【課題】検量線を短時間に容易に作成できるようにして、定量分析を短時間に容易に行うことができるようにする。
【解決手段】被検試料をスキャン読取りすることによって回折強度プロファイルを求め、そのプロファイルに含まれているピーク波形の積分量を求め、検量線に基づいてその積分量から含有量を判定する定量分析方法である。含有量既知の標準試料に対して広いスキャン範囲（１１．０°≦２θ≦１３．２°）で所定の読取りステップ幅（０．０２°）で測定を行って回折線プロファイルＰ１〜Ｐ５を求め、その読取りステップ幅ごとの測定量（Ｉ）を標準試料ごとに記憶し、被検試料の測定結果に基づいて定量測定スキャン範囲を決め、記憶した標準試料についてのステップ幅ごとの強度データについて、定量測定スキャン範囲と同じ範囲（γ≦２θ≦δ）の積分値を演算によって求め、その積分値と標準試料の既知の含有量とによって検量線を求める。 （もっと読む）

【課題】基底基準吸収回折法による定量法において基底板から正確な回折線強度情報を得ることを可能にすることにより、極めて正確な検量を行うことができるＸ線回折定量装置を提供する。
【解決手段】物質Ｓの重量をＸ線を用いて測定するＸ線回折定量装置において、物質Ｓを物質保持領域Ａｓ内に保持するフィルタ３３と、物質Ｓに照射するＸ線を発生するＸ線源Ｆと、物質Ｓで回折した回折Ｘ線を検出するＸ線検出器２０と、フィルタ３３におけるＸ線照射面の反対側に設けられ物質保持領域Ａｓよりも小さい基底板３１と、Ｘ線源Ｆから見てフィルタ３３の背面側の領域であり且つ基底板３１の外周側面の周りの領域に設けられた空間領域４１とを有するＸ線回折定量装置である。基底板３１の周囲に空間領域４１を設けたことにより、空間領域４１を形成している試料板２９Ｃからの回折線によって基底板３１からの回折線に誤差変動が生じることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】迅速に、かつ簡便な方法で石炭灰のポゾラン活性を評価することのできる石炭灰の評価方法を提供する。
【解決手段】本発明の石炭灰の評価方法は、粉末Ｘ線回折に基づく検量線法や粉末Ｘ線回折に基づくプロファイルフィッティング法等で石炭灰に含まれるガラス量と、レーザー回折・散乱法により測定した粒度分布より当該石炭灰の比表面積とを算出し、当該ガラス量と比表面積とを乗じた積の値を指標として、当該石炭灰のポゾラン活性を評価する。 （もっと読む）

【課題】薄膜結晶についても容易に表面形状や結晶性を評価可能な技術を提供する。
【解決手段】Ｘ線波面センサは、入射されるＸ線を複数の光束に分割する波面分割素子と、各光束を試料の異なる領域に照射し、それぞれの反射光を干渉させて検出する計測器とを備える。例えば、Ｘ線発生装置１０から入射されるＸ線をＸ線プリズム１２によって波面分割し、一方の光束はそのまま試料１４に当て反射光を検出器１６で検出する。もう一方の光束は、Ｘ線プリズム１５によって偏向して試料１４に当て反射光を検出器１６で検出する。検出器１６に現れる干渉縞の向きや間隔から、試料結晶１４の表面形状や結晶性の評価が可能となる。 （もっと読む）

【課題】試料の構造の局所的な不均一性を評価する。
【解決手段】Ｘ線照射部１０はコヒーレントなＸ線を発生し、照射Ｘ線１１として試料１２の局所的な領域に照射する。そして、散乱Ｘ線検出部１４は試料１２からの散乱Ｘ線１１ａの散乱強度を検出する。この時検出される散乱強度の分布は、試料１２の膜厚、密度および表面・界面のラフネスや結晶方位といった構造が不均一である場合、その不均一性を反映したスペックルとなる。演算部１６は、このスペックルに基づいて、試料１２からの散乱Ｘ線１１ａの散乱強度の不均一さを表すパラメータを算出し、試料１２の構造の不均一性の指標とする。 （もっと読む）

【課題】平行ビーム法を用いたＸ線回折法において、角度分解能が優れていて、Ｘ線強度の低下が少なく、構造が簡素化されたＸ線回折装置およびＸ線回折方法を提供する。
【解決手段】平行ビームのＸ線２４を試料２６に照射して、試料２６からの回折Ｘ線２８をミラー１８で反射させてからＸ線検出器２０で検出する。ミラー１８の反射面の形状は、試料２６の表面上に中心を有する等角螺旋である。反射に寄与する結晶格子面は、反射面上の任意の地点で反射面に平行になっている。Ｘ線検出器２０は、回折平面に平行な平面内において１次元の位置感応型である。そして、ミラー１８の反射面上の複数の異なる地点からの反射Ｘ線が、Ｘ線検出器２０の複数の異なる地点にそれぞれ到達するように、ミラー１８とＸ線検出器２０との相対位置関係が定められている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系試料に対してＸ線回折測定をすることにより、同材料系で重要となるtwist 分布の存在を判定する。
【解決手段】ＧａＮ系試料に対してＸ線回折測定をし、選択した複数の異なる反射指数hklごとのhklプロファイルを求める。選択した反射指数hklで特定される反射指数hkl面と試料の表面とでなす角度を面角度θｃとし、各hklプロファイルの
横軸であるスキャン角度Δθをsinθｃで割って、hklプロファイルの横軸をΔθ／sinθｃに規格化しなおして、複数の選択した反射指数hklごとの再規格化したhklプロファイルを求める。複数の再規格化したhklプロファイルを、それぞれのピーク頂点をそろえる状態にして重ね、このようにして重ねた複数の再規格化したhklプロファイルのピーク拡がり形状が一致する場合には、hklプロファイルのピーク拡がり形状は、結晶のモザイク性により生じる局所的なtwist 分布に起因して生じるピーク拡がり形状であると判定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素単結晶ウェハから炭化珪素半導体素子を製造するに際し、ウェハ面における特定の基底面内欠陥を他の転位や積層欠陥と識別することによりその位置及びその種類を非破壊的に特定し、これに基づいて、結晶欠陥による素子特性への影響がない炭化珪素半導体素子を製造することを目的としている。
【解決手段】炭化珪素単結晶ウェハのウェハ面内における反射Ｘ線トポグラフィー測定を行い、これにより得られた、ウェハ面内におけるＸ線回折データから、特定の回折パターンを識別することにより特定の基底面内欠陥を非破壊的に検出し、得られたウェハ面内における該基底面内欠陥の位置情報を取得することを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハの欠陥検出方法、及び、該欠陥検出方法を用いた炭化珪素半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】数〜数十原子層の膜厚からなる絶縁体層の膜厚に関して汎用性を損なうことなく測定精度を向上させた膜厚測定方法、及びその膜厚測定方法を用いて絶縁障壁層の膜厚を制御する磁気デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】測定対象層１１と、測定対象層１１と異なる電子密度を有するスペーサ層１２とが基板Ｓの上に交互に積層された測定試料１０に対してＸ線を照射して小角度のスキャンを行うことにより測定試料１０のＸ線回折スペクトルを測定する。そして、Ｘ線の波長をλ、Ｘ線回折スペクトルに基づくｎ次の回折角をθ_ｎ、Ｘ線回折スペクトルに基づくｍ次の回折角をθ_ｍ、スペーサ層１２の膜厚をスペーサ膜厚Ｔ_ｒとするとき、測定対象層１１の対象膜厚Ｔ_ｐを式（１）に基づいて測定する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折法に基づいて硬組織を評価する際に、硬組織を破壊することなく測定を行うことができるようにし、もって、硬組織の評価を簡単且つ短時間で行えるようにする。
【解決手段】Ｘ線源１から出射したＸ線を硬組織４に入射させ、硬組織４で回折して硬組織４の透過側に出射したＸ線をＸ線検出器５で検出する硬組織の評価方法である。Ｘ線源１はＭｏＫα線以上のエネルギを有する特性Ｘ線を発生し、硬組織４は自身の長手方向にｃ軸配向した性質を有し、硬組織４は自身の長手方向がＸ線の光軸と交差するように配置され、Ｘ線検出器５はｃ軸に対応する格子面である（００２）面で回折した回折線の子午線Ａ−Ａ方向の強度を検出し、さらにＸ線検出器５は参照面である（３１０）面で回折した回折線の子午線Ａ−Ａ方向の強度を検出し、参照面と（００２）面の回折線強度との比較に基づいて硬組織を評価する。 （もっと読む）