【課題】収差の影響を受けることなく周期パターンを用いてデフォーカスを簡単に精度良く測定すること。
【解決手段】マスクパターンの像を投影光学系を介して半導体基板上に投影する際のフォーカスをテストするフォーカステスト方法であって、平行をなすｎ個（ｎは２以上の自然数）の透光部（４３，４４）とｎ＋１個のラインパターン（４８）からなり、隣り合う２つの前記透光部の間に１つの前記ラインパターンが位置し、前記隣り合う２つの透光部を透過した各光の位相差が中間位相であるフォーカステストパターンを形成し、少なくとも前記隣り合う２つの透光部とそれらの間の前記１つのラインパターンとをマスクするトリムパターン（４５）を形成し、前記フォーカステストパターンと前記トリムパターンを重ね合わせて前記半導体基板上に投影し、前記半導体基板上に形成された前記フォーカステストパターンの像を光学的に測定して前記半導体基板の表面のデフォーカスを測定する。 （もっと読む）

【課題】フォーカス値やフォーカスずれ量を正確に測定することができるフォーカス測定方法、それを用いた半導体装置の製造方法および露光システムを提供する。
【解決手段】レジストパターンのＬＥＲ値がフォーカス値に依存して変動することを利用してフォーカス値を求める。それぞれのパターンのＬＥＲ値のフォーカス依存性は、あらかじめ取得されている。フォーカス値を求める場合、フォーカス値測定対象の露光により形成されたフォーカス測定用レジストパターンのＬＥＲ値を測定する。当該ＬＥＲ値に対応するフォーカス値は、あらかじめ取得されたＬＥＲ値のフォーカス依存性から求めることができる。フォーカスずれ量は、当該フォーカス値とベストフォーカス値との差から求めることができる。フォーカス測定用レジストパターンとして、ラインパターンとスペースパターンとを採用することにより、フォーカスずれの方向も求めることができる。 （もっと読む）

【課題】フォーカス位置を正確に把握できるフォーカステスト法を提供する。
【解決手段】放射ビームを用いて第１の投影を行って、第１基準マークを基板上に投影して、第１基準マーク像１２を生成する工程と、放射ビームを用いて第２の投影を行って、第１サンプルマークを前記基板上に投影して、第１サンプルマーク像Ｉ３を生成する工程とを備え、前記第１基準マーク像Ｉ２と前記第１サンプルマーク像Ｉ３とが少なくとも部分的に重なり合い、前記第２の投影が、前記第１の投影に比べて比較的フォーカス感度がある。 （もっと読む）

【課題】 被験物の反射率に影響されることなく、高い精度で被験物の位置を検出可能な表面位置計測システムを提供する。
【解決手段】 複数の回路パターンのそれぞれの予測反射率を、複数の回路パターンの製造に用いられたフォトマスクの設計データから算出する反射率算出モジュール202、複数の回路パターンのそれぞれの上の複数の検査領域毎に、予測反射率に基づいて照射条件を変化させながら検査光を照射する検査光源10、及び複数の検査領域のそれぞれの表面位置を検出するために、複数の検査領域のそれぞれで反射された検査光を検出する光検出器11を備える。 （もっと読む）

【課題】小点の画像を形成する場合であっても所望の画像を形成することができる画像形成装置を提供する。
【解決手段】露光対象の画素のうちの任意の一画素を中心とする主走査方向および副走査方向の両方向に所定数の画素の幅を有する領域において、露光対象の画素の数を検出し、検出した露光対象の画素の数が所定数以下の場合は、任意の一画素が小点であると判別する小点判別手段７０と、小点判別手段７０が、小点と判別した画素の露光を行なう前後の所定時間だけバイアス光を増大させるバイアス光変調手段と、を備える画像形成装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板上にマルチレベルフィーチャを形成するために使用される製造プロセスの精度を改善するデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】複数の概ね平らな表面を含むターゲット領域を有し、各表面が基板テーブルに対して異なる高さを有する基板を、基板テーブル上に提供するステップこと、各概ね平らな表面の相対的高さを決定すること、ビームの焦点面が概ね平らな表面の中の１つ面に実質的に一致するように、基板のターゲット領域上にパターン付き放射ビームを投影すること、ビームの軸に実質的に平行な方向に基板テーブルを移動すること、および、ビームの焦点面が概ね平らな表面の中の他の面に実質的に一致するように、基板のターゲット領域上にパターン付き放射ビームを投影することを含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ウエハ等の基板を露光する露光装置に関し、装置内において基板の裏面の異常を検査することを目的とする。
【解決手段】 基板の表面に露光を行う露光部と、前記露光部に前記基板を搬送する搬送手段と、前記基板の裏面の異常を検査する検査手段とを有することを特徴とする。また、前記基板の裏面の異常は、前記裏面への異物の付着、または、前記裏面に形成されるスクラッチであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェハの表面位置を高精度に検出できる表面位置検出方法、露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の第１側面に係る表面位置検出方法は、基板の面位置を計測する第１面位置計測ステップと、前記基板の面方向の位置を計測する面方向位置計測ステップと、前記第１面位置計測ステップにおける計測結果と、前記面方向位置計測ステップにおける計測結果とに基づいて、少なくとも鉛直方向に前記基板を移動する第１移動ステップと、前記第１移動ステップの後に前記基板の面位置を計測する第２面位置計測ステップとを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】計測用レジストパターンの形成時間が掛からず、観察者の主観が排除され、迅速に結像面の傾斜を補正できる結像面傾斜の補正量計測方法を提供する。
【解決手段】結像面傾斜量の異なる複数の露光ショット１を半導体基板５９上に転写し、この露光ショット１内に５箇所の計測用レジストパターン４を配置し、この計測用レジストパターン４を外枠パターン５と楔形パターン６で構成し、楔・直線段差部間の距離Ｘ１と直線段差部間の距離Ｘ２を重ね合わせ測定装置で計測し、５点の差分Δ＝（Ｘ１−Ｘ２）／２を算出し、この差分Δのばらつきが最も小さい露光ショット１を選定して、最適な補正値とする。 （もっと読む）

【課題】 オフセット値を精度良く求める。
【解決手段】基板４０１上の複数のショット４０２Ａ，Ｂ，Ｃのそれぞれに関し、複数の箇所に関し検出器により検出された表面の複数の位置４０３Ａ，Ｂ，Ｃを近似する線または面を算出する。さらに、前記複数の箇所のそれぞれに関し、前記検出器により検出された前記表面の位置４０３Ａ，Ｂ，Ｃと、前記線または面の前記光軸方向における位置との差を算出する。次に、前記複数の箇所のそれぞれに関し、前記差を前記複数のショットにわたって平均化する。このようにしてオフセット値を求める。 （もっと読む）