【課題】基板上のフォトレジストエッチングマスクを通して低ｋ誘電体層中にフィーチャをエッチングする方法を提供する。
【解決手段】単一のフォトレジストマスクを剥離するガス変調された周期的剥離プロセスが３サイクルより多く行われる。ガス変調された周期的剥離プロセスのそれぞれのサイクルは、保護層形成フェーズおよび剥離フェーズを実行することを含む。保護層形成フェーズは、堆積ガス化学物質と共に第１ガス化学物質を用い、保護層形成フェーズはそれぞれのサイクルについて約０．００５〜１０秒行われる。フォトレジストマスクを剥離する剥離フェーズは、剥離ガス化学物質を用いた第２ガス化学物質を用い、第１ガスは第２ガスとは異なり、エッチングフェーズはそれぞれのサイクルについて約０．００５〜１０秒行われる。 （もっと読む）

高分子バインダー中に分散した表面張力変性剤を含んで成るプライマー層（１０４）を、石版印刷部材（１００）のイメージング層（１０６）と基材（１０２）との間に配置することで、露出した画像領域の親油性を阻害する熱分解生成物の生成を阻害し、それによって、印刷物製造性能及び効率を高めることができる。また、プライマー層をもちいることで、製造時及び印刷物製造工程時の、静電気の蓄積が防止される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、２つの異なる光画像形成膜組成物、特に、基板上に２つの異なるドライフィルム組成物を設ける方法に関する。
【解決手段】２つの光画像形成膜組成物は、現像後、光画像形成膜上層が光画像形成膜下層にオーバーハングするように、異なる現像速度及び／又は硬化速度を有するようにそれぞれ選択される。その後、金属層が基板の表面上に堆積される。オーバーハング形状は基板と光画像形成膜層との界面に沿って金属層が光画像形成膜層との密着を防ぐため、オーバーハング形状が次に配置される金属層に損傷を与えずに、光画像形成膜層の完全な除去が可能となる。 （もっと読む）

ディスプレイ基材（１３）に、互いに関して所定の位置にカラー素子（９、１０、１１）とアドレス指定用バスバー（８）を設ける方法は、転写キャリア（１）の表面上に前記カラー素子（９、１０、１１）及び前記バスバー（８）を形成すること；前記カラー素子（９、１０、１１）及び前記バスバー（８）を前記ディスプレイ基材（１３）に付着させること；及び、前記転写キャリア（１）を除去することを包含する。 （もっと読む）

アモルファス炭素材料を堆積するための方法が提供される。一態様では、本発明は、処理チャンバに基板を位置決めするステップと、該処理チャンバに処理ガスを導入するステップであって、該処理ガスがキャリアガス、水素および１つ以上の前駆体化合物を含むステップと、二重周波数ＲＦ源から電力を印加することによって該処理ガスのプラズマを生成するステップと、該基板上にアモルファス炭素層を堆積するステップとを含む基板処理方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 クロム含有材料をパターン形成する場合における、下にある基板との不都合な相互作用を防止する改善されたレジスト配合物を提供する。
【解決手段】 室温で固体の塩基と液体の低蒸気圧塩基とを含む塩基添加物の組み合わせを用いることによって、異なる基板上であっても良好なフッティング特性を有するレジスト組成物が得られる。この組成物は、マスク製造に一般に用いられるクロム含有層などの金属基板に対して特に有用である。 （もっと読む）

半導体素子（５０）は、導電層（１６）をパターニングしてトランジスタ（８０，８２，８４）のゲート（６０，６２，６４）を形成することにより形成される。ゲート（６０，６２，６４）を形成するプロセスは、導電層（１６）を覆うフォトレジスト（５４，５６，５８）をパターニングする工程を有する。パターニング済みフォトレジスト（５４，５６，５８）をトリミングしてフォトレジストの幅が小さくなるようにする。フッ素、好適にはＦ_２をトリミング済みフォトレジスト（５４，５６，５８）に導入して導電層に対するフォトレジストの硬度及びフォトレジストの選択性を高くする。トリミング済みのフッ素化フォトレジスト（５４，５６，５８）をマスクとして使用して、導電層（１６）をエッチングしてゲート（６０，６２，６４）として有用な導電パターンを形成する。トランジスタ（８０，８２，８４）は、導電性ピラーがゲート（６０，６２，６４）となるように形成される。他のハロゲン元素、特に塩素をフッ素の代わりに使用することができる。
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永久フォトレジスト組成物であって、（Ａ）式Ｉによる１種又は複数のビスフェノールＡ−ノボラックエポキシ樹脂（ただし、式Ｉ中の各基Ｒはグリシジル又は水素から個別に選択され、式Ｉ中のｋは０〜約３０の範囲にある実数である）と、（Ｂ）式ＢＩＩａ及びＢＩＩｂにより表される群から選択される１種又は複数のエポキシ樹脂（式中、式ＢＩＩａにおける各Ｒ_１、Ｒ_２、及びＲ_３は、水素、又は炭素原子１〜４個を有するアルキル基からなる群より独立に選択され、式ＢＩＩａ中のｐの値は１〜３０の範囲にある実数であり；式ＢＩＩｂ中のｎ及びｍの値は独立に１〜３０の範囲にある実数であり、式ＢＩＩｂ中の各Ｒ４、及びＲ５は、水素、炭素原子１〜４個を有するアルキル基、又はトリフルオロメチルからなる群より独立に選択される）と、（Ｃ）１種又は複数のカチオン性光開始剤（光酸発生剤又はＰＡＧとしても知られる）と、（Ｄ）１種又は複数の溶媒とを含む組成物。 （もっと読む）

我々はレチクル製造のために限界寸法バイアスを減少させてきた。レチクル基板の放射線阻止層へのパターン転写は、本質的に、パターンがフォトレジストから転写されるハードマスクの使用に左右される。ハードマスクへのパターン転写の間に生じるフォトレジストプルバックは最小にされる。更に、放射線阻止層の反射特性に適合する反射防止特性を持つハードマスク材料が、限界寸法サイズの減少とハードマスク自体におけるパターン特徴部の完全性の改善を可能にする。放射線阻止層上に残った反射防止ハードマスク層は、レクチルが半導体デバイス製造プロセスに用いられる場合に機能性を与える。
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中空の円筒形基底層及びその一番外側層として継ぎ目のない像記録表面を含んでなる継ぎ目のない印刷スリーブが記載される。像記録表面は一体型のフレキソ印刷表面として働く。印刷スリーブは好ましくは、基底層の外面と像記録表面間に中間の感光性重合体又は弾性の重合体層を含んでなる。更に基底層は好ましくは、化学線に均一に透過性又は半透過性である。
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