【課題】Ａｌ系半導体材料を用いて同一の基板上に集積した半導体レーザ及び半導体光変調器であって、Ａｌ系半導体材料の酸化とサイドエッチの影響を抑制し、ＢＪ結合面の反射や散乱を抑えた半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】同一の基板上に、Ａｌ系半導体材料からなる活性層１３を備えるレーザ部の光導波路とＡｌ系半導体材料からなる変調器層１８を備える変調器部の光導波路とをモノリシック集積した半導体光集積素子において、非Ａｌ系半導体材料からなる共通導波路層を設け、非Ａｌ系半導体材料からなる結合部を設けると共に、結合部の光導波路のリッジ幅を、レーザ部及び変調器部の光導波路のリッジ幅より大きくし、更に、活性層１３と結合部の半導体層２３及び変調器層１８と結合部の半導体層２３の結合面を、導波路方向に直交する方向に対して傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】半絶縁性クラッド層を有する光変調器において、作製工程数を増やさない。
【解決手段】本発明の光変調器は、光を入射する入射端面５１１と、入射された光を伝搬するｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３と、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３に電界を印加する一対の電極と、印加された電界によって変調された光を出射する出射端面５１２と、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３の下面を覆うｎ−ＩｎＰバッファー層５０２と、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３上に設けられるｎ−ＩｎＰ層５０７と、を備える。ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３の上面とｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３の側面とを覆うＳＩ−ＩｎＰ層５０６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】立ち上り時のリンギングを抑圧し且つ光スイッチングの高速化を図った光スイッチ駆動回路を実現する。
【解決手段】制御信号(CONT)に応答して半導体光増幅型ゲートスイッチ(GSW)を高速駆動するためのON/OFF信号を発生する高速駆動部(11)と、該ON/OFF信号の出力端子と該半導体光増幅型ゲートスイッチ(GSW)との間に接続された高入力インピーダンスの高速バッファ部(12)と、を備える。上記の高速バッファ部(12)は、該出力端子に接続された高抵抗の分圧回路と、該分圧回路の分圧電圧をバッファリングして該半導体光増幅型ゲートスイッチに与える高速オペアンプ(OP4)とで構成でき、上記の高速駆動部(11)は、直流電圧を出力する高速オペアンプ(OP1)と、該制御信号(CONT)を受けて該高速オペアンプ(OP1)の出力をON/OFF制御して該出力端子に与えるスイッチング回路とで構成できる。 （もっと読む）

【課題】
簡易な構成でＮＲＺ信号光を光再生する。
【解決手段】
光フィルタ１２は、所定ビットレート（Ｂ）の入力ＮＲＺ信号光（１０）から一方のサイドバンド成分を除去する。電気吸収型光変調器１４は、光フィルタ１２の出力信号光をＲＺ信号光に変換し、パワースプリッタ２０から電気クロックを出力する。光パルス発生装置２４は、電気クロックに従って光クロックパルスを発生する。半導体光増幅器３０は、電気吸収型光変調器（１４）から出力されるＲＺ信号光に従い当該光クロックパルスをゲートすることにより、再生ＲＺ信号光を出力する。光バンドパスフィルタ３２は、再生ＲＺ信号光を抽出する。複屈折媒体３４及び偏光子３６が、再生ＲＺ信号光をＮＲＺ信号光に変換する。 （もっと読む）

【課題】駆動回路の周囲温度の変化に対応して、変調信号の駆動振幅の変動を抑制するように精度良く制御することができる光送信機を提供する。
【解決手段】光源からの出射光を入力信号に基づいて変調する外部変調器の駆動回路において、前記外部変調器に対し、直流バイアス電圧に重畳させて、前記入力信号に応じた駆動電圧を供給する電圧供給手段と、前記駆動電圧の振幅を設定する制御手段と、前記電圧供給手段により前記外部変調器に供給される駆動電圧を検出する電圧検出手段とを有し、前記制御手段は、前記電圧検出手段の検出出力を取り込み、該検出出力に基づいて前記駆動電圧が予め定められた振幅値になるように、前記電圧供給手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】線形性の高い消光特性が得られるようにする。
【解決手段】第１導電型半導体クラッド層（ｎ型クラッド層）１１、半導体光吸収層１２及び第２導電型半導体クラッド層（ｐ型クラッド層）１３が順次積層されてなる層構造を有する電界吸収型半導体素子において、第１導電型半導体クラッド層１１及び第２導電型半導体クラッド層１３にそれぞれ添加されている不純物の濃度を、それぞれ半導体光吸収層１２との界面側において高くし、その界面の法線方向に濃度勾配を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】高精度な測定が可能な位相変調法を光検波手段として使用した光センサを提供する。
【解決手段】本発明は、引っ張り応力に対する偏波面保持ファイバ内を伝播する光の位相変化の違いを利用し、位相変調子１０、送光用偏波面保持ファイバ２３、コイル状偏波面保持ファイバ光学素子３０に適切な偏波面保持ファイバを使用することにより、高精度な測定が可能な光センサを実現する。 （もっと読む）

【課題】直流バイアスの変動の抑制を図り、かつ外部変調器とバイアス回路との接続部の小型化を図った外部変調器のバイアス回路を提供する。
【解決手段】直流バイアス手段は、前記外部変調器に最適な直流バイアス電圧を供給する調整電圧を設定する調整電圧設定手段と、直流バイアス電流を前記外部変調器に並列接続された終端抵抗に供給する定電流源を構成する制御用トランジスタと、前記調整電圧に基づく一定のバイアス電圧を、前記制御トランジスタに供給するバッファアンプとを有する。 （もっと読む）

【課題】光レベル調整素子を小型化する。
【解決手段】この発明による光レベル調整素子は、同一の光半導体基板上に、信号光が入力される入力ポートと、入力ポートに入力された信号光を第１の分岐導波路と第２の分岐導波路に所定の分岐比で分岐する光分岐導波路と、第２の分岐導波路の信号光の強度に応じた電圧を生成する光−電圧変換型受光素子と、その光−電圧変換型受光素子から出力される電圧によって第１の分岐導波路の信号光の振幅を抑圧する電界吸収型光変調素子と、電界吸収型光変調素子で抑圧した信号光を出力する出力ポートと、が形成される。光−電圧変換型受光素子が発生する電圧で電界吸収型光変調素子を透過する信号光を抑圧する。 （もっと読む）

【課題】反射率ピークの波長依存性が小さい回折格子デバイスを提供する。
【解決手段】回折格子デバイス１の光導波路コア３では、第１及び第２の領域３ａ、３ｂは、所定の軸Ａｘの方向に交互に配置されており、またこれらの領域３ａ、３ｂは互いに隣接している。回折格子構造５は、所定の軸Ａｘの方向に順に配置された回折格子部分５ａ〜５ｎを含む。回折格子部分５ａ〜５ｎは、それぞれ、光導波路コア３の第１の領域３ａに光学的に結合されている。回折格子部分５ａ〜５ｎは周期的に配置されている。この繰り返し配置の周期は値Λｓである。回折格子部分５ａ〜５ｎは互いに離間して配置されている。回折格子構造の周期は、所定の軸Ａｘに取られたｘ軸上の座標に対して単調に変化するチャープ回折格子の周期を提供する関数ｆ（ｘ）によって規定される。回折格子部分５ａ〜５ｎの各々におけるチャープされた周期は関数ｆ（ｘ）によって規定される。 （もっと読む）