国際特許分類[G03F7/207]の内容
物理学 (1,541,580) | 写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ (245,998) | フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置 (42,984) | フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化またはパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置 (38,375) | 露光;そのための装置 (8,784) | 焦点調節手段,例.自動焦点調節手段 (137)
国際特許分類[G03F7/207]に分類される特許
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露光装置
【課題】露光装置内に搬入されたレチクルとペリクルに囲まれた空間であるペリクル空間のパージ時間を短くでき、レチクルの搬入時間が短縮され生産性が向上する露光装置を提供する。
【解決手段】 ペリクル枠25に各1つ以上設けられた供給口aと排出口bにそれぞれ不活性ガスを供給および排出するための供給ノズル33および排出ノズル34を近接あるいは密接させて、これらの供給口と排出口を介してペリクル空間20のパージを行うとともに、ペリクル膜の外側からペリクル空間と略同一の圧力を加える。
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露光装置および露光方法
【課題】感光材料に孔が設けられている場合においても、感光材料に対して正確にピントを合わせて露光できる露光装置および露光方法の提供。
【解決手段】感光材料の被露光面の位置高さを計測する距離計測手段と、感光材料の被露光面の孔位置を判断する孔位置特定手段と、感光材料上における孔位置を特定する孔座標測定手段と、変位データ作成手段と、露光手段の光ビームの焦点位置を前記被露光面に一致させるフォーカス制御を行うフォーカシング手段とを備えた露光装置において、前記距離計測手段において所定の大きさ以上の変位量を検出した場合には、前記変位データ作成手段は、前記孔位置特定手段と、前記フォーカシング手段と、前記孔位置特定手段による判断結果に基づいて孔と判断された位置を除いて、前記変位データ作成手段において、前記フォーカシング手段によるフォーカス制御のための変位データを作成する。
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光反応装置
【課題】マイクロパターンの作製を安価且つ迅速に実現できる光反応装置を提供する。
【解決手段】光反応装置1は、入力画像を表示するLCDパネルに光を照射することによって画像を投写するLCDプロジェクタ3と、光反応性の試料を設置する試料設置ステージ16と、LCDプロジェクタ3からの投写光を縮小して試料上に結像させる縮小投写レンズ13と、試料に結像される画像の投写倍率を調整するためのズーム調整機構4とを備える。ズーム調整機構4は、LCDパネルと縮小投写レンズ13間の距離を調整するための第1調整ベース11と、縮小投写レンズ13と試料間の距離を調整するための第2調整ベース12とから構成されている。
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パターン描画装置
【課題】光源としてのランプとマイクロミラーデバイスを用いたパターン描画装置で、マイクロミラーデバイスに対して紫外光を斜めから入射させる必要がなくかつ反射した紫外光の光路を邪魔しない装置を提供する。
【解決手段】パターン描画装置100では、水銀ランプ101からの紫外光を偏光変換光学系103に入射させ、無偏光の光を直線偏光のS波に変換する。紫外光は、偏光ビームスプリッタ105に入射し100%近く反射して上方に進み、1/4波長板106を通過し円偏光となってマイクロミラーデバイス107に入射する。 マイクロミラーデバイスで反射する紫外光の内、パターン露光に寄与する紫外光は真っ直ぐに下方に進み、再度、1/4波長板を通過することでP波となり、偏光ビームスプリッタを100%近く透過し下方に進む。下方に進む紫外光の内、パターン露光に寄与するものは、ピンホール板110を通過して基板114に到達する。
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露光マスク、リファレンスデータ作成方法、フォーカス測定方法、露光装置管理方法および電子デバイス製造方法
【課題】 露光装置のデフォーカス量を簡単且つ精度良く測定する。
【解決手段】 投影露光装置の投影光学系により基板上に転写されるマスクパターンが設けられた露光マスクであって、マスクパターンは、高低差のある基板32上の各高さに転写される一のパターンを含み、基板32上における投影露光装置のデフォーカス量によって、基板32上における各高さに転写されるパターンA,Bの寸法差または終端部の後退量差が変動する。これにより、露光装置のデフォーカス量を簡単且つ精度良く見積もることができる。
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オフセット調整方法及び荷電ビーム描画装置
【課題】本発明は、描画中に成形偏向器ドリフトを補正して描画位置及びショットサイズのずれのない描画を行う。
【解決手段】描画中に、半導体ウエハ11からの反射電子量を反射電子量検出器20により測定し、この測定された反射電子量と予め測定したショットサイズSに対する反射電子量の関係とからドリフト量算出回路24によりドリフト量(x´,y´)を求め、このドリフト量により電子ビームのショットサイズSを各補正回路25a,25bにより補正し、このショットサイズに従って成形偏向器6を偏向調整する。
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投影露光装置およびその方法
【目的】ウエハ等の被露光基板上のフォトレジストの表面形状を光学的手段によって検出し、露光単位毎に焦点を合せる領域を選択し、解像度の高い投影露光を実現する投影露光装置およびその方法を提供する。
【構成】可干渉性光源11からの可干渉光を、大きい入射角でウエハ等の被露光基板4の表面に照射させて反射光と参照光を干渉させ、検出位置と共役な位置の干渉縞の位相の揺らぎから被露光基板4の表面形状を検出し、露光単位毎に前記検出された被露光基板4の表面形状データから所望の表面形状データを選択し、該選択された所望の表面形状データに基づいて被露光基板の露光単位の表面を縮小投影レンズ91の結像面に焦点合せ制御を行う。
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