【課題】整合特性を改善した半導体光変調デバイスを提案する。
【解決手段】半導体光変調素子に電気信号を供給する駆動回路に接続される入力側端子と、終端抵抗に接続される出力側端子と、前記入力側端子と前記半導体光変調素子の電極とを接続する入力側ワイヤと、前記出力側端子と前記半導体光変調素子の電極とを接続する出力側ワイヤとを備え、前記入力側端子と出力側端子との間に付加容量または付加抵抗を配置し、この付加容量または付加抵抗を、前記入力側ワイヤと出力側ワイヤとの直列回路に対して並列に接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体ダイオードを利用したプロジェクションシステムを提供する。
【解決手段】複数の単色光を照射する光源モジュール１１０と、光源モジュール１１０から照射された単色光をそれぞれの色信号によって変調するものであって、Ｐ型半導体層、真性半導体層、及びＮ型半導体層を含んで構成され、逆バイアス電圧の大きさによって複数の単色光を吸収または透過させる半導体ダイオードがピクセル単位で配列された少なくとも一つの光変調器１２１、１２２、１２３と、光変調器１２１、１２２、１２３によって変調された単色光を合成して画像を形成する色合成プリズム１２７と、色合成プリズム１２７を通じて形成された画像をスクリーン側に投射させる投射レンズ１３１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 ＥＡ変調器の光出力を容易にモニタすることの可能な小規模の光送信回路を提供する。
【解決手段】 光送信回路１０は、光半導体素子２０、終端抵抗２４及びドライバ回路１３を有している。光半導体素子２０では、安定電位に接続される共通のカソードを有するレーザダイオード２１および電界吸収型光変調器２２が一体に集積されている。終端抵抗の一方の端子は、光変調器のアノードに接続され、他方の端子は安定電位に高周波的に接続されている。ドライバ回路は、光変調器のアノードと終端抵抗との間に交流的に接続されており、光変調器に高周波信号を供給する。光変調器には、終端抵抗を介してバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】部品固着に使用する半田の種類数を低減し、かつ、伝送線路および光半導体素子間の接続線の長さを短縮した光半導体モジュールを提供する。
【解決手段】光半導体素子１０１を備えた光学アッセンブリが固着された第１基盤１００と、伝送線路が固着されるとともに、少なくとも光学アッセンブリの光半導体素子が非接触に配置可能な空隙２１０が設けられた第２基盤２０１とを備える。そして、第２基盤に固着された伝送線路には、高周波電源の電力を供給するコネクタと電気的接続した終端抵抗２０４が固着され、光学アッセンブリが固着された第１基盤の面の上方に、第２基盤が配置されるとともに、少なくとも光学アッセンブリの光半導体素子が第２基盤に設けられた空隙に非接触に配置され、この光半導体素子と第２基盤に固着された伝送線路とが接続線で電気的接続されたものとする。 （もっと読む）

【課題】チャーピングに伴う作製トレランスの低下を防ぎ、不要な透過帯域との消光比を増大することができるラダー干渉型フィルタおよびそれを用いた波長可変レーザを提供する。
【手段】波長可変フィルタ１００は、一対の入力導波路１０２および出力導波路１０４と、入力導波路および出力導波路に一定の間隔で配置された光結合器１３０，１３２と、光結合器を介して入力導波路と出力導波路との間を接続するＮ本のアレー導波路１４０とからなるラダー干渉型フィルタと、入力導波路および出力導波路の屈折率を電流注入により変化させるための電極１１０，１１２とを備える。入力導波路の入射端側に接続された１段目からｐ段目（ｐは１＜ｐ＜Ｎの自然数）のアレー導波路の順番に光路長差ΔＳ_１を有し、ｐ＋１段目からＮ段目のアレー導波路の順番に光路長差ΔＳ_２を有する。 （もっと読む）

【課題】素子サイズを小さくできるともに、低消費電力で、より高速で動作できるマッハ−ツェンダー型の光変調器や光減衰器を提供する。
【解決手段】マッハ−ツェンダー型の干渉光学系における１対の分岐光導波路７Ａ，７Ｂの少なくとも一方に、その分岐光導波路を伝搬する光波信号を変調するリング共振型位相シフタを設ける。リング共振型位相シフタは、対応する分岐光導波路７Ａにモード結合するように配置されたリング型光導波路３を備え、対応する分岐光導波路７Ａとリング型光導波路３との間の振幅分岐比Ｋを、例えばｐｎ接合における電圧印加に伴う屈折率変化などを通じて、変化させることができるように構成される。振幅分岐比Ｋを変化させることにより、分岐光導波路７Ａ，７Ｂを伝搬する光波信号の間の位相差が変化し、出力光導波路５から出力される光波信号の強度が制御される。 （もっと読む）

【課題】自動的にバイアス点を調整し、最適な消光比を保つことのできる光送信器を提供すること。
【解決手段】光送信器１００は、入力された電気信号に応じて変調した光信号を出力する外部変調器１２０と、外部変調器１２０から出力された光信号の出力の、高出力側の最大出力の変動幅を検出するＨ側振幅検出部１５１と、低出力側の最小出力の変動幅とを検出するＬ側振幅検出部１５２と、Ｈ側振幅検出部１５１およびＬ側振幅検出部１５２によって検出された最大出力の変動幅と、最小出力の変動幅とを比較する比較部１５５と、比較部１５５の比較結果に基づいて外部変調器１２０に入力する電気信号のバイアス電位を調整するバイアス駆動部１５６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】動作効率がよく安価な、光軸方向に３種類以上の光素子が突き合わせて配置された集積型光半導体装置を構成する。
【解決手段】この発明に係る半導体レーザ装置は、ＩｎＰ基板２０上に、ＩｎＧａＡｓＰ層２２とこの上に配設されたＩｎＰ層２４とを有する半導体レーザ部１２と、この半導体レーザ部１２と同じ光軸方向を有し半導体レーザ部１２と離隔されて配設されたダブルへテロ構造の窓層構造部１４と、この窓層構造部１４の半導体レーザ部１２に近接する側の端面に密接するとともに半導体レーザ部１２と同じ層構成のＩｎＧａＡｓＰ層２３とＩｎＰ層２５とを有し光軸方向の厚さが１００μｍ以下である第１素子間部１６と、この第１素子間部１６と第１の端面が密接しこの第１の端面と互いに対向する第２の端面が半導体レーザ部１２の一端面と密接したダブルへテロ構造の前置光素子部１８とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】ミリ波帯高周波信号とマイクロ波帯高周波信号（直流信号を含む）との合分波を行う。
【解決手段】高周波配線基板１０１上に、信号の入出力端子２，３を備えた２つの配線１０２と、この２つの配線１０２を結合した１つの配線１０２とを備え、これら２つの配線１０２と１つの配線１０２との間で信号を合成、分離する周波数信号合成分離回路である。上記２つの配線１０２の一方に高域通過フィルタ１０３を、他方に帯域除去フィルタ１０４をそれぞれ備えた。これらのフィルタ１０３，１０４によって、上記高域通過フィルタ１０３の通過帯域周波数であり且つ上記帯域除去フィルタ１０４の除去帯域周波数である高周波信号と、上記高域通過フィルタ１０３の非通過領域の低域側高周波信号、及び直流信号とを合成、分離する。また、上述の周波数信号合成分離回路を、光無線融合伝送システム、光変調モジュール並びに光通信システムに用いた。 （もっと読む）

【課題】 本発明は，3次成分を抑圧できるDSB-SCシステムを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の第１の側面に係るDSB-SC変調システム(1)は，3倍信号生成部(17)が，基本信号（f_m）の3倍の周波数を有する電気信号（3f_m）を生成する。そして，位相調整部(18)が基本信号（f_m）の位相と，基本信号の3倍の周波数を有する電気信号（3f_m）の位相差を調整する。信号強度調整部(19)が電気信号（3f_m）の強度を調整する。そして，変調信号としてf_mの信号を印加した際に発生する3次成分（f₀±3f_m）について，変調信号として3 f_mの信号をその1次成分（f₀±3f_m）が3次成分と位相が逆で，強度が同程度となるように調整して印加するので，それらが抑圧しあって，高い消光比を有するDSB-SC変調を達成できる。 （もっと読む）