説明

国際特許分類[G01J5/20]の内容

国際特許分類[G01J5/20]の下位に属する分類

国際特許分類[G01J5/20]に分類される特許

61 - 70 / 85


【課題】高感度化および応答速度の高速化を図れる赤外線センサを提供する。
【解決手段】ベース基板1と、赤外線を吸収するとともに該吸収による温度変化を検知する温度検知部3と、温度検知部3がベース基板1の一表面から離間して配置されるように温度検知部3を支持して温度検知部3とベース基板1とを熱絶縁する断熱部4とを備える。断熱部4は、ベース基板1の上記一表面から離間して配置されベース基板1側とは反対側に温度検知部3が積層される支持部41と、支持部41とベース基板1とを連結した2つの脚部42,42とを有している。支持部41は、厚み方向に離間した2層の熱絶縁層41a,41bを有し、両熱絶縁層41a,41b間の間隙41dを保つ形で両熱絶縁層41a,41bを連結した複数の連結部41dを有する。各熱絶縁層41a,41b、各連結部41d、各脚部42,42は、多孔質の酸化シリコンにより形成されている。 (もっと読む)


【課題】二本支持脚の熱分離構造を有する熱型赤外線固体撮像素子に関し、トータルの支持脚断面積及び不感領域を縮小でき、それによって高感度となる構造の熱型赤外線固体撮像素子の提供。
【解決手段】二本の支持脚の内、導電性配線包含支持脚4にボロメータ薄膜1に接続される第1層導電性配線2及び第2層導電性配線3を配置し、導電性配線無支持脚5はダイアフラム10を支持する役割のみとし、その断面積が変形を抑えるに足る最小値となるように脚幅を決める。また、対角に配置された二つのダイアフラム10の互いに隣接した側の一本の導電性配線包含支持脚4と一本の導電性配線無支持脚5とを一つの支持脚固着領域6で読出回路付Si基板15及び接続電極17に接続し、導電性配線包含支持脚4中の第1層導電性配線2及び第2層導電性配線3と接続電極17との電気的コンタクトを一つの支持脚固着領域6内に設ける。 (もっと読む)


【課題】本体装置(画像形成装置)の非稼動時に被加熱体(感光ドラム)の温度制御で消費される電力の削減を図る。
【解決手段】画像形成装置の稼動中には、トライアック905および通電制御手段(サーモパイル式温度センサ902、受け回路903、制御回路904)を使用して感光ドラム14の温度を制御し、これによって、所要の温度制御精度を確保する。一方、画像形成装置の非稼動時には、サーマルリードスイッチ906を使って感光ドラム14の温度を制御し、これによって、非稼動時の画像形成装置における電力消費を減少させることを可能にする。 (もっと読む)


【課題】周辺部から入射する外乱となる赤外線輻射を遮断することで赤外線計測精度が高く、小型、軽量、及び低価格な熱型赤外線検知器を提供する。
【解決手段】赤外線入射用開口部4を有する真空容器3に格納された赤外線検出素子2において、赤外線検出素子2上にアレイ状に配置された画素の間を仕切るようにしてマイクロシールド10を立設する。マイクロシールド10の高さは、画素間を結ぶ方向の厚さよりも大きく、赤外線入射用開口部4以外からの赤外線輻射を遮断するように設定する。そして、マイクロシールド10の温度を電子冷却素子7により一定に保つ。また、外部に電気的に接続可能な外部接続端子9と赤外線検出素子2とを1本のボンディングワイヤ19により直接接続する。 (もっと読む)


【課題】 モノリシックな集積回路の形態を採りながら高精度な温度検出が可能な、半導体装置、該半導体装置を有する赤外線センサ、及び上記半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板102上に形成した第1及び第2の電界効果トランジスタ110,120に対して上記半導体基板上に輻射線感受部130を形成した。よって、モノリシックな集積回路の形態であり、かつ従来に比べて簡易な構造であり、かつ上記輻射線感受部が輻射線を感受し第1及び第2の電界効果トランジスタを感熱センサとして機能させる。したがって、モノリシックな集積回路の形態を採りながら高精度な温度検出が可能である。 (もっと読む)


【課題】断熱性能に優れた小型化可能な赤外線センサユニットを提供する。
【解決手段】熱型赤外線センサとこれに対応する半導体装置とが共通の半導体基材上に形成された赤外線センサユニット。絶縁上層が半導体基材上に被覆されて、半導体基材の表層部に形成した半導体装置を覆う。熱型センサは、断熱支持部によって半導体装置の上方に支持されるセンサ台座に搭載され、センサ台座及び断熱支持部材は絶縁上層に積層された多孔質材料で形成される。 (もっと読む)


【課題】赤外線撮像装置の赤外線検知部の支持体の支持強度を上げることを目的とする。
【解決手段】シリコン基板の主面上に形成された空洞上にある絶縁部材に搭載された赤外線検知部と、この絶縁部材を空洞上に保持する橋部とを備え、この絶縁部材の断面形状が段差を有するようにした。そのため、絶縁部材の2次断面モーメントを大きくでき、赤外線検知部を支持する支持体として絶縁部材の剛性を上げることができる。この様な構造は振動に強く、監視用等の可搬型に好適な赤外線撮像装置を提供できる。 (もっと読む)


吸収メンブレン(1)が、少なくとも1つのハニカム構造体によって基板(2)に対してほぼ平行な仕方で基板(2)の前側フェース上に固定的に浮いた状態で設けられ、ハニカム構造体は、基板(2)のメンブレンを断熱すると共に基板(2)に対してほぼ垂直に位置した平面上に配置されている。ハニカム構造体をそれぞれアーム(3)の一つと基板(2)との間に設けるのがよい。ハニカム構造体は、横部材(7)によって又は薄い層で構成されている重ね合わせた列状のアーケードによって分離された複数の薄い重ね合わせ層(6)で構成されたものであるのがよい。ハニカム構造体は、多孔質プラグ要素を有するのがよい。
(もっと読む)


【課題】検出器の結果的な性能が、過剰な関連ノイズによって影響を受けず、ボロメータ材料の抵抗率によらずに有用な表面積を最大にする。
【解決手段】感応性の部分/膜は、抵抗率が温度により変化する感光材料(6)の層、ボロメータ検出器に関連する読出し回路と電気的に接続して一方で検出器のための電極として感光材料(6)に接触し、他方で電磁放射吸収材として働く第1の導電性素子、電磁放射吸収材としてのみ働く浮動電位における第2の導電性素子、を有する。又、感応性の部分と読出し回路への導電体を位置決めする少なくとも1つの支持領域(3)と、感応性の部分に各支持領域(3)を電気的及び機械的に接続する少なくとも1つの熱隔離構造(4)とを有する。導体素子群は、重ねられた2つの導電経路のネットワーク(5A,5B)として分布し、両ネットワークの第1のネットワーク(5A)は、全ての第1の導電性素子を有する。 (もっと読む)


【課題】ダイオードをヒータとして利用した経時変化が小さく、高速応答、高感度かつ高信頼性で低消費電力の超小型の温度測定装置を提供する。また、これを用いた小型の赤外線温度測定装置と流量計測装置、および流量のセンシング部の製作方法を提供する。
【解決手段】pn接合などの半導体のダイオード2に順方向電圧を印加して発熱させてヒータとして動作させると共に、このダイオード2を温度センサとしても利用する、または必要に応じて別に設けた個別温度センサで温度計測できるようにする。宙に浮いた半導体薄膜15にダイオード2を形成することにより、赤外線センサとしても低消費電力や高感度化を達成させる。液体の温度計測では、ダイオードを形成してある半導体薄膜を島状にして熱絶縁性基板に貼り付ける。 (もっと読む)


61 - 70 / 85