一方のウエハステージ（ＷＳＴ１）上のウエハに対する露光動作が行われるのと並行して両ウエハステージ（ＷＳＴ１，ＷＳＴ２）の入れ替えのため他方のウエハステージ（ＷＳＴ２）が一方のウエハステージの下方に一時的に位置する工程を含むこととすることで、一方のウエハステージ上のウエハに対する露光動作と並行して、他方のウエハステージをその一方のウエハステージの下方に一時的に位置する手順に従った両ウエハステージの入れ替え動作（交換動作）の一部を行うことができる。これにより、一方のウエハステージ上のウエハに対する露光動作が終了した時点から両ウエハステージの入れ替え動作が開始される場合に比べてその入れ替えを短時間で行うことができる。 （もっと読む）

特には極紫外線及び／又は軟Ｘ線放射を生成するガス放電源において、ガス入りチャンバは、２つの電極と、ガスを出し入れする筐体装置との間に配置され、電極は、対称軸を定義付ける放射出口開口部を有する。提案された改良点は、２つの電極間の隔壁の配置にある。該隔壁は、差動排気段階として働き、対称軸上に位置決めされた少なくとも１つの開口部を有する。
（もっと読む）

一例の実施形態によれば、投影対物レンズ（１００，２００）が提供され、そこには少なくとも２つの非平面（曲面）ミラー（Ｍ１〜Ｍ４）が含まれており、それにおいて最後から２番目の非平面ミラー（Ｍ３）と最後の非平面ミラー（Ｍ４）の間における軸距離が、光路（光軸）に沿って定義されるものとするとき、最後の非平面ミラーと、光路内において続くレンズの第１の屈折表面の間における軸距離より大きい。一例の実施形態においては、第１の屈折表面がシングル・パス・タイプのレンズと関連付けされる。本件の対物レンズは、少なくとも約０．８０またはそれ以上、たとえば０．９５の開口率を伴ってイメージを形成する。好ましくはこの対物レンズは折り返しミラーを含まず、また２つのミラーの間に中間イメージを有してなく、さらには対物レンズの瞳は、オブスキュレーションから解放される。 （もっと読む）

本発明は、限界寸法変化を低減し、レチクル、マスク又はウェハなどの基板にパターン形成し、ＣＤ均一性を改善する方法に関する。具体的には、本発明は、マルチ・パス描画方式のパスにおいて加える線量を、基板に施されるレジスト又は放射感応層の測定可能な特性値に調整することに関する。具体的な描画処理を説明する。本発明の態様は、特許請求の範囲、明細書及び図面に記載する。
（もっと読む）

本発明は、書き込みシステム及び加工物の位置調整に関する。特に本発明は、ＳＬＭを用いて、第１層のパターンを有する加工物上に第２層のパターンを書き込むための位置調整に関する。本発明は、マスク又はレチクルの作製、及びマスク又はレチクルを用いたデバイス層の作製にも及ぶ。本発明の特定の態様を特許請求の範囲、明細書及び図面に記載する。
（もっと読む）

液体の浸漬媒体（２４）にウェハ（１２）を浸漬する浸漬リソグラフィシステム（１０）を監視する方法を提供する。この方法は、露光パターンが通過する部分の浸漬媒体の反射率を検出し、ウェハに露光パターンを露光するのが妥当であるかを判定する。また、この方法とともに、浸漬リソグラフィシステム（１０）のための監視・制御システム（２６）を提供する。
（もっと読む）

本発明は、複数小ビームリソグラフィシステムにおける小ビームの大きさを変調するための変調器に関する。この変調器は、小ビームの方向に影響を与えるための少なくとも１つの手段と、変調された光ビームからの光を受けこの光を信号へと変換するための受光素子と、この受光素子から受けた信号を、所定の離散値の組から選択された離散値を有する離散的な信号へと変換し、この離散的な信号を影響を与えるための手段に提供するために、受光素子と少なくとも１つの影響を与えるための手段とに結合している離散化手段とを有している。
（もっと読む）

計測学ツール較正方法および装置が開示される。前記装置は、その上に形成された少なくとも一つの較正サイトを備える。前記較正サイトは、基板の表面に配置された少なくとも一つのフィーチャーを有するセルのパターンを含む。前記フィーチャーは、ステップ高さ計測学ツールと位相計測学ツールを較正するために、ステップ高さ計測学ツールと位相計測学ツールによる計測に供される。
（もっと読む）

液体を、液浸リソグラフィシステムのレンズとウェハテーブルアセンブリの間に実質的に閉じ込めることを可能とするための方法及び装置が開示される。本発明の一態様に従えば、露光装置はレンズとウェハテーブルアセンブリを含む。ウェハテーブルアセンブリは上面を有し、ウェハを支持して、レンズ及び少なくとも１つのコンポーネントに対して動かされるように配置されている。ウェハの上面とコンポーネントの上面は各々、ウェハテーブルアセンブリの上面とほぼ同じ高さである。ウェハの上面、ウェハテーブルアセンブリの上面及び少なくとも一つのコンポーネントの上面を含むウェハテーブルアセンブリの全上面は、実質的に平面状である。
（もっと読む）

投影光学系のフレアを正確に計測できるフレア計測技術である。計測対象の投影光学系を介してレジストの塗布されたウエハ（Ｗ）上に、次第に間隔が広くなる３対の開口パターン及びライン・アンド・スペースパターンの像（３８ＡＰ，３９ＡＰ）、（３８ＢＰ，３９ＢＰ）、及び（３８ＣＰ，３９ＣＰ）を転写した後、そのウエハ（Ｗ）を現像する。現像後に得られるレジスト像の内で、開口パターンの像（３８ＡＰ，３８ＢＰ，３８ＣＰ）に最も近いスペースパターン像（４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ）の線幅を計測し、この計測結果からその投影光学系のフレアを求める。 （もっと読む）