【課題】 るつぼ内で合成したＧａＡｓをるつぼの下部から，浮上させること無く，上部に向って固化させていくことができるＧａＡｓ多結晶の合成方法を提供する。
【解決手段】 略円筒形状のるつぼ内にＧａとＡｓと封止材を入れ，るつぼ内において，上方を封止材で封止した状態で，ＧａとＡｓを融解させてＧａＡｓを合成した後，るつぼ底面の均熱を保持しながら融解させたＧａＡｓをるつぼの下方から上方に向って固化させる。るつぼの下方から上方に向ってＧａＡｓを固化させるに際し，７℃／ｃｍ以上で上方に向って昇温する温度勾配をＧａＡｓの固液界面で形成させ，かつ，ＧａＡｓの固液界面の上昇速度を５ｍｍ／ｈｒ以上とする。 （もっと読む）

【課題】 るつぼ内に酸化ホウ素を充填した場合にも、ヒ化ガリウム結晶にへき開破壊が生じることを防止できるヒ化ガリウム結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 るつぼ１内に、予備合成されたヒ化ガリウム原料４と酸化ホウ素５とが充填され、そのるつぼ１内のヒ化ガリウム原料４が加熱溶融され、ヒ化ガリウム原料４の融液中のガリウムの量をヒ素の量よりも多くした状態でその融液の固化を完了して、カーボンが添加されたヒ化ガリウム結晶を成長させることにより、ヒ化ガリウム結晶が製造される。 （もっと読む）

【課題】 多結晶化を防止してフッ化カルシウムの単結晶を確実に育成することができる結晶育成ルツボ、結晶の製造方法及びフッ化カルシウム結晶を提供する。
【解決手段】 フッ化カルシウムを溶融して冷却することによりシードの結晶面に沿って結晶に育成するためのルツボであって、ルツボ内面が窒化ホウ素（BN）により構成されており、ルツボ内面と水滴との接触角が１５０°以下であることを特徴とするフッ化カルシウム結晶育成ルツボ、フッ化カルシウム結晶の製造方法及びフッ化カルシウム結晶。 （もっと読む）

【課題】 多結晶化を防止してフッ化カルシウムの単結晶を確実に育成することができる結晶育成ルツボ、結晶の製造方法及びフッ化カルシウム結晶を提供する。
【解決手段】 フッ化カルシウムを溶融して冷却することによりシードの結晶面に沿って結晶に育成するためのルツボであって、ルツボ内面がニオブカーバイト（NbC）により構成されており、ルツボ内面と水滴との接触角が１５０°以下であることを特徴とするフッ化カルシウム結晶育成ルツボ、フッ化カルシウム結晶の製造方法及びフッ化カルシウム結晶。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造時のパターン露光に使用する光リソグラフィー装置（ステッパー）用のレンズ材料や、各種エキシマレーザー装置用窓材などに使用する真空紫外光透過材料を得るためのフッ化物単結晶の製造法を提供する。
【解決手段】 ルツボ内凝固によるフッ化物の単結晶製造において、ルツボ下部に製造目的とする単結晶の成長面形状と同一の形状を有する種結晶を設置し、結晶成長中において成長面形状を変化させることなく、かつ、種結晶の結晶面方位を継承させた単結晶を得る。さらに、ルツボの底面を除く内壁材質がフッ化物よりも熱伝導度が小さい耐熱性断熱材で、ルツボおよび耐熱性断熱材の材質がカーボンである。 （もっと読む）

【課題】
【課題】本発明は、液相（４４）を凝固させることによって、単結晶の固相（４２）を製造する装置に関する。
【解決手段】その装置は、固相（４２）及び液相（４４）を収容するのに適し、その少なくとも一つの壁が液相と接触するように提供され、その固相は間隙（４３）によって分離されるるつぼ（４０）と、液相と固相との間の界面（４６）で温度勾配を作るために、液相を加熱する手段と、加熱手段とは別個であり、前記界面の位置で電磁圧を液相の接合表面（４８）に加えるための手段であって、るつぼを取り囲み、作動中に前記界面が形成されるエリアに向かい合って配置される少なくとも一つのターン（５０）を備える電磁界（５０）を発生させる手段とを含む。 （もっと読む）

本発明は、溶融物（１３）を加熱する抵抗ヒーターと、るつぼ（１１）内で交番磁界を生じさせる電界コイル（導体）とを通常備え、それによって電流を溶融物に通電させる液晶成長ユニットに関するものである。本発明によると、抵抗ヒーターが磁界コイルとして組み込まれ、言い換えると中空円筒体（１）によって形成され、その中に螺旋状で単一層の電流路が周縁スロット（２）によって形成される。本発明はユニットを加熱するために必要な電流を、移動磁界を発生させるためにも使用される。そのために、分離電界コイルまたは磁界用の分離電力供給部が必要である。コイル構成部として組み込まれる電界コイルのようにも作用する抵抗ヒーターは、高温抵抗であり、ユニットの熱コア、すなわち溶融領域を直接囲む。従って磁界を発生させるのに必要な寸法は、最小になる。磁界は結晶成長ユニットの外板壁を越えて広がることはなく、前記外板壁が通常の鉄外板として組み込みできる。

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キャスト法を用いたＳｉ系結晶の成長方法において、前記Ｓｉ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｓｉ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｓｉ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＳｉを含む結晶片１２を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１１内において、結晶片１２の上方にＳｉ原料１３を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１２を加熱して、結晶片１２の少なくとも一部が残存するようにＳｉ原料１３を溶解して、Ｓｉ融液１４を形成する。次いで、Ｓｉ融液１４を冷却及び凝固させることにより、結晶片１２の残部１２ＡからＳｉ系結晶を一方向成長させる。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れるとともに結晶中の転位が少なく均質な単結晶を低コストで得ることができる化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長容器１内に投入した化合物半導体原料６の表面と結晶成長容器１の内面との間に液体封止剤２を介在させた状態で、結晶成長容器１を、化合物半導体原料６の融点を含む範囲で温度勾配を設けた加熱炉７内で徐々に移動させて、加熱炉７における化合物半導体原料６の融点以上の温度部分で化合物半導体原料６を溶融させた後、融点以下の温度部分で化合物半導体単結晶５を成長させ、化合物半導体単結晶５の成長終了後、液体封止剤２及び化合物半導体単結晶５を２００℃から化合物半導体単結晶５の融点までの温度で加熱処理する。 （もっと読む）

【目的】 カーボン製の育成容器を用いて再現性良く育成容器と育成結晶との固着を防止できる硼酸リチウム単結晶の育成方法を提供する。
【構成】 グラファイトなどの六角平面格子を基本結晶構造とするカーボン、またはセルローズカーボン、グラッシーカーボンもしくはビトロカーボン等のガラス状硬質炭素などからなるカーボン製の育成容器４を用いて、種結晶２または育成結晶１と原料融液３との固液界面の温度よりも原料融液３の温度の方が高く、かつ原料融液３の最高温度が１００５℃以下、好ましくは９８５℃以下となるような温度勾配を設けながら垂直ブリッジマン法などにより結晶成長を行うようにした。
【効果】 歩留り良くクラックのない良質の硼酸リチウム単結晶が再現性良く得られる。 （もっと読む）