【課題】、マスク上の欠陥とそれがウェハに及ぼす影響、修正による改善の程度まで推定可能な欠陥推定装置と欠陥推定方法を提供する。欠陥判定処理を容易にし、マスク上の欠陥とウェハ像への波及を推定可能な検査装置と検査方法を提供する。
【解決手段】マスク検査結果２０５のうち、欠陥箇所のマスク採取データは、模擬修正回路３００に送られて模擬修正が行われる。模擬修正されたマスク採取データは、マスク検査結果２０５に戻された後、対応する箇所の参照画像とともにウェハ転写シミュレータ４００に送られる。ウェハ転写シミュレータ４００で推定されたウェハ転写像は比較回路３０１に送られ、比較回路３０１で欠陥と判定されると、その座標と、欠陥判定の根拠となったウェハ転写像とが、転写像検査結果２０６として保存される。マスク検査結果２０５と転写像検査結果２０６はレビュー装置５００に送られる。 （もっと読む）

【課題】焼結鍛造体の粒界空孔部と粒界酸化部とからなる未焼結部の全体に対する比率、すなわち未焼結部面積率を正確に演算・測定すること。
【解決手段】測定ワーク（Ｓ１）の焼結鍛造体から走査型電子顕微鏡で撮像・取得される（Ｓ２）焼結鍛造面の画像を、二次電子像及び反射電子組成像によって表示する。そして、二次電子像及び反射電子組成像のそれぞれから、粒界空孔部と粒界酸化部とを判別する。これらは未焼結部である。このようにして判別された未焼結部を黒色に、その他の部分、即ち焼結部を白色にする（Ｓ３）。さらに、画像処理（Ｓ４）によって、黒色部分の面積が取得画像の面積を占める割合を演算する（Ｓ５）。この演算結果が、当該焼結鍛造体の未焼結部の面積率を指す。 （もっと読む）

【課題】本発明はＸ線顕微鏡及びＸ線を用いた顕微方法に関し、Ｘ線画像の分解能を向上させることができるＸ線顕微鏡及びＸ線を用いた顕微方法を提供することを目的としている。
【解決手段】電子ビームＥＢを集束して照射する電子ビーム照射手段と、該電子ビーム照射手段からの集束電子ビームの照射に応じてＸ線発生源となる薄膜１１と、該薄膜１１の第１の面に照射された集束電子ビームによって該薄膜１１から発生するＸ線１３を検出するＸ線検出手段８とを有し、前記薄膜１１の第２の面に接して配置された試料７を透過したＸ線１３を前記Ｘ線検出手段８により検出するように構成する。 （もっと読む）

【課題】欠陥の検出精度を下げることなく、欠陥検出に用いる信号を取得されるまでの時間を短縮する。
【解決手段】一ピクセル当たりに照射する荷電ビームの点数を減少させることによってサンプリングに要する時間を短縮すると共にサンプリング点を補間し、サンプリング点と補間点から検出強度を算出する。荷電ビーム照射によりパネル上のサンプリング点の信号強度を検出する検出工程と、検出したサンプリング点の信号強度を用いて、サンプリング点の近傍の補間点の信号強度を補間する補間工程と、パネルのピクセルに対してサンプリング点および補間点を対応付け、各ピクセルに対応付けられたサンプリング点および補間点の中から欠陥検出に用いる信号点を抽出する抽出工程と、抽出工程で抽出したサンプリング点の信号強度および補間点の信号強度を用いて各ピクセルについて一つの信号強度を算出する信号強度算出工程を備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画像を利用したパターン計測において、計測対象のパターンに比較的大きな欠陥が含まれている場合でも、基準パターンとのマッチングを高精度に実施することができるパターン評価方法及びパターン評価装置。
【解決手段】基準パターン画像及び計測対象パターン画像から、各パターンの輪郭線を抽出し、抽出した各パターンの輪郭線からパターンのコーナー部分や欠陥部分などに相当するノイズ領域を除去してパターンマッチング用輪郭線を生成する。続いて、基準パターンのパターンマッチング用輪郭線と、計測対象パターンのパターンマッチング用輪郭線とのマッチングを行い、マッチングした位置で元の輪郭線同士を重ね合わせ表示する。そして、その重ね合わせ画像から、基準パターンと計測対象パターンとの差分を計測する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。
【解決手段】半導体ウェファは検査されて欠陥を探し出される。そして、探し出された欠陥に対応する位置が欠陥ファイルに格納される。複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。その欠陥が自動的に特定され、欠陥の荷電粒子ビーム画像が得られる。そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。次いで、欠陥の更なる分析のためにレシピが決められる。このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。そのカット位置は荷電粒子ビーム画像の分析に基づく。最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームで形成した観察面に荷電粒子ビームを照射し、観察像を取得し、観察面を保持したまま、さらに透過可能になるように薄片化加工を行うことで、同一観察位置のＴＥＭ観察と二次粒子像観察を図ること。
【解決手段】集束イオンビーム３を試料５に照射し観察面を形成し、電子ビーム４を観察面に照射し、観察像を形成し、試料５の観察面と反対側の面を除去し、観察面を含む薄片部５ｔを形成し、薄片部５ｔの透過電子像を取得する試料加工観察方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、ＣＤ−ＳＥＭが用いられているが、ＣＤ−ＳＥＭの自動測定機能は１次元対応で、２次元形状は、ＣＤ−ＳＥＭや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部１２と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体の微細化、プロセスの複雑化に伴いプロセスのマージンは減り、プロセスの条件出しが難しくなっているため半導体の開発初期においてはウェーハ全面において良品チップが存在しない場合があり、定点検査を実行する場合において、比較検査のための適切な基準画像を撮像することができないという課題を解決する技術を提供する。
【解決手段】複数チップの定点検査画像を用いて平均化画像を生成し、定点位置に対応する回路デザインに関する情報を用いて平均化画像を評価し、平均化画像を基準画像とするか否かを決定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡便な操作により高い精度で、セメントモルタルの圧縮強さを推定する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、試料作成工程と、水和率算出工程と、圧縮強さ推定工程からなるセメントモルタルの圧縮強さの推定方法であり、前記の水和率算出工程が、セメントペースト硬化体の反射電子像から求めた未水和の水硬性粒子の面積率を下記式に代入して、水硬性粒子の水和率を算出するセメントモルタルの圧縮強さの推定方法をも含む。
Ｒ_ｔ＝{１−（Ｓ_ｉ−Ｓ_ｔ）／Ｓ_ｉ}×１００
但し、Ｒ_ｔ；材齢ｔ日の水硬性粒子の水和率（％）
Ｓ_ｉ；水和率ゼロの未水和の水硬性粒子の面積率（％）
Ｓ_ｔ；材齢ｔ日の未水和の水硬性粒子の面積率（％）
また、前記のセメントが高炉セメントであるセメントモルタルの圧縮強さの推定方法をも含む。 （もっと読む）