【課題】下地基板を融液に浸漬させることにより下地基板の表面上に形成される結晶薄板の生産を停止することなく安定した原料の追加供給を行なうことができ、また品質の劣化やばらつきを低減するとともに結晶薄板の製造歩留まりを向上することによって、結晶薄板の生産性を向上させることができる溶融炉を提供する。
【解決手段】融液を保持するための主坩堝と、主坩堝の融液を加熱するための主坩堝加熱装置と、主坩堝に供給される融液を保持するための副坩堝と、副坩堝の融液を加熱するための副坩堝加熱装置と、固体原料を投入するための固体原料投入装置と、副坩堝から主坩堝に融液を供給するための融液搬送部と、固体原料投入装置から副坩堝への固体原料の投入の有無を決定する固体原料投入制御装置とを備えた溶融炉である。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶の製造時のように２０００℃以上の高温での使用環境下において、開封部の形状変化を抑制した耐久性に優れたルツボを提供する。
【解決手段】タングステンまたはモリブデンを主成分とするルツボ本体部とルツボ本体部の側壁部５に融点２１００℃以上の金属または合金からなるリング状補強部材３を具備するルツボ１であって、前記リング状補強部材３は、タングステンまたはタングステンを主成分とする合金からなることが好ましく、また、ルツボ本体部の高さＬ１とリング状補強部材の高さＬ２の比（Ｌ２／Ｌ１）が０．００１〜１であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】例えば１０００℃以上の高温でガラス溶融を行った場合でも、イリジウムの揮発によるクラックを容易かつ十分に抑制することが可能なガラス製造用容器を提供する。
【解決手段】ＩｒまたはＩｒを含む合金からなり、ガラス融液と接触する内表面と、ガラス融液と接触しない外表面とを有する容器本体と、前記容器本体の外表面に電気的に接続されており、かつ、前記容器本体に電子を供与する電子供与性物質からなる電子供与体とを備えるガラス製造用容器であって、酸化性雰囲気下で使用されることを特徴とするガラス製造用容器。 （もっと読む）

【課題】寿命が長く、溶湯の品質を高く維持でき、しかも誘導加熱コイルが焼損する危険を低下させ、安全性の高い誘導加熱式アルミニウム溶解・保持炉を提供する。
【解決手段】コイル導体を適宜の間隔をおいて複数回巻回して円筒状の誘導加熱コイル２１を形成し、このコイル成形体の全体を耐熱性のキャスタブルセメントにより包み込んで成形して、全体が耐火性無機質セメント被覆層２５で覆われたほぼ円筒状の誘導加熱コイル成形体２０を形成し、この誘導加熱コイル成形体２０を炉枠内に固定的に設置し、前記円筒状の誘導加熱コイル成形体２０の中央空所に、磁性を有する鉄材で形成した鍋状のるつぼ１１を出し入れ可能に収納し、前記鉄材製るつぼの外周を前記誘導加熱コイル２１により取り囲む。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶の製造等、高温での使用環境下において、ふくれの発生を抑制した耐久性に優れたルツボを提供する。
【解決手段】高融点金属に酸素吸着金属粒子またはその酸化物粒子を分散させたことを特徴とするルツボ１であって、前記高融点金属はタングステン、モリブデンまたはタングステンモリブデン合金のいずれか１種であることが好ましく、また、前記酸素吸着金属粒子またはその酸化物粒子はチタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタルの金属粒子またはその酸化物のいずれか１種以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ルツボを築炉する際に、手間および時間を軽減することが可能な真空溶解装置と、その真空溶解装置で用いられるルツボユニットを提供すること。
【解決手段】真空吸引されるチャンバ２０内でコイル１２０に高周波電流を導通させて、鉄換算で５０ｋｇ以上の原料を誘導加熱して溶解するルツボユニットを有する真空溶解装置１０であって、コイル１２０の空芯部１２５に配置されると共に材質がセラミックスである外ルツボ１４０と、外ルツボ１４０の内筒部１４４に配置されると共に、材質をセラミックスとする内ルツボ１５０と、を具備し、内ルツボ１５０は、外ルツボ１４０よりも熱膨張係数が大きなセラミックスを材質として形成されていると共に、外ルツボ１４０の内筒面１４４ａと内ルツボ１５０の外周面１５３ａとの間の隙間寸法Ｓは、原料の溶解の際の熱膨張において外ルツボ１４０側から内ルツボ１５０側へ圧力を及ぼす状態に設定されている。 （もっと読む）

【課題】抵抗加熱ヒーターにより溶融物を加熱する溶融炉において、抵抗加熱ヒーターに流れている電流により磁場が発生し、この磁場が溶融物に作用して溶融物が回転することにより、ルツボの内面が不均一に削られることを防止できる加熱溶融炉を提供し、また、これを用いた加熱溶融方法を提供する。
【解決手段】ルツボの外壁面外側に抵抗加熱ヒーターが配設されて、前記抵抗加熱ヒーターから発生する磁場の影響を受け、ルツボ内に収容された溶融物がルツボの内壁側面に沿って回転する加熱溶融炉において、溶融物の回転方向を逆転させる手段を備えて、所望のタイミングで溶融物の回転方向を逆転させることができる加熱溶融炉であり、また、この加熱溶融炉を用いて、所望のタイミングで溶融物の回転方向を逆転させる加熱溶融方法である。 （もっと読む）

【課題】溶湯の品質が高く、かつ熱効率を高くでき、環境負荷のかからないアルミニウム溶解炉を提供する。
【解決手段】アルミニウム溶解原料を収容するるつぼ２１を、磁性を有する導電性金属により形成し、前記金属るつぼ２１の外周に誘導加熱コイル２２を設置し、前記誘導加熱コイル２２により前記金属るつぼ２１を誘導加熱し、前記金属るつぼ２１の発生する熱により前記金属るつぼ２１に収容されたアルミニウム溶解原料を加熱溶解する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系またはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｒｕ系の金属、およびＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＣｏＯ、Ｔａ₂Ｏ₅のうちのいずれか１つまたは複数の金属酸化物からなるターゲットから、工程数を少なくかつ不純物の混入を少なく金属を回収する。
【解決手段】ターゲット１を、貫通孔１２Ｂが底面にある上段ルツボ１２および該貫通孔１２Ｂの下に設けられた下段ルツボ１４を備えてなる２段ルツボ１０の該上段ルツボ１２内で、ターゲット１にＴｉＯ₂およびＴａ₂Ｏ₅のどちらも含まれない場合は１４００〜１７９０℃で加熱し、ターゲット１にＴｉＯ₂が含まれ、Ｔａ₂Ｏ₅が含まれない場合は１４００〜１６３０℃で加熱し、ターゲット１にＴａ₂Ｏ₅が含まれる場合は１４００〜１４６０℃で加熱して、溶融した前記金属を下段ルツボ１４内に流れ込ませて前記金属酸化物から分離する。 （もっと読む）

【課題】シリコン結晶のドーパントによる抵抗調整精度を向上し、結晶歩留向上と原材料費コストダウンとを実現することができるシリコン結晶成長用ルツボとその製造方法、及びシリコン結晶成長方法を提供する。
【解決手段】シリコン結晶成長用ルツボＣは、貯留するシリコン融液との接触面にシリコン含浸ＳｉＣ層Ｃ１、溌液層Ｃ２、石英ガラス層Ｃ３、カーボン層Ｃ４から構成され、シリコン含浸ＳｉＣ層Ｃ１の製造方法は、原料ＳｉＣ粉末を、シリコン融液を貯留する空間を有する形状に成形するＳｉＣ粉末成形工程と、成形されたＳｉＣ粉末成形体を焼成し多孔質ＳｉＣ層を形成する焼成工程と、多孔質ＳｉＣ層に溶融したシリコンを含浸させ、シリコン含浸ＳｉＣ層を形成するシリコン含浸工程とを有する。前記シリコン含浸工程は、シリコン結晶引き上げ前のシリコン原料を加熱溶融する時に行っても良い。 （もっと読む）