【課題】ＫｒＦ光、電子線及びＥＵＶ光を用い、高解像かつ高エッチング耐性を有し、更に現像残渣欠陥が低減されたネガ型のパターンを形成可能なパターン形成方法、その方法に用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及び感活性光線性又は感放射線性膜を提供すること。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位を含有し、且つ、芳香族基を含有する、酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する非イオン性化合物、及び、（Ｃ）溶剤を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、膜を形成する工程、該膜を露光する工程、露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像することによりネガ型パターンを形成する工程を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】３３０ｎｍ以下の光が遮光された光で露光した場合においても、表面の撥インク性および側面の親インク性が良好な隔壁を形成できるネガ型感光性樹脂組成物、該感光性組成物を硬化することにより形成される、３３０ｎｍ以下の光が遮光された光で露光した場合においても、表面の撥インク性および側面の親インク性が良好な隔壁ならびに該隔壁を有する光学素子を提供する。
【解決手段】アルカリ可溶性樹脂、光重合開始剤、エーテル性酸素原子を有してもよい含フッ素アルキル基および／またはシロキサン結合を含む側鎖を有する重合体からなる撥インク剤、および、沸点が１６５℃以上、Ｆｅｄｏｒの溶解度パラメータが８．０〜８．５である溶媒が全溶媒量の１０〜１００質量％を占める溶媒、を含むネガ型感光性樹脂組成物およびその硬化膜からなる基板表面を画素形成用の複数の区画に仕切る形に形成された隔壁。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び、露光ラチチュードに優れ、現像時間依存性が小さく、かつ現像により形成されるパターン部の膜べりを抑制する。
【解決手段】（ア）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程、を含む、パターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。
（もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び露光ラチチュードに優れ、パターンサイズの現像時間依存性が小さく、かつ現像により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制できるパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（ア）下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される繰り返し単位（ａ１）を樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して２０モル％以上有する樹脂（Ｐ）、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）膜を露光する工程、及び（ウ）露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を有するパターン形成方法。
（もっと読む）

【課題】高い解像力、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ）、優れたパターン形状、及び、高感度を同時に満足したパターンを形成できるレジストパターン形成方法、レジストパターン、架橋性ネガ型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】基板上に、架橋反応によりネガ化するネガ型レジスト組成物を用いて膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び露光後にアルカリ現像液を用いて現像する工程をこの順番で有する、レジストパターンの形成方法において、前記ネガ型レジスト組成物が下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有し、前記工程で形成された膜の膜厚が１５ｎｍ〜４０ｎｍであり、かつ、前記アルカリ現像液中のアルカリ成分の濃度が０．５質量％〜１．１質量％である、レジストパターン形成方法。
（もっと読む）

【課題】有機溶剤現像において溶解コントラストが大きく、かつ高感度なネガティブパターン形成用レジスト組成物及び有機溶剤による現像によってポジネガ反転によるホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】スルホンアミド基が酸不安定基で置換された式（１）の繰り返し単位ａ１及び／又はａ２を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、露光し、有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
（もっと読む）

【課題】ｉ線に高い光感応性を有する新たなスルホニウム塩及びｉ線に高い光感応性を有し，かつエポキシ化合物等のカチオン重合性化合物への相溶性が高く，その配合物において貯蔵安定性の優れた，スルホニウム塩を含んでなる新たな光酸発生剤等の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で示されるスルホニウム塩及び該スルホニウム塩を含有することを特徴とする光酸発生剤。


〔式（１）中のＲはアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^３は互いに独立して、アルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子を表す。〕 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにはその他のフォトアプリケーションのリソグラフィー工程に好適に使用され、特にネガ型現像技術において、ラインエッジラフネス、スカムやマイクロブリッジ等の欠陥の発生の無い微細なレジスパターン形成方法を提供することを課題としている。

【解決手段】露光により発生した酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する感放射線性組成物を、下記条件（１）を満足するフィルターを通過させた組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光し、有機溶剤を含有する現像液を用いて現像する工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法である。
条件（１）：フィルターの臨界表面張力が７０ｄｙｎｅ／ｃｍ以上であり、かつ荷電修飾されていない。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（例えば、高い解像力、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、及び、未露光部における残渣の低減を同時に満足したパターンを形成できるレジストパターン形成方法、レジストパターン、現像液、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物、酸の作用により前記高分子化合物を架橋する、２個以上のベンゼン環と４個以上のアルコキシメチル基とを有するフェノール性化合物、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する、ネガ型化学増幅型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び、露光後に、炭素数７又は８のエステル系溶剤を含む現像液を用いて現像する工程をこの順番で有する、レジストパターン形成方法。
（もっと読む）

【課題】位相差が低くかつ輝度が高いカラーフィルタが得られる着色樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）色材、（Ｂ）溶剤及び（Ｃ）バインダー樹脂を含有する着色樹脂組成物であって、（Ｃ）バインダー樹脂が、二重結合当量が５５０以上である重合体を含有し、更に、該重合体が多価チオール化合物の存在下、ガラス転移温度が２０℃以下の化合物を単量体成分として重合してなり、且つ、該化合物の仕込みモノマー比が３０重量％以上の重合体である着色樹脂組成物。 （もっと読む）