【課題】 光変調器において、光パルス信号Ｓ７とデータ信号Ｓ４とを同期させて変調する。
【解決手段】 光変調装置は、光パルス信号Ｓ７をデータ信号Ｓ４に基づいて変調する電界吸収型変調器１０と、光パルス信号Ｓ７をデータ信号Ｓ４との位相差に基づいた電気信号Ｓ１６を出力するＬＰＦ１２と、電気信号Ｓ１６に基づいてクロック信号Ｓ２の位相を調整する電気信号Ｓ１７を出力する位相制御回路１２と、クロック信号Ｓ２の位相を電気信号Ｓ１２に基づき移相して、クロック信号Ｓ５を出力する電圧制御移相器６と、クロック信号Ｓ５に基づいて、光パルス信号Ｓ６を出力する光パルス発生器２とを備える。 （もっと読む）

【課題】非吸収領域において屈折率を大きく変化させることができる屈折率変化素子を提供する。
【解決手段】離散的なエネルギー準位をもつ複数の量子ドットとこれらの周囲を取り囲む誘電体マトリックスを含む構造部と、前記誘電体マトリックスを通して前記量子ドットへ電子を注入する電子注入部とを有する屈折率変化素子。 （もっと読む）

【課題】
寄生容量を低減するためのアクティブ−パッシブ突合せ接合型構造体を提供する。
【解決手段】
本発明では、ＩＩＩ−Ｖ族基板（２１０）と、前記基板上に配置され、２枚の閉じ込めヘテロ構造層（２４５、２５５）の間に挟まれたアクティブ領域（２５０）を含むアクティブ構造体と、２枚の非ドープ型ＩＩＩ−Ｖ族層（２８５、２８０）の間に挟まれたパッシブＱ導波路コア（２９０）を含むパッシブ突合せ接合型構造体とを具備し、前記パッシブ突合せ接合型構造体が、前記基板上に設けられ、前記アクティブ領域と前記パッシブＱ導波路コアとが隣接するように前記アクティブ構造体に対して隣接してアライメントされている、寄生容量を低減するためのアクティブ−パッシブ突合せ接合型構造体を提供する。 （もっと読む）

遠赤外から深紫外までの幅広いスペクトル用の光変調器および可逆性フォトブリーチング可能な材料として、半導体ナノ粒子を、それら特有の物理的特性により、使用することができる。本特許では、ナノ粒子に制御回路を設けてプログラム可能なマスクを形成する。ナノ粒子の光学特徴が変化して、パターン付けされた光をもたらす。このようなパターン付けされた光を使用して、例えば、フォトリソグラフィのために半導体のウエハ上のフォトレジストを露光することができる。その他の用途には、光リソグラフィにおける可逆性コントラスト増強層(R-CEL)、リソグラフィマスクの検査および書き込み、ならびに光学記憶技術が含まれる。 （もっと読む）

【課題】 高密度波長分割多重化方式の光通信システムに適する長距離伝送可能なデュオバイナリー信号を生成することのできるデュオバイナリー光伝送装置を提供すること。
【解決手段】 搬送波を生成する光源と、光強度を変調する光強度変調器と、を有し、供給される電気的データ信号に基づいて光強度変調動作を行なって、変調された光信号を生成する電界吸収型変調レーザー(electro-absorption modulated laser；ＥＭＬ)素子（２１０）と、前記電気的データ信号の反転信号が供給され、この反転信号を符号化して符号化信号を生成するプリコーダ（２２０）と、前記符号化信号が供給され、この符号化信号に従って前記ＥＭＬ素子で変調された光信号の位相を変調して、デュオバイナリー光信号を生成する光変調器（２４０）と、を含む構成とする。 （もっと読む）

【課題】 駆動インピーダンスが50Ω用に設計された光変調器素子２１を用いて、駆動インピーダンスが25Ωの場合も光送信モジュールの送信波形品質を良好に保つ。
【解決手段】 電気信号の入力電極２７と、電気信号によりレーザ光を変調する光変調器素子２１と、終端抵抗素子２４と、入力電極と光変調器素子とを接続する第１のボンディングワイヤ３１と、光変調器素子と終端抵抗素子とを接続する第２のボンディングワイヤ３２と、入力電極と終端抵抗素子とを接続する第３のボンディングワイヤ３３と、とからなる光モジュール１００で解決できる。 （もっと読む）

電気／光相互作用領域（１１）を有する光変調素子（１０）において、電気信号入力端（２ａ）には電気信号線（３）が接続され、電気信号出力端（２ｂ）には他の電気信号線（４ａ）が接続され、この他の電気信号線（４ａ）に反射制御回路（５）が接続される。この反射制御回路（５）は、光変調素子（１０）の相互作用領域（１１）から出力された電気信号を積極的に反射するようにしたインピーダンス素子から構成される。これにより、Ｅ／Ｏ（電気入力／光出力）応答特性の改善可能な上限周波数の拡大、また、Ｅ／Ｏ応答の絶対的な値を劣化させることなくその周波数特性の平坦性の向上が可能となる。 （もっと読む）

光ファイバー等により入射した入力光１７を分岐する部分１４、その分岐された入力光の一方であるモニター光１２を電気信号に変換する部分（光電変換部分）１５と、その電気信号により信号光１３の光伝送路を開閉制御する部分１６とを備える。出力光１８は、モニター光１２に応じて出力された電気信号量によって光伝送路の開閉量が制御されることにより、その光パワーが調整される。また、光電変換部分１５として、外部電源を用いることなく光電変換が可能な半導体フォトボル素子を用いる。光伝送路を開閉制御する部分１６として、マイクロマシンによる光シャッター、又は吸収型変調器あるいは屈折率変調器等の光素子を用いる。

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光導波路（２０）の両側に位置決めされ、導波路（２０）の伝搬パターンを変更するように働く回折格子（３４、３６）を備えるＰＩＮ電気光学進行波変調器（１０）。変調器（１０）は、Ｎ型層（１４）、Ｐ型層（１８）、及び導波路（２０）として作用する真性層（１６）を備える。金属電極（２６）がＮ型層（１４）に電気的に接触し、金属電極（３０）がＰ型層（１８）に電気的に接触する。電極（２６、３０）は、ＲＦ伝送線路を画定する。光波（２２）が導波路（２０）に沿って伝搬し、格子（３４、３６）と相互作用し、格子（３４、３６）は、光波（２２）の速度を伝送線路のＲＦ波の速度に合わせるように光波（２２）を遅延させる。一実施形態では、格子（３４、３６）は、導波路（２０）内の垂直孔（３８）によって形成される２次元格子である。
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エルビウムファイバ（或いはエルビウム−イットリビウム）ベースチャープパルス増幅システムが説明される。通信の窓で動作するファイバ増幅器の使用は、優れた機械的安定性をもつ通信要素と通信コンパチ式手順の実施を可能にする。
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