【課題】出力光の状態をモニタするためのモニタ光を、出力光が出力される面とは異なる側面から出力する光変調器であって、基板の寸法が小さく、かつ製造を容易にする。
【解決手段】半導体積層基板２０の一方の主表面２０ａ側に、光導波路３０と、反射用導波路５０とを備えて構成される。光導波路は、さらに、入力導波部３０ａ、変調導波部３０ｂ及び出力導波部３０ｃを備えている。入力導波部は、半導体積層基板の一方の第１端面２０ｂ側から入力された入力光を導波する。変調導波部は、入力導波部から受け取った入力光を変調して変調光を生成する。出力導波部は、変調導波部から受け取った変調光を第１出力光と第２出力光とに２分岐して、その結果得られた第１出力光を信号光として第１端面に対向する第２端面２０ｃ側から出力する。反射用導波路は、出力導波部から受け取った第２出力光を、半導体積層基板の第１端面及び第２端面とは異なる側面２０ｄに導く。 （もっと読む）

【課題】 パルス面積を考慮した超短光パルス対を用いることによって、固体材料固有の位相緩和時間に依存せず励起子分布数の制御を可能とする。量子ドット集合体のような不均一系や常温に近い温度領域においても適用可能とする。
【解決手段】 媒質１０に第１パルス及び第２パルスを照射する。媒質は、例えば、光学媒質、光励起により励起子が生成され分極ができる物質、半導体量子ドット等である。このとき、パルスレーザーから放出されたレーザー光は、パルス対のそれぞれのパルスのパルス面積をπ（又は実質的にπ）に調整され、遅延時間τのパルス対にコントロールされる。第１パルスによって生成された励起子を、第２パルスによって強制的に初期（基底）状態に戻すことで、コヒーレント光制御が行われる。 （もっと読む）

【課題】耐圧が高く、製作の容易なｎｐｉｎ型光変調器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施例による半導体光増幅器１０は、基板側にカソード層１２−１を配置して順次積層されたｎｐｉｎ型の半導体光変調器であって、少なくとも第１のｎ型クラッド層１３−１、ｐ型クラッド層１４、コア層１７、および第２のｎ型クラッド層１３−２を含む半導体光変調器において、ｐ型クラッド層１４がカソード層の電極１８−１に電気的に接続されていることを特徴とする。これによって、ｎｐｉｎ型光変調器での光吸収に伴うｐ型クラッド層へのホールの蓄積をマイナス側の電極に吸収させることができる。このｎｐｉｎ型の半導体光変調器は、メサ型の導波路構造とすることにより、従来の半導体製造技術を用いて比較的容易に製作することができる。 （もっと読む）

【課題】相互吸収変調効果を利用することで、光−電気変換装置を不要にするとともに、高周波用電気回路を不要とする。
【解決手段】分岐部２０、変調部３０、入力合波部２５、多重部５０及び遅延部４０を備える。分岐部は、周期Ｔの光クロック信号を第１〜２^ｎのクロック信号（ｎは１以上の整数）に分岐する。変調部は、第１〜２^ｎの変調器を備えて構成される。第ｋの変調器（ｋは１以上２^ｎ以下の整数）は、第ｋのクロック信号と、第ｋの光データ信号との相互吸収変調効果により、第ｋの光変調信号を生成する。入力合波部は、第１〜２^ｎの入力合波器を備えて構成され、第ｋの入力合波器は、第ｋの光データ信号及び第ｋのクロック信号を第ｋの変調器に送る。多重部は、変調部で生成された第１〜２^ｎの光変調信号を合波して、光時分割多重信号を生成する。遅延部は、第１〜２^ｎの光変調信号の順次の光変調信号の間に、それぞれＴ／２^ｎの時間差を与える。 （もっと読む）

【課題】
光パケットスイッチングシステムに用いられるマトリクス光スイッチを高速で安定に切り替える技術を提供することである。
【解決手段】
マトリクス光スイッチを構成する半導体光増幅器型ゲートスイッチの駆動回路に於いて、駆動信号を入力し該駆動信号に対応した電流を出力するオペレーションアンプと、該オペレーションアンプの出力端子に設けられたインダクタンス素子と、該インダクタンス素子と該半導体光増幅器間に設けられたダイオード素子と抵抗素子を並列接続した回路を設ける。 （もっと読む）

光学干渉計とともに電子吸収を使用して光信号を変調するための方法および装置について記載する。信号を分割して複数の光学モードになるように変調し、ＥＡＭを用いてこれらのモードのうちの少なくとも１つのモードを変調した後に、これらのモードを干渉結合させることにより、従来の方法よりも振幅が小さい変調器駆動信号を用いて位相シフト・キーイング変調を実現することができる。本発明を使用すると、所与の駆動電圧でＡＳＫの消光比性能を著しく改善することができ、あるいは大幅に低い駆動電圧で所望の消光比を実現することもできる。したがって、消光比と帯域幅の間のトレードオフ関係を克服することにより、ＥＡＭの電子光学的帯域幅を改善することができる。さらに、本発明を使用して、はるかに低い駆動電圧でＱＰＳＫやＱＡＭなどの他の変調フォーマットを生成することができ、それにより変調用の高速駆動電子装置のコストおよび消費電力が低減する。
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【課題】発光素子１０６だけではなく外部変調器１０７の光素子１０７１の経年劣化を補償する。
【解決手段】光送信モジュールにおいて、外部変調器１０７のフォトカレントと発光素子１０６の後方出力とをモニタし、比較部１０３においてフォトカレントが一定になるようなに両者を比較し、レーザ電流制御ブロック１０４が発光素子１０６に供給する電流を制御する。 （もっと読む）

【課題】 小信号通過特性（S21）におけるピーキングの抑圧と小信号反射係数（S11）の低減を両立できる単一電源駆動方式の光送信モジュール構造を実現ずる。
【解決手段】 半絶縁性半導体基板上に光変調器集積レーザを形成した半導体チップ２２を用い、入力伝送線路２７と光変調器素子２１のアノード電極とを第一のボンディングワイヤ３１で接続し、光変調器素子２１のアノード電極と終端抵抗素子２４の一端とを第二のボンディングワイヤ３２で接続し、光変調器素子２１のカソード電極と終端抵抗素子２４の他の一端とを第三のボンディングワイヤ３３で接続し、光変調器素子２１のカソード電極と接地電極２５とを第四のボンディングワイヤ３４で接続し、第一のボンディングワイヤ３１と入力伝送線路２７との接続部を第四のボンディングワイヤ３４と接地電極２５との接続部に対して半導体チップ２２を挟んだ反対側に配置した光送信モジュールより解決できる。 （もっと読む）

【課題】部品点数を最小にし、装置部門もしくは顧客環境における汎用性の向上、そして、消費電力の低減化を実現する電界吸収型光変調器等を提供する。
【解決手段】発光部１０１と変調部１０２を有し、１つまたは複数有する正電源のうちの１つにより第１の正電圧がかかり中間電位を有する電界吸収型光変調器１００において、前記正電源のうちの１つにより、前記発光部１０１に対して前記第１の正電圧よりも高い第２の正電圧がかかり順バイアスで印加して当該発光部１０１を駆動してＬＤ素子１０３よりレーザ発光し、前記変調部１０２に対して前記第１の正電圧よりも低い第３の正電圧がかかり逆バイアスで印加して当該変調部１０２を駆動して変調素子１０４の変調により光の吸収率を変化させ光信号の出力のＯＮ／ＯＦＦを制御する。 （もっと読む）

【課題】光変調器を駆動する回路を小型化しても、良質の光信号を得ることができる光変調器のバイアスティーを提供する。
【解決手段】コンデンサ１３とコイルからなるハイパスフィルタを、高域用コイルと中域用コイルのみを使用したものとし、大型の低域用コイルを取り除く。そのかわり、駆動回路１０からの駆動信号の低域成分を検出する低域変動検出部２０を設ける。低域変動検出部２０は、抵抗２１とコンデンサからなるローパルフィルタとなっており、低域成分の変動が、オペアンプ２１の正転端子に入力されるようになっている。駆動信号の低域成分が減少した場合、抵抗２４に流れる電流が減り、抵抗２４での電圧降下が減少した分、ＥＡ変調器１１に印加されるバイアス電圧が上昇する。 （もっと読む）