【課題】鋼中介在物の組成や大きさを迅速に測定すること。
【解決手段】鋼中介在物の分析方法は、鋼片試料に電子線を第１の加速電圧で照射することによって反射電子像を取得し、取得した反射電子像から鋼組織と鋼中介在物とを識別するステップと、鋼中介在物と判定された鋼片試料領域に電子線を第１の加速電圧とは異なる第２の加速電圧で照射することによって発生する特性Ｘ線を検出し、検出された特性Ｘ線から鋼中介在物の組成に関する情報を取得するステップと、を含む。これにより、鋼中介在物の組成や大きさを迅速に測定することができる。 （もっと読む）

【課題】測定時間を短くすることができ、且つ簡易な構成で完全分光を実現することができるＸ線分光検出装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線分光検出装置１Ａは、Ｘ線若しくは電子線の照射によって該試料１０表面における直径１００μｍ以下の微小分析点Ｐから放射された特性Ｘ線２を波長毎に分光して検出する。Ｘ線分光検出装置１Ａは、分光結晶２０及び二次元Ｘ線検出器３０を備える。分光結晶２０は、微小分析点Ｐから放射された特性Ｘ線２を受ける平坦な回折反射面２０ａを有し、特性Ｘ線２に含まれる波長成分のうち該回折反射面２０ａへの入射角に応じた波長成分を回折反射することにより、特性Ｘ線２を波長毎に分光する。二次元Ｘ線検出器３０は、分光結晶２０において回折反射した特性Ｘ線２を受ける受光面３０ａを有し、該受光面３０ａに入射した特性Ｘ線２の入射位置および強度に関するデータを生成する。 （もっと読む）

【課題】分析精度の高い分析装置を提供する。
【解決手段】イオンビームを試料１０に照射するイオン照射部と、試料から第１の方向１０６に散乱する散乱イオンを通過させるための第１の開口部３４ａと、試料から第１の方向と異なる第２の方向１１４に散乱する散乱イオンを通過させるための第２の開口部３４ｂとが形成された制限板２４と、制限板の第１の開口部を通過した散乱イオンと、制限板の第２の開口部を通過した散乱イオンとに対して磁場を印加する磁場印加部２８と、磁場印加部により偏向された各々の散乱イオンを検出するイオン検出部３０とを有している。 （もっと読む）

【課題】高エネルギーの荷電粒子ビームにより測定試料中の物質ごとに１μｍ〜０．１μｍ等といった高空間分解能で定量的に材料分析できるとともに、前述した高精度の材料分析を研究室規模の施設で可能とする材料分析装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザを射出するパルスレーザ射出部１と、前記パルスレーザが照射される金属薄膜Ｆを有し、当該金属薄膜Ｆから荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部２と、前記荷電粒子ビーム生成部２から射出された荷電粒子ビームＩＢを磁場又は電場により収束して、測定試料Ｓに照射する荷電粒子ビーム制御部３と、前記荷電粒子ビームＪＢが測定試料Ｓに照射された際に生じる放射線Ｒを測定する放射線測定部４と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】クリープ損傷を受ける金属の余寿命をＤパラメータ法で診断するに際し、余寿命診断処理を容易化する。
【解決手段】
診断用コンピュータ３に、金属表面における複数の粒界に対応する粒界画像データを取得させ（Ｓ３）、粒界画像データから、各粒界の始点座標と終点座標を含む粒界データを取得させ（Ｓ４）、配管の応力方向に垂直な参照方向を示す参照方向データを、粒界画像データに設定させ（Ｓ５）、参照方向データに基づいて、複数の粒界データの中から、参照方向を中心とする所定の角度範囲に属する垂直粒界データを抽出させ（Ｓ５）、垂直粒界データに対応する粒界上のボイド形成状態に基づいて、当該垂直粒界データが損傷粒界に対応する損傷粒界データか否かを判断させ（Ｓ６）、垂直粒界データに対応する粒界の数、及び、損傷粒界データに対応する粒界の数に基づき、Ｄパラメータ法を用いて金属の余寿命を診断させる（Ｓ８）。 （もっと読む）

【課題】
従来の断面ＳＥＭやＴＥＭで撮像した断面画像とその倍率情報を元にユーザが物差しをあてて配線の寸法を計測したり、分度器をあてて配線の側壁の傾斜角度を計測する方法によっては、ユーザの裁量に依存する部分が大きいという課題があった。
【解決手段】
被検査対象試料の断面形状データに対して複数の形状モデルをフィッティングするフィッティング工程と、前記フィッティング工程にてフィッティングしたフィッティングモデルの精度の指標である誤差関数値に基づいて該複数の形状モデルから少なくとも一の形状モデルを最適モデルとして選択する選択工程とを有する被検査対象試料の断面形状推定方法である。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム又はイオンビーム撮像機器による極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）マスク検査の技術を提供する。
【解決手段】結合モジュールは、開口を定める上側部分と、マスク接触要素と、チャック接触要素と、マスク接触要素と上側部分の間に接続された中間要素とを含むことができる。開口の形状及びサイズは、極端紫外線（ＥＵＶＬ）マスクのパターン転写区域の形状及びサイズに対応することができる。結合モジュールは、マスク接触要素がＥＵＶＬマスクの上側部分に接触した状態でチャック接触要素がＥＵＶＬマスクを支持するチャックに接触するような形状及びサイズとすることができる。結合モジュールは、ＥＵＶＬマスクがチャック上に位置決めされた時にＥＵＶＬマスクの上側部分とチャックの間に少なくとも１つの導電経路を更に提供することができる。 （もっと読む）

【課題】金属材料の破壊原因を簡易かつ精度よく推定することが可能な方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】破断した金属材料の破壊原因を電子後方散乱回折像法により推定する。破断した金属材料において破断面と垂直な面を測定面とし、この測定面上に電子線を照射して電子後方散乱回折像を取得する。この電子後方散乱回折像に基づいて各照射点における結晶方位を決定し、各照射点における方位差を決定する。そして、測定面を破断面からの深さ方向において所定間隔毎に複数の区分に分割し、各区分毎にその区分に属する複数の照射点の方位差の平均値を求め、破断面からの深さを横軸、方位差を縦軸とした座標上にプロットし、このプロットに基づいて方位差曲線を得る。得られた方位差曲線のパターンを、あらかじめ破壊原因の分かっている標準試料を用いて求めた標準方位差曲線と比較することにより、破断した金属材料の破壊原因を判定する。 （もっと読む）

【課題】 従来の光の散乱を用いた異物検出と、反射結像型電子顕微鏡による異物検出とでは、全く原理が異なることから、得られた異物検査データを直接比較することはできず、総合的な異物管理ができない課題があった。また、同一のウェハを、散乱光を用いた検査装置と反射結像型電子顕微鏡との別々の装置で検査を実施すると、二つの装置間でのウェハ搬送中に新たな異物が付着する危険性を除外できず、厳密な検査データの比較ができないという課題があった。
【解決手段】 反射結像型電子顕微鏡の対物レンズの周囲に、レーザー光導入システムと、散乱光検出器を配置し、同一の装置で散乱光による異物検出と、反射結像型電子顕微鏡による異物検出とを実施できるようにした。 （もっと読む）

【課題】皮膜付き鋼板などの試料の表面に生じたクラックをより適切に評価し得るクラック評価方法を提供する。
【解決手段】試料表面に発生したクラックを評価するクラック評価方法であって、上記試料表面に金属薄膜を成膜する工程と、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて上記金属薄膜の反射電子像（ＢＳＥ像）を取得する工程と、上記取得したＢＳＥ像に基いて上記クラックを評価する工程と、を備えるクラック評価方法。 （もっと読む）