【課題】 オフセットを設けることなく光損失を低減することを可能とする光導波路構造の形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体積層６０Ａを基板２の上に設け、マスク７１を半導体積層６０Ａの上に形成し、マスク７１を用いて半導体積層６０Ａをエッチングして導波路メサ５、第１のテラス３、第２のテラス４、第１のトレンチ６、第２のトレンチ７を形成し、導波路メサ５を埋め込むように樹脂体９を設け、導波路メサ５の上面５ａ及び樹脂体９の上に金属体１０を設け、金属体１０を加熱した後に冷却する。金属体１０は、第１の領域２１の上に設けられた第１の部分１１と、第２の領域２２の上に設けられた第２の部分１２と、第１の部分と第２の部分とに接続され導波路メサ５の上面５ａに接合する第３の部分１３とを含む。第１の部分１１は、第２の部分１２よりも長い。 （もっと読む）

【課題】平面光波回路素子を高精度で製造できる方法を提供する。
【解決手段】第１コア部を有する第１導波路回路部と、前記第１導波路回路部の第１コア部よりも最大厚さが厚い第２コア部を有する第２導波路回路部とを備えた平面光波回路素子の製造方法であって、下部クラッド層上に、前記第１コア部の厚さに対応する厚さを有する第１コア層と前記第２コア部の最大厚さに対応する厚さを有する第２コア層とを形成するコア層形成工程と、前記第１コア層を少なくとも該第１コア層の厚さだけ前記第１コア部のパターンにエッチングするとともに、前記第２コア層を少なくとも前記第１コア層の厚さだけ前記第２コア部のパターンにエッチングする第１エッチング工程と、前記第２コア層の残りの厚さの部分を選択的に前記第２コア部のパターンにエッチングする第２エッチング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】好適に他のコネクタに接続され得るコネクタを容易かつ確実に製造することができるコネクタの製造方法を提供すること。
【解決手段】コネクタの製造方法は、第１の成形型１００に光導波路２０の一端部を挿入する第１の工程と、光硬化する第１の樹脂材料１０を第１の成形型１００に充填する第２の工程と、第２の成形型３００を第１の成形型１００にその一端側から挿入し、その際、第２の成形型３００の突出部３０２ａ、３０２ｂが第１の成形型１００内の第１の樹脂材料１０に埋入するまでその挿入を行なう第３の工程と、第１の樹脂材料１０を硬化させ、その硬化した第１の樹脂材料１０で、ガイド孔２２ａ、２２ｂが形成されたコネクタハウジング２を成形する第４の工程と、第１の成形型１００および第２の成形型３００を離型する第５の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置とその製造方法において、光半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】半導体基板１を途中の深さまでエッチングすることにより、断面形状が凸状のコア４ａを半導体基板１に形成する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘと他方の側面４ｙの各々に酸化防止膜２２を形成する工程と、酸化防止膜２２が形成された状態で、コア４ａの両脇の半導体基板１の表面を熱酸化する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘの横の半導体基板１に第１の不純物領域を形成する工程と、コア４ａの他方の側面４ｙの横の半導体基板１に第２の不純物領域を形成する工程とを有する光半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】フォトニック結晶の中でより複雑な構造を持つ結晶周期が２次元または３次元の構造に対し、１次元フォトニック結晶は構造が単純で加工が容易である優位点を持つ。しかし、電気駆動を容易にするためにサイドスラブを導入した場合に、高い共振器性能と単純な加工工程とを両立する最適の光共振器の構成は未だ示されていなかった。
【解決手段】本発明に係る光共振器は、内部に低屈折率の材料からなる円柱または多角柱構造を周期的に配置した高屈折率の材料からなる棒状構造の１次元フォトニック結晶（棒状構造体）と、棒状構造体を取り巻く低屈折率の媒体と、高屈折率の材料からなり棒状構造体よりも厚さが薄いサイドスラブとから構成される。円柱または多角柱構造が１次元フォトニック結晶を貫かずに途中で終端され、円柱または多角柱構造の底面高さがサイドスラブの上面高さと製造誤差の範囲で一致している。 （もっと読む）

【課題】典型的な２次元フォトニック結晶構造を有する光共振器において、Ｑ値等の性能が十分高い構造を実現する。
【解決手段】光共振器１００は、所定の穴径で一列に一定周期で並んだ結晶穴５を持つ１次元のフォトニック結晶２を利用する。フォトニック結晶部材の厚さを所定の範囲に設定する。光波回路・電子回路において層間分離膜や封止膜としての役割を果たす低屈折率のシリコン酸化膜３，４を使用して１次元フォトニック結晶共振器を埋め込み、必要十分なＱ値を確保できる。前記層間分離膜または封止膜を利用して、フォトニック結晶と光波回路または電子回路とを集積化する。 （もっと読む）

【課題】紫外光照射による特性の調整を高精度にできる光導波路回路の製造方法および製造装置を提供すること。
【解決手段】紫外光を吸収して媒質の屈折率を変化させるドーパントを含有するコアと該コアの周囲に形成されたクラッドとを備える光導波路回路の該コアに紫外光を照射する紫外光照射工程と、前記ドーパントからの発光量を測定する発光量測定工程と、を含み、前記測定した発光量の積算値に基づいて前記光導波路回路の特性を調整する。 （もっと読む）

【課題】ＤＣドリフトが抑制された光導波路素子の製造方法を提供する。さらには、製造プロセスの途中で、ＤＣドリフトを調整することを可能とし、製造の歩留まりを改善する、光導波路素子の製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板に、光導波路を形成する工程と、バッファ層を形成する工程と、電極を形成する工程とを有する、光導波路素子の製造方法において、該バッファ層を形成した後に、該バッファ層内の特定物質の濃度分布を加熱によって調整するための１段階又は複数段階の界面拡散層熱調整工程（Ｓ１，Ｓ２）を組み込む。 （もっと読む）

【課題】共通の基板に形成され、複数のメサ型導波路を含む光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光素子の製造方法は、第１半導体積層部および第２半導体積層部を形成する段階と、第１形成マスク及び第１保護マスクを形成する段階と、第１形成マスクおよび第１保護マスクが形成されていない半導体層をエッチングし、第３半導体積層部を結晶成長させ、埋込メサ型導波路を形成する段階と、第４半導体積層部を結晶成長させる段階と、第２保護マスク及び第１保護マスクより幅の小さい第２形成マスクを形成する段階と、第２保護マスクおよび第２形成マスクが形成されていない半導体層をエッチングして、ハイメサ型導波路を形成する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】 低コストで信頼性の高い光伝送路を実現することを課題とする。
【解決手段】 光伝送路は、光導波路挿入穴を有するコネクタ本体、コアおよび前記コアの外周に設けられ前記コアよりも小さい屈折率を有するクラッドを備える光導波路、前記光導波路のコア端面に接する第１の透明部材、前記光導波路挿入穴の穴底面と接する第２の透明部材を有し、前記第２の透明部材と前記光導波路挿入穴の穴底面との接触面積は、前記コアと前記第１の透明部材との接触面積より大きい。 （もっと読む）