【課題】 温度センサーが燃焼ガスから直接影響を受けず、故障しにくいとともに、過昇温度になりにくく、信頼性の高い鍋底温度検出装置を提供する。
【解決手段】 下方から照射されるガス炎によって熱せられる鍋底に当接可能な集熱板２９と、上方開口縁部を前記鍋底に当接して前記集熱板２９を包囲するとともに、前記集熱板２９の下面から放射される赤外線が通過する空間を前記ガス炎から仕切る上方，下方防熱筒２６，２２と、前記上方，下方防熱筒２６，２２の下方側に位置し、前記上方，下方防熱筒２６，２２を通過した赤外線を受光して温度を検出する非接触温度センサー３０と、からなる。 （もっと読む）

【課題】 赤外線（温度）を検知する半導体装置として、赤外線を高感度に検知することができ、しかも低製造コストで製造可能な赤外線検出装置等を提供する。
【解決手段】 半導体装置５０は、測定対象物から放射された赤外線を吸収する赤外線吸収部５と、シリコン基板２上に形成され、赤外線吸収部５の温度変化を検知する温度検知部６とを有している。半導体基板２の表面近傍には、少なくとも部分的に多孔質シリコン層２５が形成されており、さらに、該多孔質シリコン層２５上には単結晶層４ａが形成されている。上記温度検知部６は、上記単結晶層４ａのうち、下部に上記多孔質シリコン層２５が存在している領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】赤外線センサにおいて、確実、簡便な真空封止による高感度化、低コスト化を実現する。
【解決手段】赤外線センサ１は、シリコン基板２上に形成され赤外線を受けて出力変化する赤外線センシング部５と、センシング部５を囲むようにガラスで形成された第１の構造体３と、第１の構造体３の上部に位置してシリコンで形成された第２の構造体４と、を備えている。センシング部５の形成されたシリコン基板２と第１の構造体３の接合部６、及び第１の構造体３と第２の構造体４の接合部７は、それぞれ陽極接合によって接合されている。センシング部５の形成されたシリコン基板２と第１の構造体３と第２の構造体４とによって囲まれた空間１０、すなわち、センシング部５を取り囲む空間１０が真空になっている。 （もっと読む）

【課題】 小型化及び部品点数の削減が図られた非接触温度センサ及びその出力調整方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る非接触温度センサ１００においては、入射孔１３２ａが形成された上ケース部１３０と、樹脂フィルム１５０が取り付けられた下ケース部１４０とが別体となっており、樹脂フィルム１５０の入射孔対応部分１５３にはサーミスタ１５２Ａが設けられている。そのため、上ケース部１３０と下ケース部１４０とを組み合わせる際、若しくは、上ケース部１３０と下ケース部１４０とを組み合わせた後に、入射孔１３２ａとサーミスタ１５２Ａとの相対位置を調整することができ、サーミスタ１５２Ａの出力を調整することが可能である。すなわち、この非接触温度センサ１００においては、特にネジ等の遮蔽部を用いることなく出力の調整をおこなうことができるため、小型化及び部品点数の削減が実現される。 （もっと読む）

【課題】 部品数を増やすことなく、簡単な構成で汚れの付着を抑制可能な非接触温度検出装置を提供する
【解決手段】 非接触温度検出装置２３は、赤外線感温式の非接触サーミスタ２４ａと、サーミスタ２４ａの周囲を覆って設けられた透明なケーシング２４ｂと、ケーシング２４ｂの外表面においてサーミスタ２４ａに赤外線が入射してくる部分に設けられた赤外線吸収フィルム２４ｃと、赤外線吸収フィルム２４ｃの表面に形成され光触媒機能を有する酸化チタンのコーティング膜２４ｄとを有している。赤外線吸収フィルム２４ｃに形成された酸化チタンのコーティング膜２４ｄに紫外線ダイオード２６から発せられた紫外線が照射し、光触媒機能によりコーティング膜２４ｄに付着したトナーなどを除去する。 （もっと読む）

【課題】 体格を小型化でき、且つ、保護膜としてゲルを適用した場合よりも赤外線センサの受光効率を向上できる赤外線センサ、赤外線式ガス検出器、及び赤外線光源を提供すること。
【解決手段】 基板１１０と、基板１１０に形成されたメンブレン１２０と、少なくとも一部がメンブレン１２０上に形成され、赤外線を受光したときに生じる温度変化に基づいて検出信号を発生する検出素子１３０と、検出素子１３０の少なくとも一部を被覆するようにメンブレン１２０上に形成された赤外線吸収膜１４０とを備える赤外線センサ１００において、検出素子１３０が、その端部に設けられたパッド部１１８を介して外部と電気的に接続された状態で、パッド部１１８及び赤外線吸収膜１４０を含む基板１１０の一面側全面を、パリレンからなる第２の保護膜１５０によって被覆した。 （もっと読む）

【課題】 遮光性の低い半導体基板の温度が低い状態においても正確な基板温度の測定及び半導体基板に対する高い精度の加熱を可能にする急速熱処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】 急速熱処理装置は、半導体基板を加熱する処理チェンバと、処理チェンバ内に配設され基板を支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板の表面側を光照射して加熱するランプ部と、基板の裏面側に配設され基板からの輻射光を受光する温度センサと、温度センサの出力結果に基づいて基板温度を算出する温度算出部と、温度算出部により算出された基板温度に基づいてランプ部の照射強度を制御するランプパワー制御部とを備える。ランプパワー制御部は、ランプ部を間欠的に点灯し、ランプ部を点灯していない時に温度センサの受光した輻射光に基づき算出した基板温度に応じて、ランプ部の照射強度を制御する。 （もっと読む）

【課題】 単一枚の半導体基板の表裏両面の有効活用により、製作コストの著しい低減化並びに薄型化、小型化を達成しつつ、検出性能の向上を実現することができるようにする。
【解決手段】 シリコン基板２の表裏面のうち一方の面に異種金属の接合によるサーモパイル７などを用いた赤外線センサ部３がダイヤフラム１１上に支持させて形成されているとともに、他方の面に光学干渉多層からなる受光波長選択用光学フィルタ４が形成されている。
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【課題】吸収膜で変換された熱の伝導方向に温接点自体が存在しないためサーモパイル出力が低であった。
また、熱電対及び温接点が存在しない部分の吸収膜に入射した赤外線の利用効率が低く、サーモパイル出力が低であった。さらにダイヤフラム寸法大のため歩留まり低であり、また、ダイヤフラム端からの距離に起因する出力差が大であった。さらには、隣接する検出域も出力が発生するクロストーク劣化が生じていた。
【解決手段】吸収膜下に位置する温接点を分散配置する。さらには、分散配置した温接点と電気的接続を有さないパターンを熱電対材料の何れか一方で形成し、吸収膜下に設ける。さらには、吸収膜間に冷接点を有すヒートシンクをプラズマエッチングで形成し、吸収膜下の温接点を分散配置乃至は分散配置した温接点と電気的接続が無いパターンを熱電対材料の何れか一方で形成する。 （もっと読む）

【課題】サーモパイル及びサーミスタには、製造段階で、製品毎にバラツキが発生する。完成品に内蔵するサーモパイル及びサーミスタの特性が完成品毎に異なることが予想される。また、組み立て段階の組み立てバラツキなどの影響もあり、完成品の測定精度を保障すると、安価で提供できないと言った問題点があった。

【解決手段】相対温度差を測定する受光部と、前記受光部の温度を測定する温度測定回路と、前記受光部の温度に前記監視領域毎との相対温度差を加え、該監視領域毎の温度を算出し、算出結果を出力する算出回路とを備え、測定する毎に、前記受光部の温度に応じて、前記算出結果を補正する。 （もっと読む）