【課題】高解像度で、十分な厚膜化が可能であり、かつ透明性、耐熱性、密着性、耐溶剤性等の諸物性にも優れた層間絶縁膜を形成しうる層間絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物、当該樹脂組成物から形成された層間絶縁膜等を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）（ａ）酸性官能基を有する重合性不飽和化合物１０〜５０重量％、（ｂ）脂環式炭化水素基を有し、酸性官能基をもたない重合性不飽和化合物２０〜６０重量％および（ｃ）他の重合性不飽和化合物５〜４０重量％を重合して得られるアルカリ可溶性共重合体、（Ｂ）重合性不飽和化合物、（Ｃ）光重合開始剤、並びに（Ｄ）カップリング剤を含有することを特徴とする。
層間絶縁膜は、当該層間絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物から形成される。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子製造用のマスクパターン及びその形成方法と、微細パターンを持つ半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に形成されたレジストパターンと、レジストパターンの表面上で陽子供与ポリマー及び陽子受容ポリマーが水素結合によって相互連結されたジッパー型の接合領域を持つゲル層と、を備える半導体素子製造用のマスクパターン。マスクパターンの形成において、レジストパターン上にゲル層を形成するために、陽子供与ポリマー、陽子受容ポリマー、及び塩基を含むコーティング組成物を準備する。コーティング組成物をレジストパターンの表面に接触させる。コーティング組成物がレジストパターンの表面に接触した状態でレジストパターンを熱処理して、レジストパターンからコーティング組成物に酸を拡散させる。 （もっと読む）

【課題】 露光量が比較的少なくても、パターン精度に優れた硬化物が得られる放射線硬化性組成物、その保存方法、硬化膜形成方法及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の放射線硬化性組成物は、（ａ）成分：シロキサン樹脂と、（ｂ）成分：光酸発生剤又は光塩基発生剤と、（ｃ）成分：（ａ）成分を溶解可能であり、非プロトン性溶媒を含む溶媒とを含有してなるものである。 （もっと読む）

【課題】
硬化樹脂パターンの形成において、高い平坦化性能や高い感度等を兼ね備え、高い可視光透過性を有する感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】
硬化性を有するアルカリ可溶性樹脂（Ａ）、キノンジアジド化合物（Ｂ）および溶剤（Ｃ）を含有する感放射線性樹脂組成物において、硬化性を有するアルカリ可溶性樹脂（Ａ）が、ニトリル基を有さないアゾ系ラジカル重合開始剤（ａｉ）を用いて重合して得られた重合体であることを特徴とする感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

本発明の方法により、構造化表面が形成される。この構造化表面を形成する方法は、前記基板の主表面に、除去可能な放射線感光コーティングを設置するステップと、除去可能な放射線感光コーティングを放射線で露光して、除去可能な放射線感光コーティングの露光部分を基板から除去して、構造化表面を形成するステップとを有する。次に、構造化表面は、基板と、少なくとも一つの分離バンクによって定形された構造のパターンを有する。また、本方法は、前記構造および分離バンクに、流動性材料を設置するステップを含んでも良く、これにより、構造内に流動性材料のパターンが形成される。
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【課題】 引き置きによるパターンの寸法変動を抑制し、精度よいパターンを再現性よく製造する方法の提供。
【解決手段】 （１）基板上にポリシラザン化合物および光酸発生剤を含んでなる感光性組成物の塗膜を形成させる工程、（２）塗膜を像様露光する工程、（３）塗膜を弱アルカリ性水溶液に浸漬する工程、および（４）現像する現像工程を含んでなるパターン形成方法、およびそれにより得られたパターンを焼成してシリカ質膜を製造する方法。このシリカ質膜は、半導体デバイスに応用することができる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ上に形成されたレジストパターンのストライエーションを改善してエッチング処理後のパターンの形状を適切なものとする。
【解決手段】 パターンの露光処理の後に現像処理が行われる基板の処理方法において，現像処理後のレジストパターン１１０の側壁部１１１が溝側に膨出し，かつレジストパターンの底部の角隅部１１５に，溝側に膨出してかつ溝側に凹に湾曲する膨出部１１６が形成されるように，レジストパターン形状を整形する整形工程を有する。側壁部１１１を膨出させることでストライエーションが改善し，エッチング処理後の形状が好適なものとなる。 （もっと読む）

【課題】遮光膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、半透明位相シフト膜パターンが、遮光膜パターンの寸法精度の影響を受けずに形成ができ、寸法精度が良好であるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】透明基板上に半透明位相シフト層、レジスト層を順次、積層する工程と、レジスト膜に必要とするメインパターンとアライメントマークを形成する工程と、レジスト膜をマスクとして半透明位相シフト層をエッチングして、必要とする半透明位相シフト膜を形成する工程と、遮光層を形成する工程と、レジスト層を積層し、所定の形状のレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜をマスクとして遮光層を選択的エッチングして、遮光膜パターンを形成する工程とを少なくとも有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】パターン精度ならびに歩留まりの高いステンシルマスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上にマスク材料層を形成した構造を準備する工程、前記マスク材料層上に無機レジスト層を形成する工程、前記無機レジスト層上に有機レジスト層を塗布した後、リソグラフィーによりパターニングし、有機レジストパターンを形成する工程、前記有機レジストパターンをエッチングマスクとして用いて、前記無機レジスト層をエッチングし、無機レジストパターンを形成する工程、前記基板の裏面を加工し、ステンシルマスク基体を形成する工程、前記無機レジストパターンをエッチングマスクとして用いて、前記マスク材料層をエッチングし、マスク母体を形成する工程、及び前記無機レジストパターンを除去する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐磨耗性、解像性を有するサンドブラスト用レジストの提供。
【解決手段】
（ａ）末端に水酸基を有するポリマーまたはモノマーと、ポリイソシアネートと、活性水素を有する官能基とエチレン性不飽和二重結合を分子内に共に有する化合物より得られるポリウレタンプレポリマー、（ｂ）下記一般式（Ｉ）で表される置換基Ｘ、及び下記一般式（ＩＩ）で表される置換基Ｙによって水酸基が置換された、無水グルコース単位からなるセルロース誘導体であって、該グルコース単位の置換基Ｘの平均置換度が1.5 〜2.7 、かつ置換基Ｙの平均置換度が0.3 〜1.5 であり、そして該ＸとＹの和が2.4 以上3.0以下であることを特徴とするセルロース誘導体、（ｃ）光重合開始剤を、（ａ）45〜90質量% 、（ｂ）5 〜50質量% 、（ｃ）0.01〜20質量% の割合で含むことを特徴とするサンドブラスト用感光性樹脂組成物である。
Ｘ＝−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ₂ ＣＨ₃ ・・・（Ｉ）
Ｙ＝−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）Ｒ−ＣＯＯＨ ・・・（ＩＩ）
（式中ＲはＣ₁ 〜Ｃ₈ の鎖状もしくは環状の炭化水素基である。） （もっと読む）