【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得、その上に置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子及び／又は芳香族基を有する架橋剤を含む溶液を塗布、ベークによってネガパターン表面で架橋することにより、ネガパターンのスペース部分の寸法を縮小させるパターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】感光性、基板との密着性、現像性、耐熱性、透明性等の各種物性に優れるとともに、画像形成性及び表面平滑性にも優れ、未露光部の残渣や地汚れ等がなく、かつ膜厚が充分に低減された硬化物（硬化膜）を与えることができるネガ型レジスト組成物を提供する。また、このようなネガ型レジスト組成物を用いてなるカラーフィルター及びその製造方法、並びに、該カラーフィルターを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】（メタ）アクリレート系重合体、重合性単量体及び光重合開始剤を含むネガ型レジスト組成物であって、該（メタ）アクリレート系重合体は、全単量体成分１００質量％に対し、特定構造からなる３級炭素含有（メタ）アクリレート系単量体を３０〜８０質量％含む単量体成分を重合してなる重合体。 （もっと読む）

【課題】電子デバイス製造における微細パターンの形成を可能にするネガティブトーン現像のための改良されたフォトリソグラフィ方法の提供。
【解決手段】フォトレジスト上塗り組成物、前記上塗り組成物でコーティングされた基体、並びにネガティブトーン現像プロセスによって電子デバイスを形成する方法。即ち（ａ）パターン形成される１以上の層を含む半導体基体と、（ｂ）前記パターン形成される１以上の層上にフォトレジスト層を形成し、（ｃ）前記フォトレジスト層上にフォトレジスト上塗り組成物をコーティングし、前記上塗り組成物は塩基性クエンチャー、ポリマーおよび有機溶媒を含んでおり、（ｄ）前記層を化学線に露光し、並びに（ｅ）前記露光された膜を有機溶媒現像剤で現像することを含む。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れたレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な重合体、該重合体の製造に用いるラジカル重合開始剤として有用な化合物、該化合物の製造方法、該化合物からなるラジカル重合開始剤、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表される化合物。式（Ｉ）中、Ｒ^１は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｚは炭素数１〜１０の炭化水素基又はシアノ基であり、Ｒ^１とＺとは相互に結合して環を形成していてもよい。Ｘは単結合、又は−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−若しくは−ＮＨ−Ｃ（＝ＮＨ）−を含んでいてもよい２価の連結基である。Ｒ^２は置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基である（但し、当該炭化水素基を構成する炭素原子の一部が、炭素原子以外の原子又は原子団で置換されていてもよい）。
［化１］
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【課題】感度、解像性等の基本特性のみならず、ＭＥＥＦ、ＤＯＦ等を指標としたリソグラフィー性能に優れ、より良好な断面形状のパターンを形成することができるフォトレジスト組成物、及びこの組成物を用いたネガ型のレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（１）フォトレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、（２）上記レジスト膜に露光する工程、及び（３）上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒含有現像液を用いて現像する工程を含むネガ型のレジストパターン形成方法であって、上記フォトレジスト組成物が、［Ａ］下記式（１）で表される構造単位（Ｉ）を有する重合体、及び［Ｂ］酸発生体を含有する。
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【解決手段】酸不安定基により水酸基が保護された構造を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、光酸発生剤と、有機溶剤と、フッ素原子を有する繰り返し単位を含有し、かつ水酸基を含有しない高分子添加剤とを含み、高分子添加剤の含有量が全高分子化合物の含有量に対して１〜３０質量％であるレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト組成物は、液浸露光可能な高い後退接触角を示すと共に、有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで高い解像性、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を示し、ラインパターン側壁の垂直性を高め、パターン倒れ耐性を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードに優れ、かつ露光により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制するパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂（Ｐ）及び活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を含む、パターン形成方法。


上記一般式（Ｉ）中、Ｒ_０は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、感度等の基本特性を満足し、ＭＥＥＦ、ＤＯＦ、ＬＷＲ等のリソグラフィー性能に優れ、さらには現像欠陥を抑制することができるフォトレジスト組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］下記式（１）で表される構造単位（Ｉ）を有する重合体、［Ｂ］酸発生体、及び［Ｃ］界面活性剤を含有するフォトレジスト組成物である。また［Ｃ］界面活性剤は、ノニオン系界面活性剤であることが好ましい。さらに［Ｃ］界面活性剤は、フッ素原子又はケイ素原子を含むノニオン系界面活性剤であることが好ましい。
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【課題】高感度、高解像性（例えば、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、スカムの低減、及び、現像欠陥の低減を同時に満足したパターンを形成できるネガ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスクを提供する。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する繰り返し単位（ａ）、及び、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位（ｂ）を有する高分子化合物、並びに、（Ｂ）架橋剤を含有する、ネガ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられる樹脂組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液を提供する。
【解決手段】（ア）基板上に、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ポジ型レジスト組成物を塗布する工程、（イ）露光工程、及び（エ）ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液。 （もっと読む）