解槽に供給した原料を融解させて原料融液を生成する工程が、原料を複数回に分けて供給するとともに、前記原料融解槽に原料を供給するつど融解させて原料融解槽５１内における所定量の原料融液を生成する工程からなる結晶製造方法。 （もっと読む）

【課題】高品質でかつ高収率のコランダム単結晶インゴットの育成方法を、このインゴットから作製された高輝度発光素子用の高品質かつ高収率のコランダム単結晶と共に提供する。
【解決手段】コランダムの単結晶を育成するに際し、原料を容器内に収納した後、該容器を炉内に導く一方、炉内には炉の上部を高温とし、下部に向けて 0.1〜10.0℃／mmの温度勾配を付与した領域を設けておき、該容器を炉の上部から下部に向けてこの温度勾配を付与した領域を移動させることによって、該容器内の原料を一方向に凝固させる。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い球状結晶を効率良く生産する方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】球状結晶３を作製するための原料粒を、開口の半径ｄが原料粒の球状溶融時の半径より大きい凹部２が設けられた台板１の凹部２にそれぞれ入れて加熱炉に導入し、原料粒を溶融させた後、凝固させることによって球状結晶３を作製する。原料粒はシリコンであり、台板１はアルミナ(Al2O3)、石英（SiO2）、窒化シリコン（Si3N4）、立方晶窒化硼素（BN）、六方晶窒化硼素（BN）、炭化シリコン（SiC）、グラファイト、マグネシア（MgO）耐高温材料の一種又は複数種から選定された材料からなり、台板１の凹部表面には、酸化シリコン膜（SiO2）、窒化シリコン膜（Si3N4）、酸窒化シリコン膜（SiON）の一種又は複数種から選定された膜を付着させる。 （もっと読む）