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国際特許分類[G03F7/038]の内容

国際特許分類[G03F7/038]に分類される特許

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【課題】レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分(C)と、酸性化合物成分(G)と、アミン(D)とを含有するレジスト組成物を支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程(1)と、レジスト膜を露光する工程(2)と、ベークを行い露光部において光塩基発生剤成分(C)から発生した塩基と、酸性化合物成分(G)とを中和させ、未露光部において酸性化合物成分(G)の作用により基材成分(A)のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程(3)と、アルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程(4)と、を含むレジストパターン形成方法の工程(1)で用いられ、酸性化合物成分(G)1モルに対してアミン(D)を1モル以上含有するレジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】孔径45nm以下のホールパターンなどの微細パターンの形成において、露光ラチチュード(EL)、局所的なパターン寸法の均一性、断面形状の矩形性及び真円性に優れるパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】(ア)下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を有する樹脂(P)、活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物(B)、及び酸の作用により脱離する基を有する含窒素有機化合物(NA)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、(イ)該膜を露光する工程、及び(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。
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【課題】アルカリ現像プロセスで高解像かつ高感度にネガ型レジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程(1)と、前記レジスト膜を露光する工程(2)と、前記工程(2)の後にベークを行い、前記レジスト膜の露光部において前記光塩基発生剤成分から発生した塩基と、前記レジスト膜に予め供給された酸とを中和させ、前記レジスト膜の未露光部において前記酸の作用により前記基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程(3)と、前記レジスト膜をアルカリ現像してネガ型レジストパターンを形成する工程(4)とを含み、前記工程(3)における前記ベークを100℃以下で行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】超微細の孔径(例えば、60nm以下)を有し、かつ、真円性に優れるホールパターンを、良好な現像時間依存性を以って形成可能な、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスの提供。
【解決手段】(P)下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を有する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対する前記化合物(B)の含有量が8.0質量%以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。


上記一般式(I)中、Rは、水素原子又はメチル基を表す。 (もっと読む)


【課題】高解像力で、パターン倒れが抑制され、低ラインエッジラフネスの微細なパターンを形成可能なレリーフパターンの製造方法を提供する。
【解決手段】(i)フェノール性水酸基を1分子中に2個以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有する分子量400〜2500のフェノール性化合物(A)を、当該ネガ型レジスト組成物の全固形分中に70重量%以上含有するネガ型レジスト組成物を基板上に塗布した後、加熱処理し、露光前レジスト膜を形成する工程、(ii)前記露光前レジスト膜を電子線、イオンビーム、EUV、又はX線でパターン状に露光し、露光後レジスト膜を形成する工程、及び(iii)前記露光後レジスト膜を、有機溶剤を用いて現像する工程を含み、当該有機溶剤は、前記露光前レジスト膜の23℃の溶解速度が0.5nm/sec以上であって、水酸基以外にヘテロ原子を含まないアルコール溶剤である、レリーフパターンの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】耐熱性・耐薬品性・平滑性・光学特性を満足する膜あるいは微細パターンの形成が可能な、有機溶剤に可溶であるβ−ヒドロキシアルキルアミドを含む感光性組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】特定の構造を有するβ−ヒドロキシアルキルアミド(A)と、カルボキシル基を含有するポリマー(B)と、光重合開始剤(C)と、を含有する感光性組成物であって、当該組成物中に光重合性官能基を必須として含むことを特徴とする感光性組成物。
さらには、β−ヒドロキシアルキルアミド(A)が有機溶剤に可溶である上記感光性組成物。そして、上記感光性組成物を用いてなるタッチパネル層間絶縁膜用コーティング剤、カラーフィルタ用感光性組成物、感光性ソルダーレジストインキ。 (もっと読む)


【課題】本発明は、パターン形成工程におけるレジスト膜の膜減りを抑制すると共に、解像性及びLWRにも優れるフォトレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、有機溶媒を含有する現像液を用いるネガ型パターン形成用のフォトレジスト組成物であって、[A]酸の作用により水酸基となる基を含む構造単位(I)を有する重合体、及び[B]酸発生体を含有することを特徴とするフォトレジスト組成物である。また、[A]重合体が、酸の作用により、アルカリ水溶液に対する溶解度は増大し、有機溶媒を含有する現像液に対する溶解度は減少する重合体であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】孔径について現像時間依存性を低く抑えながら、真円性に優れる微細な孔径(例えば、60nm以下)のホールパターンを形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】(P)下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を有する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物、及び、(C)窒素原子を有し、かつ活性光線又は放射線の照射により変化しない塩基性化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対する前記化合物(C)の含有量が1.0質量%以上であり、かつ前記化合物(C)の前記化合物(B)に対するモル比率[C]/[B]が0.40以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【課題】レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)と露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分(C)と酸性化合物成分(G)とを含有するレジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成する工程(1)と、を露光する工程(2)と、ベークを行い、露光部において光塩基発生剤成分(C)から発生した塩基と酸性化合物成分(G)とを中和させ、未露光部において酸性化合物成分(G)の作用により基材成分(A)のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程(3)と、アルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型パターンを形成する工程(4)とを含むレジストパターン形成方法の工程(1)で用いられるレジスト組成物であって、酸性化合物成分(G)が、pKaが7以下の含窒素カチオンと対アニオンとからなる化合物(G1)を含有する。 (もっと読む)


【課題】有機溶剤現像によるネガ型パターン形成において、現像後のパターン倒れ及びブリッジ欠陥の発生を抑え、残膜率も大きい感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を有する樹脂(P)、
特定の一般式(B−1)〜(B−3)のいずれかで表される化合物(B)、及び溶剤
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。


上記一般式(I)中、Rは、水素原子又はメチル基を表す。
、R及びRは、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。 (もっと読む)


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