本発明は、（Ｉ）導電性、電気抵抗性および誘電性の粒子から選択される機能相粒子と、３２５〜６００℃の範囲のガラス転移温度を有する無機結合剤とを含む無機材料の微細粒子を含み、（ＩＩ）（ｅ）コポリマー、インターポリマーまたはそれらの混合物である水性現像可能な非感光性ポリマーであって、各コポリマーまたはインターポリマーが、（１）Ｃ_１−１０のアルキルアクリレート、Ｃ_１−１０のアルキルメタクリレート、スチレン、置換スチレンまたはそれらの組合せを含む非酸性コモノマーと（２）エチレン性不飽和カルボン酸含有部分を含む酸性コモノマーとを含む水性現像可能な非感光性ポリマーと、（ｄ）第１および第２の官能性単位を有する二官能性ＵＶ硬化性モノマーであって、第１の官能性単位がビニル基であり、第２の官能性単位が、カルボン酸部分との反応によって化学結合を形成することができる、二官能性ＵＶ硬化性モノマーとを含む有機媒体中に分散された、光画像形成性前駆組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】 樹脂中の酸性官能基との反応が抑制される卑金属粉末、その卑金属粉末を用いてゲル化が抑制された樹脂組成物、卑金属粉末の製造方法、樹脂組成物の製造方法、その樹脂組成物を用いた回路基板の製造方法、およびセラミック多層基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 内部が卑金属であり、表面が、塩基性卑金属化合物でなく、酸性官能基と反応せず、さらに有機溶剤に実質的に溶解しない物質からなる被覆処理膜と、卑金属の酸化皮膜とにより被覆されている卑金属粉末と、酸性官能基を有する樹脂とを含有する樹脂組成物を作製し、この樹脂組成物を用いて、回路基板およびセラミック多層基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、犠牲ハードマスクのエッチング選択比を増加させ、パターン変形を最小化できる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも前記犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、支持体上の酸化銀膜から非画像部を簡便な方法で除去して、高精細かつ高導電性の銀画像、またはそのような銀画像を簡便に得ることができる酸化銀画像を作製する方法を提供するものである。
【解決手段】酸化銀塗膜から酸化銀の一部をレーザー光によってアブレーションして除去することにより、酸化銀画像を形成する。さらに、この酸化銀画像を加熱処理により、銀画像に変換する。本方法はドライなプロセスであり、廃液の発生を抑制できる。また、レーザー光のエネルギーを適切に調節することにより、非画像部の除去と画像部酸化銀の銀への変換を同時に行い、効率よく酸化銀塗膜から銀画像を作製できる。 （もっと読む）

【課題】 ＡｒＦレーザー光を利用でき、ＡｒＦレジスト等のライン系等のレジストパターン上に塗布等するだけで、そのサイズ依存性なく厚肉化可能で、露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターン等を低コストで簡便に効率良く形成可能なレジストパターン厚肉化材料等の提供。
【解決手段】 樹脂と、水酸基を少なくとも２つ有する多価アルコールとを含むレジストパターン厚肉化材料。レジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン厚肉化材料を塗布するレジストパターンの製造方法。被加工面上にレジストパターンを形成後、レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン厚肉化材料を塗布することによりレジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 チップサイズパッケージ型の半導体装置の製造方法において、レジスト層のパターニングの不良を極力抑止する。
【解決手段】 半導体基板１０の裏面に開口部１０ｗを形成した後、それらの上に第２の絶縁膜１６及び第２のレジスト層１７を形成する。次に、第２のレジスト層１７の表面に対して、アッシングによる親水性処理を行う。次に、開口部１０ｗの底部のパッド電極１２の一部上からダイシングラインＤＬに至る領域を開口するマスクを用いた露光を行う。次に、第２のレジスト層１７を含む半導体基板１０を現像液２０ｄに浸漬して、第２のレジスト層１７を現像する。ここで、現像液２０ｄが開口部１０ｗの底部及びその近傍に行き渡り、当該底部のパッド電極１２の一部上からダイシングラインＤＬに至る領域の第２のレジスト層１７が確実に除去されて、第２の絶縁膜１６の一部が確実に露出される。 （もっと読む）

【課題】 表面変質層が形成されたレジストパターンを容易に除去する。
【解決手段】 例えば、まず、窒化シリコンからなるオーバーコート膜１３をその上に形成されたコンタクトホール１５形成用のレジストパターン２４をマスクとしてドライエッチングしてコンタクトホール１５を形成すると、レジストパターン２４の表面に表面変質層２４ａが形成される。次に、表面変質層２４ａを含むレジストパターン２４をモノエタノールアミンを主成分とするレジスト剥離液を用いて剥離する。この場合、表面変質層２４ａは上記レジスト剥離液に溶解しないため、表面変質層２４ａが残渣としてある程度残る。そこで、次に、この表面変質層残渣を水素水中でメガソニック洗浄を行なって除去する。 （もっと読む）

ポリマー、その使用方法、その分解方法が提供される。ポリマーの一例には、特に、捨てポリマーおよび光開始剤を有する感光性ポリマーがある。
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【課題】 不揮発性メモリ素子のトンネリング絶縁膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 フォトリソグラフィ工程の現状の解像度を凌駕してトンネリング絶縁膜を形成する方法であって、基板上に第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜を形成する工程と、リフロー可能な物質膜パターンを形成した後、これをリフローさせる工程と、第２の絶縁膜及び第１の絶縁膜を除去して基板を露出させる工程と、トンネリング絶縁膜を形成する工程と、を含む。これにより、フォトリソグラフィ工程の解像度による寸法よりもさらに狭い寸法を有するトンネリング絶縁膜を形成することができ、これによるプログラム及び消去効率を低減させることなくメモリ素子の高集積度を達成することができる。 （もっと読む）

芳香族基と極性基とを有する基が結合した脂環式オレフィン樹脂、酸発生剤、架橋剤、及び溶剤を含有し、低誘電率、平坦性、透明性、及び耐溶剤性に優れることに加えて、解像度、残膜率、及びパターン形状に優れ、しかも耐熱変色性にも優れる感放射線性樹脂組成物。該感放射線性樹脂組成物を用いた樹脂パターン膜の形成方法。該樹脂パターン膜とその電子部品用樹脂膜としての利用。 （もっと読む）