【課題】
デバイス等の不良原因となる数μｍ程度の有機微小異物をＳＥＭ中で高感度に分析できる質量分析手法を提供することを目的とする。
【解決手段】
ＳＥＭチャンバ内に、微小試料を加熱するための加熱機構、気化した試料を分析するための質量分析計を取り付ける。こうすることにより、ＳＥＭ中で観察した異物をＳＥＭの真空チャンバから取り出すことなく、そのまま微小有機異物の質量分析が可能となる。またＥＤＸとの併用で無機／有機異物ともに同定可能となり、異物分析を高スループットに行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハに形成された半導体チップのメモリマット部の最周辺部まで高感度に欠陥判定できる検査装置およびその検査方法を提供する。
【解決手段】所定パターンがＸ方向，Ｙ方向ないしＸＹ両方向に所定のピッチで繰返し形成された回路パターンの形成領域を備えるダイの画像を取得して欠陥を判定する回路パターン検査装置において、前記取得された回路パターンの画像を記憶する画像メモリと、該画像メモリに記憶された画像を、当該画像データを前記Ｘ方向，前記Ｙ方向ないし前記ＸＹ両方向のいずれかの方向に加算平均して得られる加算平均画像と比較して差分画像を生成し、該差分画像の差分値が予め定められたしきい値より大きい領域を欠陥と判定するプロセッサエレメントと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 高抵抗体の帯電特性評価をミクロンスケールで行うことのできる高抵抗体の帯電特性評価装置、帯電特性評価方法および帯電特性評価プログラムを得る。
【解決手段】 真空内に載置された高抵抗体の帯電特性の均一性を評価する帯電特性評価装置。高抵抗体を帯電させる電子銃２と、２次電子検出器７０と、検出された２次電子を潜像画像データに変換する画像データ変換部８２と、変換された潜像画像データを２値化する２値化部８３と、２値化された潜像画像データのうち明部の画素数を計測する明部画素カウント部８４と、計測手段による計測結果に基づいて高抵抗体の帯電特性の均一性を評価するコンピュータと、を有する。 （もっと読む）

【課題】 速やかにかつ簡便に絶縁性無機材料の焼結体の組織観察を行うことができる組織観察方法を提供する。
【解決手段】 本発明の組織観察方法は、鏡面研磨された焼結体である試料の表面に導電性コーティング層を形成する第一ステップ（ステップＳ４）と、集束イオンビームによって、前記表面に形成された前記導電性コーティング層の一部を除去することで前記試料の表面の一部が露出した観察面を形成する第二ステップ（ステップＳ５）と、走査型イオン顕微鏡による二次電子像で、前記観察面を観察する第三ステップ（ステップＳ６）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】試料表面の分析部位における元素の挙動を解析するに際し、試料表面の分析部位の温度を簡便に素早く、精度良く測定する。
【解決手段】集束イオンビームを用いる微細部位解析装置において、イオン種がGaのGa集束イオンビーム３の前照射によって試料４の表面に注入されたGaを、試料４の表面温度の測定のための参照元素とし、分析時の試料４の表面の微細部位の温度を決定する。予め適当な試料４の表面温度毎にGa集束イオンビーム３を一定量試料４に前照射することにより試料４から放出された２次Gaイオンの収量を測定して、試料４の表面温度に対する２次Gaイオンの収量の関係を得る。この関係を一度調べれば、複数の試料４の分析時に、２次Gaイオンの収量を測定することで、試料４の表面の微細部位における温度を決定することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッジの変形、或いはコントラストの変動等に依らず、高精度にパターンマッチングを行うパターンマッチング方法，画像処理装置、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、以下に設計データに基づいて形成されたテンプレートを用いて、画像上でパターンマッチングを実行するパターンマッチング方法、或いは装置であって、パターンの輪郭を定義する線分によって、区分けされる内側領域、及び／又は外側領域について、画像の特徴量を求め、当該特徴量が所定の条件を満たした位置をマッチング位置，マッチング位置候補、或いは誤ったマッチング位置と決定するパターンマッチング方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】
既製のInfiniBand（Ｒ）制御を用いる画像分配制御部は、単一ＣＰＵ上のＯＳでバッファメモリ制御と分配処理を行うため、競合が発生し分配レイテンシが変動してしまい、半導体外観検査装置には適用不可であった。
【解決手段】
検査部と、検出部と、前記検出部で検出された反射光に基づく画像を処理して該被検査対象の表面を検査する処理部とを備えた半導体検査装置であって、前記処理部は、該画像を分配する画像分配制御部と前記画像分配制御部により分配された画像を処理する画像処理部とを備え、前記画像分配制御部は、該画像の入力画像量をカウントする画像バッファカウンタと、該画像に関する情報を格納する分配制御テーブルと、入力画像量と前記分配制御テーブルからの該画像に関する情報に基づき該画像の分配開始タイミングを決定する分配タイミング制御回路と、を有することを特徴とする半導体検査装置である。 （もっと読む）

【課題】核燃料棒上のクラッドの分析を遂行する方法の提供。
【解決手段】核燃料棒上のクラッドフレークの断面の分析方法であって、該フレークの結晶のモルホロジーを決定し、該フレークの結晶のサイズを決定し、該フレークの様々な場所における該フレークの元素分布を相関させ、しかもこれらの分布はエネルギー分散型分光器が取り付けられた走査電子顕微鏡でもって得られ、該元素分布により該結晶中の化学元素を決定し、そして鉄濃縮の減損並びに亜鉛及びケイ素の濃縮を該結晶のサイズ及びモルホロジーと相関させることを含む方法。 （もっと読む）

【課題】非破壊かつ高空間分解能で、試料の表面付近に存在する軽元素の面内分布を測定する。
【解決手段】試料１０にイオンビーム１３を間欠的に入射させ、試料から放出されるイオン・粒子をその入射に同期して検出１４する、すなわち飛行時間分析することによって、試料表面に存在する軽元素（特に水素、リチウム）の分析を行う。また、試料表面の各点での分析結果をマッピングすることで、試料表面における注目元素の空間分布を可視化して表示することができる。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンのサイズエラーの検出を可能とするパターン検査装置を提供する。
【解決手段】設計データに基づきパターンが形成された試料を撮像する画像取得部１０と、設計データから展開画像を生成する展開画像生成部２２と、展開画像を参照画像生成モデルに入力して参照画像を生成する参照画像生成部２４であって、モデルパラメータを被検査画像と参照画像との間で画素の階調値の差が最小化されるよう最適化する参照画像生成部と、参照画像の基準パターンの測定値と、被検査画像の基準パターンの測定値から求められた基準パターンの変換差を用いて、参照画像と被検査画像のいずれか一方の被検査パターンの測定値を補正し、補正された参照画像の被検査パターンの測定値と、被検査画像の被検査パターンの測定値とを比較し欠陥の有無を検出する。 （もっと読む）