【課題】本発明の目的は、試料を透過した電子を用いて観察するＴＥＭやＳＴＥＭ、或いはＳＥＭにおいて、画像のサブミクロンから数１０μｍの微小寸法を高い精度で測定可能にする荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供することにある。
【解決手段】本発明では、上記目的を達成するために、倍率、或いは寸法校正のための異なる２つの試料が含まれている荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】欠陥を高精度に検出すること。
【解決手段】半導体基板から第１の仰角で放出される第１の二次電子の量と前記第１の仰角と異なる第２の仰角で放出される第２の二次電子の量とを個別に検出する。そして、前記検出した第１および第２の二次電子の量から夫々電位コントラスト画像を作成する。そして、前記作成した夫々の電位コントラスト画像の合成比率を決定し、前記第１および第２の二次電子の量から夫々作成した電位コントラスト画像を前記決定した合成比率で合成する。そして、前記合成された電位コントラスト画像を参照画像と比較することによって欠陥を抽出する。合成比率を決定する際、配線間の底部の輝度を求め前記求めた輝度が所定の基準値を越えるか否かを判定する。前記求めた輝度が所定の基準値を越えなかった場合、合成比率を変更する。 （もっと読む）

【課題】 製造ラインに新たな製品種別が追加された場合であっても、比較的容易にしきい値を決定することができる欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】 ウエハの表面にレーザビームを入射させて、該表面からの散乱光の強度分布に基づいて欠陥を検出し、検出された欠陥に起因する散乱光の強度と判定しきい値とを比較して、比較結果に基づいて欠陥が計数される。まず、（ａ）第１の工程の処理が終了した第１の製品種別のウエハの欠陥検査要求があると、該第１の製品種別の該第１の工程に関連付けられた判定しきい値が既に登録されているか否かを判定する。（ｂ）工程ａで、判定しきい値が既に登録されていると判定された場合には、既に登録されている判定しきい値に基づいて欠陥を計数し、まだ登録されていないと判定された場合には、新に判定しきい値を決定して欠陥を計数するとともに、新に決定された判定しきい値を、第１の製品種別の第１の工程に関連付けて登録する。 （もっと読む）

【課題】
従来のパターン検査では、検査画像と参照画像とを比較し差分値に対して欠陥判定しきい値を用いて欠陥を検出する。欠陥は特定の回路パターン部にのみ発生するが、従来方法では位置によらない検査のため虚報が発生し、高感度検査が困難であった。
【解決手段】
予めＧＰ画像を取得し、ＧＰ画像に対して検査箇所及び閾値マップをＧＵＩ上で指定し、欠陥の識別基準を設定し、次に検査画像を取得し、検査画像に識別基準を適用し欠陥を識別することでパターン検査を行い高感度検査を可能にした。 （もっと読む）

【課題】試料台とその上に被せられる蓋体を有する試料導入用ホルダーであって、分析の際に、分析装置の外部からの操作を要せずに、蓋を取外して試料を開放することができる試料導入用ホルダーを提供する。
【解決手段】分析用試料を保持する試料台及びこの試料台に被せられる蓋体を有し、前記試料台と蓋体により試料及びガスを包含する空間を形成し、前記空間内と蓋体外部との圧力差が所定値以下では、前記空間内と蓋体外部間が雰囲気遮断状態となるように、試料台と蓋体がかん合しており、かつ前記かん合における試料台と蓋体間の接着力が、前記圧力差が前記所定値を超えたとき前記圧力差により蓋体が試料台上から除去される大きさであることを特徴とする試料導入用ホルダー。 （もっと読む）

【課題】試料の高さ方向のばらつきを検査する。
【解決手段】試料２９を保持するホルダ２１１と、ホルダ２１１に保持された試料２９帯電処理する帯電制御部２３と、ホルダ２１１に保持された試料２９に電圧を印加するリターディング電源２４と、リターディング電源２４により電圧が印加された試料２９に向けて電子線を照射して、試料２９の表面近傍で引き戻されたミラー電子を結像させる電子光学系２０と、ミラー電子を結像させることで得られたミラー画像を画像処理する画像処理部２７と、を有する。画像処理部２７は、ミラー電子を結像させることで得られたミラー画像と、予め用意された標準品のミラー画像との差に応じた情報を、試料２９の高さ方向のばらつきとして出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体や絶縁物の残渣物質による欠陥の検出を容易とする。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板を検査するためにアレイに印加する検査信号と同期させて、ＴＦＴアレイ基板の表面に光を照射することによって電極の電圧変化を強調させることで、半導体や絶縁物の残渣物質による欠陥の検出を容易とする。ＴＦＴアレイ基板のパネルに所定電圧の検査信号を印加してアレイを駆動し、このパネル上に電子線を照射して走査し、電子線走査で検出される検出信号に基づいてＴＦＴアレイ基板のアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、パネル上に電子線を照射する電子線源と、電子線走査による二次電子を検出して検出信号を出力する二次電子検出器と、二次電子検出器の検出信号を用いて欠陥を検出する欠陥検出部と、パネルに検査信号を印加する検査信号駆動部と、ＴＦＴアレイ基板の表面に光を照射すると光照射部と、検査信号駆動部と光照射部とを同期制御する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】鉄鋼材料に含まれる主成分元素以外の高濃度元素と低濃度元素との分布状態を測定すること。
【解決手段】電子線源２が、鉄鋼材料Ｓに電子線Ｅを照射する。ＷＤＸ３が、電子線Ｅの照射に伴い発生するＸ線を検出することによって、鉄鋼材料Ｓに含まれる主成分元素以外の低濃度元素の分布状態を測定する。ＥＤＸ４が、Ｃｒ箔からなるフィルター７を透過したＸ線を検出することによって、主成分元素以外の高濃度元素の分布状態を測定する。これにより、鉄鋼材料Ｓに含まれる主成分元素以外の高濃度元素と低濃度元素との分布状態を同時、且つ、高精度に測定することができる。 （もっと読む）

【課題】多段のパターンで形成されている測定対象に対して、ＳＥＭ像から測定対象領域の凹凸を的確に特定し、その構造を正確に判定することのできるマスク検査装置及びマスク検査方法を提供すること。
【解決手段】マスク検査装置は、電子ビームを試料上に照射する照射手段と、電子ビームの照射によって、パターンが形成された試料上から発生する電子の電子量を検出する電子検出手段と、電子量を基にパターンの画像データを生成する画像処理手段と、電子検出手段で検出された電子の電子量を基に試料上に形成されたパターンのラインプロファイル及び微分プロファイルを作成する制御手段と、を有する。制御手段は、微分プロファイルを基に検出したパターンの立上がりエッジ及び立下りエッジを検出し、当該エッジのデータ及び画像処理手段で作成された画像データを基に多段構造のマスクデータを生成する。 （もっと読む）

【課題】、マスク上の欠陥とそれがウェハに及ぼす影響、修正による改善の程度まで推定可能な欠陥推定装置と欠陥推定方法を提供する。欠陥判定処理を容易にし、マスク上の欠陥とウェハ像への波及を推定可能な検査装置と検査方法を提供する。
【解決手段】マスク検査結果２０５のうち、欠陥箇所のマスク採取データは、模擬修正回路３００に送られて模擬修正が行われる。模擬修正されたマスク採取データは、マスク検査結果２０５に戻された後、対応する箇所の参照画像とともにウェハ転写シミュレータ４００に送られる。ウェハ転写シミュレータ４００で推定されたウェハ転写像は比較回路３０１に送られ、比較回路３０１で欠陥と判定されると、その座標と、欠陥判定の根拠となったウェハ転写像とが、転写像検査結果２０６として保存される。マスク検査結果２０５と転写像検査結果２０６はレビュー装置５００に送られる。 （もっと読む）