【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板の（０００１）面または（０００−１）面１ｃから＜１０−１０＞方向に１０°以上８０°以下で傾斜したＩＩＩ族窒化物結晶基板１。 （もっと読む）

【課題】使用後の軸受から、ラジアル荷重、アキシアル荷重、および回転回数を合理的に推定することのできる使用条件推定方法を提案する。
【解決手段】使用後の転がり軸受の回転輪と固定輪に対してＸ線分析を行い、このＸ線分析の結果から回転輪の最大転動体荷重の推定値を得ると共に、固定輪の任意の１点以上の位置での転動体荷重の推定値を得る（Ｓ１）。得られた回転輪の最大転動体荷重の推定値と固定輪の任意の１点以上の位置での転動体荷重の推定値とから軸受の負荷分布を推定する（Ｓ２）。この負荷分布と軸受における転動体と内外輪との接触角とから、ラジアル荷重とアキシアル荷重とを推定する（Ｓ３）。負荷分布と、負荷回数Ｎ、繰り返し応力Ｓ、Ｘ線分析で求まる半価幅ｗ(°）の関係を求めておいた結果とから、使用された回転回数を推定する（Ｓ４）。 （もっと読む）

【課題】複数の分光結晶を用いた波長分散型Ｘ線分析装置において表示されるＸ線スペクトルの視認性を上げると共に、エネルギー分散型Ｘ線分析装置で得られるＸスペクトルとの比較評価を容易にする。
【解決手段】各分光結晶（LiF, PET等）に対応したＸ線スペクトルに対し、分光範囲がオーバーラップする波長範囲内に適宜の切替波長を設定し、その前後でそれぞれスペクトルデータを選択する。これにより、同一波長に対するスペクトルは一意に決まる。また、分光結晶の分光範囲の波長幅や波長分解能に応じて、各測定波長範囲の波長目盛り間隔を適宜に設定する。波長分解能が低い長波長側では波長軸が圧縮される。これにより、グラフ上、各分光結晶に対応した測定波長範囲の表示幅が略同一になり、目盛り間隔も極端に変化しないので、分析者にとって違和感が少ない視認性の高いＸ線スペクトルとなる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折測定により結晶構造を評価する際、反射指数ｈｋｌ依存性を用いて、ピーク拡がり要因を簡便に解析、同定する結晶の構造解析方法を提供する。
【解決手段】ピークの中心部分のピーク拡がり形状は受光系開口角に依存しない不変な形状になっているが、ピークの中心部分から離れた位置に、受光系開口角に依存してピーク形状が変化するサブピークが現れる場合、広開口角条件(w/o slit)で測定したｈｋｌ反射プロファイルにおいてサブピークが観測されず、狭開口角条件(with slit)で測定したｈｋｌ反射プロファイルにおいてサブピークが観測されることを確認することにより、大きなｔｗｉｓｔ角の差を有する領域に関して、サブピークの要因として、ｔｗｉｓｔ角の差以外の要因の寄与も存在することを判定する。 （もっと読む）

【課題】 多量の反応ガスを流しながらＸ線回折で試料（亜鉛フェライト脱硫剤）の反応過程（炭素析出）をその場で観察する。
【解決手段】 試料を流通する前と流通した後の反応ガスの組成が変化しない状態に試料２１を保持する微分反応評価試料保持部１５を備え、検証条件を保持した状態でＸ線回折装置（Ｘ線発生手段２５、二次元Ｘ線検出手段２６）により試料２１の組成の形態変化をその場で直接解析し、炭素の析出が生じる過程での形態変化を検証する。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内に実装された半導体チップの反り応力を、パッケージを破壊することなくＸ線を用いて測定する方法と装置およびプログラム等を提供する。
【解決手段】単結晶基板をパッケージ材料で封止した部品にＸ線を照射し、前記単結晶基板からの回折Ｘ線を前記パッケージ材料越しに検出し、前記検出ステップの結果を用いて前記単結晶基板の応力を求める。 （もっと読む）

【課題】高温測定が可能であり且つ繰り返して使用することができる試料ホルダを提供することを課題とする。
【解決手段】図（ａ）に示すように、ヒータ収納凹部２１へヒータ１５を入れ、下蓋１４を被せ、第２ボルト３５で固定する。これで、（ｂ）に示す形態のヒータ付き試料ホルダ１０が完成する。
【効果】Ｘ線透過部材３１は金属であるため、皺が寄ったり劣化する心配が無く、繰り返し使用することができると共に高温にも耐える。したがって、本発明によれば、普通のＸ線回析計測装置を用いるにも拘わらず高温測定が可能であり且つ繰り返して使用することができる試料ホルダが提供される。 （もっと読む）

【課題】１回の電子線スキャンにより測定可能とする、試料損傷のないＥＰＭＡ分析におけるバックグラウンド補正方法。
【解決手段】マッピング領域に目的元素が存在しない部位を入れる第１のステップと、二つの同種の分光結晶のうち、一方を目的元素の特性Ｘ線波長λ_Aに、他方を近傍のバックグラウンド波長λ_Bに設定し、マッピング測定してＸ線カウントデータＩ_A,Ｉ_Bを得る第２のステップと、上記Ｘ線カウントデータＩ_A及びＩ_Bから、α＝Ｉ_A／Ｉ_Bの式から補正係数αを求める第３のステップとからなり、上記第１から第３のステップを経て、ＥＰＭＡ分析のバックグラウンド補正係数αを求め、全マッピング領域において、目的元素の特性Ｘ線波長λ_AについてのＸ線カウントデータＩ_Aに対して、Ｉ_A−Ｉ_B×αの式を用いて得られた値を目的元素のＸ線信号とし、更に、該Ｘ線信号のデータから、別に測定した検量線を用いて目的元素の濃度のマッピングデータを得る方法。 （もっと読む）

【課題】試料や試料の所望位置に、Ｘ線を、短時間で精度良く照射させることができるＸ線分析装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線分析装置１００は、Ｘ線マイクロビーム３を形成する集光装置２と、Ｘ線マイクロビームが照射された微小照射点を含んだ試料表面観察する観察用カメラ１０と、微小照射点から発生したＸ線マイクロビームを検出するＸ線検出器９と、試料を搭載している回転ステージ４と、回転ステージに載置されている第１並進駆動ステージ６と、回転ステージを上方に載置している第２並進駆動ステージ５と、観察用カメラを搭載している第１位置調整装置と、Ｘ線検出器を搭載している第２位置調整装置とを備えたＸ線分析装置であって、微小照射点が表面に位置するように配置されており、測定用試料の仮試料である基板７を備え、基板が、表面上に、基板の密度と異なる密度を有する微細な線模様を有している。 （もっと読む）

【課題】接合された異種材料の界面を破壊することなく、その界面における結晶性物質の分析を行うことができるＸ線回折法を提供する。
【解決手段】異種材料の接合界面に存在する結晶性物質を同定するＸ線回折法で、次の過程を備える。異種材料の接合界面のうち、その断面が曲線で表される領域を分析対象面とする試料SをＸ線照射源10と回折線検出器30との間に配置する過程。照射源10から、分析対象面に対して、前記曲線の接線方向にＸ線52を照射する過程。このＸ線52の照射に伴って発生する回折線54を回折線検出器30で検出する過程。Ｘ線を分析対象面の接線方向に照射することで、非破壊状態の分析対象面から回折線を的確に検知することができる。 （もっと読む）