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国際特許分類[G02B6/13]の内容

国際特許分類[G02B6/13]の下位に属する分類

薄膜堆積によるもの
イオン交換によるもの
エッチングによるもの
重合を用いることによるもの

国際特許分類[G02B6/13]に分類される特許

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【課題】半導体からのV族原子の脱離を抑制しつつ同一面内でエッチング深さが異なる形状を簡易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマの所定の濃度に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面にて酸素プラズマによりポリマーの生成を抑制しつつ半導体表面のエッチングが進行する状態のみが発現するように前記開口部幅1905が設定された開口部1901を有するマスク1900を半導体表面に形成する第1の工程と、マスク1900が形成された前記半導体表面に前記炭化水素系プラズマおよび前記酸素プラズマを照射し、前記酸素プラズマを前記マスクの開口部幅方向にて前記開口部に拡散させることによりポリマーの生成を抑制するとともにエッチングに寄与する炭化水素系プラズマの濃度を制御する第2の工程を有するようにした。 (もっと読む)


【課題】受発光素子と光結合させた際の光結合損失が小さく、高品質の光通信が可能な光導波路、かかる光導波路を効率よく製造可能な光導波路の製造方法、および、前記光導波路を備え、高品質の光通信が可能な光導波路モジュールおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】光導波路1は、コア部と、コア部の側面を覆うように設けられたクラッド部と、コア部の長手方向の途中または延長線上に到達する深さで設けられ、クラッド部の表面が部分的に凹没してなる凹部161の内壁面で構成されたミラー16と、クラッド部の表面が部分的に突出してなる凸部101で構成されたレンズ100と、を有し、凹部161および凸部101が、それぞれ成形型により形成されたものであることを特徴とする。また、コア部およびクラッド部は、複数の組成物を用いた多色成形体の一部に活性放射線を照射し、屈折率の偏りを形成することにより得られたものであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】基板側の光送受信部の位置に応じて斜めミラー部を簡単に形成できる光導波路の製造方法を提供する。
【解決手段】コア溝に対応する凸部を有する第1の型で、基板上に形成された硬化前のクラッド層を押圧し、そのままクラッド層を硬化させて、下部クラッド層にコア溝を形成する工程、上記第1の型を下部クラッド層から剥離させ、コア溝にコア材料を充填した後、硬化させてコアを形成する工程、コア材料を硬化させた後、コアと下部クラッド層4の上、及び斜めミラー部34を形成するコア端部に上部クラッド材60Aを充填する工程、斜めミラー部34の斜面形状に対応する凸部を有する第2の型42で、コア端部に充填した硬化前の上部クラッド材60Aを押圧し、そのまま上部クラッド材60Aを硬化させた後、第2の型42を離型して斜めミラー部用斜面を形成する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】光導波路ユニットのコアと電気回路ユニットの光学素子との調芯作業が不要であり、かつ、量産性に優れている光電気混載基板およびその製法を提供する。
【解決手段】光導波路ユニットWと、光学素子10が実装された電気回路ユニットEとを、結合ピンPにより結合させてなる光電気混載基板であって、光導波路ユニットWは、オーバークラッド層3の表面に形成された結合ピン嵌合用の嵌合孔3aを備え、その嵌合孔3aは、コア2の一端面2aに対して所定位置に位置決め形成されている。電気回路ユニットEは、結合ピン嵌通用の嵌通孔16を備え、その嵌通孔16は、光学素子10に対して所定位置に位置決め形成されている。そして、結合ピンPを、電気回路ユニットEの嵌通孔16に嵌通させるとともに光導波路ユニットWの嵌合孔3aに嵌合させた状態で、光導波路ユニットWと電気回路ユニットEとが結合している。 (もっと読む)


【課題】 パターンの微細化に対応可能なナノインプリンと用モールドおよびその製造方法ならびにそれを用いた凹凸構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 結晶性基板11と、結晶性基板11の一主面11a上に配置された、一主面11aに平行な底面21および一主面11aに非平行な面を含む複数の結晶面22を有する突起構造20とを備えるナノインプリント用モールド10である。 (もっと読む)


【課題】簡単に光導波路のミラー部を形成できる製造方法を提供すること。
【解決手段】コアの少なくとも一方端に斜めミラー部が形成されている光導波路の製造方法であって、下部クラッド層にコア溝を形成する工程、コア溝にコア材料を注入して充填し、コア溝中のコア材料を硬化させる工程、下部クラッド層、コア、上部クラッド層の積層体を形成する工程、上記積層体の長手方向の少なくとも一方端に当接し、これに直交する方向に斜めミラー部に対応する斜めミラー部用V溝を形成する工程、斜めミラー部用V溝のコア側斜面に当接可能な凸部を有する第2の型の凸部に金属膜を付着させる工程、斜めミラー部用V溝の斜面、および/または第2の型の金属膜表面に、接着剤を付着させる工程、金属膜が付着した第2の型をV溝のコア側斜面に押し当てて、V溝の斜面に接着剤を介して金属膜を貼付してミラー部を形成する工程を含む、ことを特徴とする光導波路の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】製造工程の煩雑化を招くことなく簡単な工程で光導波路混載基板を製造することができる光電気混載基板の製造方法、ならびに、かかる光導波路混載基板の製造方法により製造された信頼性の高い光電気混載基板および信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の光電気混載基板の製造方法は、透光させるための孔部83を備える支持基板81と、シート状をなすシート材82とを用意し、孔部83を覆うようにシート材82を支持基板81に接合する工程と、光導波路を形成するための光導波路形成用材料を含有する液状材料を塗布法を用いて、シート材82を介在させた状態で、支持基板81上に供給することで液状被膜を形成する工程と、液状被膜を乾燥させて、光導波路形成用材料を含む層を成膜する工程と、層に所定の処理を施すことにより光導波路20を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】光導波路ユニットのコアと電気回路ユニットの光学素子との調芯作業が不要であり、かつ、量産性に優れている光電気混載基板およびその製法を提供する。
【解決手段】光導波路ユニットWと、光学素子10が実装された電気回路ユニットEとを結合させてなる光電気混載基板であって、光導波路ユニットWは、アンダークラッド層およびオーバークラッド層の少なくとも一方の部分に延設された電気回路ユニット位置決め用の突起部4を備え、その突起部4は、コア2の光透過面2aに対して所定位置に位置決め形成されている。電気回路ユニットEは、上記突起部4が嵌合する嵌合孔15を備え、その嵌合孔15は、光学素子10に対して所定位置に位置決め形成されている。そして、上記突起部4が上記嵌合孔15に嵌合した状態で、光導波路ユニットWと電気回路ユニットEとが結合している。 (もっと読む)


【課題】 信頼性の高い光導波路を有する光伝送構造体および光伝送モジュールを提供する。
【解決手段】 発光伝送構造体20は、2つの主面で開口する第1貫通孔30aを有する主基板30と、第1貫通孔30aの内部に位置し、且つ当該第1貫通孔30aの開口の一方から突出しつつ周囲に延在している第1光学部材40と、を有する。第1光学部材40は、突出している部位から他方の主面の側に窪んでいる窪み部40aを有し、該窪み部40aの内から他方の主面に向かって貫通している第2貫通孔40bを有している。該第2貫通孔40bの内部には、第1光学部材30の屈折率に比べて大きい屈折率を有する第2光学部材50が設けられている。 (もっと読む)


【課題】伝送効率および受発光素子等に対する光結合効率が高く、信頼性の高い光導波路、およびかかる光導波路を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】光導波路1は、その光入射端部1A近傍が、横断面上に線を引いたときその線上における屈折率分布がステップインデックス型になっているSI部で構成され、光入射端部1A近傍以外の部位は、屈折率分布がグレーデッドインデックス型になっているGI部で構成されている。なお、ステップインデックス型の屈折率分布とは、屈折率が階段状に変化した分布を指し、グレーデッドインデックス型の屈折率分布とは、屈折率が高い領域とその両側にそれぞれ隣接する屈折率が低い領域とを有し、かつ屈折率が連続的に変化している分布を指す。 (もっと読む)


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