【課題】 露光後の薬剤による現像処理を必要とせず、露光画像の確認が容易で、画像形成における必要エネルギーが少なく、かつ印刷工程において、印刷機内を汚染することのない平版印刷版材料および、可視画像形成方法を提供する。
【解決手段】 熱または光により、酸化力を生じる化合物Ａと、酸化力を生じたＡによって酸化される化合物Ｂ、およびＢの酸化物との共存下で色調が変化するバインダーＣを含有する可視画付与層を有することを特徴とする平版印刷版材料。 （もっと読む）

本発明は、（ａ）基板、（ｂ）基板上に重なる第１のポリマー層、（ｃ）第１のポリマー層上に重なる第２のポリマー層、（ｄ）第２のポリマー層上に重なる金属ハードマスク層、及び（ｅ）金属ハードマスク層上に重なる感光性層を備える前駆体物品は、フォトリソグラフィのイメージング、現像、及びプラズマエッチング工程が施され、基板及びフォトリソグラフィのイメージングに使用されるフォトマスクのパターンに対応するパターンに配置されている第１のポリマー層の一部を含む物品を形成する、光導波路等の物品を準備するための微細加工プロセスに関する。 （もっと読む）

遠位の酸不安定部分含有ペンダント基をもつモノマー単位を有する酸感応性ポリマーからなる像形成ポリマー成分を含有するレジスト組成物の使用により、１９３ｎｍ放射線、及び／又は場合によっては他の放射線を用いて像形成可能であり、改良された現像特性のレジスト構造を形成するために現像可能であり、かつ改良された耐エッチング性のレジスト構造が可能となる、酸触媒ポジ型レジスト組成物が得られた。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜に低誘電率絶縁膜を用いた半導体作製の時、ハードマスクを用いて微細加工を行う製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体に低誘電率絶縁膜１３を適用して低誘電率絶縁膜１３とその下層のエッチングストッパー膜１２を加工する時、まずレジスト１５ａをマスクとしたハードマスク膜１４のエッチングを行い、続いてレジスト１５ａをＨ_２とＨｅの混合ガスで２００℃より高い高温、１Ｔｏｒｒ付近の圧力の条件でアッシングを行う。このようにすればレジスト除去においてハードマスク膜１４ａにダメージを与えることなく続く低誘電率絶縁膜１３のエッチングにおいてファセットの少ないハードマスクによる微細加工が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、印刷時の非画像部の汚れ防止性に優れる、現像後の感光性平版印刷版の処理方法を提供することにある。
【解決手段】 アルミニウム板支持体上に重合可能なエチレン性二重結合含有化合物、光重合開始剤及び高分子結合材を含有する光重合型感光層を有する感光性平版印刷版を、画像露光し、実質的に珪酸塩を含まない現像液で現像処理した後、ホスホン酸化合物を含有する版面保護剤にて４０℃〜９０℃で版面処理することを特徴とする感光性平版印刷版の処理方法。 （もっと読む）

【課題】 入射光の集光効率に優れたイメージセンサを得ることができるマイクロレンズ形成方法を提供すること。
【解決手段】 第１マイクロレンズと第２マイクロレンズとを順に形成することにより、イメージセンサのマイクロレンズを形成する方法であって、基板５０上に第１フォトレジスト膜を塗布するステップと、選択的にパターンニングすることにより、一部の単位画素領域Ａに第１フォトレジストパターンを形成するステップと、第１フォトレジストパターンをフローさせることにより、第１マイクロレンズ５５Ｃを形成するステップと、全面に第２フォトレジスト膜を塗布するステップと、第２フォトレジスト膜を選択的にパターンニングすることにより、第２フォトレジストパターン５６Ａを形成するステップと、第２フォトレジストパターン５６Ａをフローさせることにより、第２マイクロレンズを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 永久透明感光性レジストを現像処理した際に、現像液に使用されている現像液成分が感光性レジスト膜の表層に浸透、もしくは感光性レジスト膜表面に付着し、付着した現像液成分は、純水によるリンス工程でも十分除去出来ておらず、加熱工程での着色要因となっているので、これを解決し、透明性に優れる感光性レジスト膜を提供しうる現像後の洗浄処理方法を提供すること。
【解決手段】 感光性レジストのパターニング工程において、露光及び現像処理した感光性レジスト膜に対して、酸性水溶液を供給して洗浄処理を行う工程を有する、透明永久膜の洗浄処理方法。
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【課題】低誘電材料やウエハ基板へのダメージ、汚染及び作業環境の悪化を防止することが可能な、レジスト材の除去を伴ったパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１０の上に、ＳｉＯ₂膜などの低誘電材料膜１１を形成し、その上に水溶性またはアルカリ可溶性ポリマー層１２を形成する。次に、この水溶性またはアルカリ可溶性ポリマー層１２上に、非水溶性または非アルカリ性ポリマー層１３を形成する。次いで、レジスト膜１４を塗布・形成し、露光・現像の後に、エッチングを水溶性またはアルカリ可溶性ポリマー層１２より下部の層（低誘電材料膜１１）まで行い、パターンを転写する。その後、ウエハ基板を水またはアルカリ溶液に浸漬し、側壁に露出した水溶性またはアルカリ可溶性ポリマー層１２から溶解させ、水溶性またはアルカリ可溶性ポリマー層１２より上層全ての層（１３，１４）を剥離することにより、レジスト材の除去を行いつつ所定のパターンをウエハ基板上に形成する。 （もっと読む）

【課題】 サーマルフロープロセスにおいて、パターン制御性が良好な技術を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大するベース樹脂成分、及び（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する酸発生剤成分を含有するポジ型レジスト組成物であって、
前記（Ａ）成分は、１９３ｎｍにおける吸光度が１．０（１／μｍ）以下であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５以下である樹脂を含み、かつ
当該ポジ型レジスト組成物が、サーマルフロープロセス用であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】 常に一定の紫外線強度をもって処理基板を処理できる熱安定化装置を提供する。
【解決手段】 処理基板Ｗに照射する紫外線強度については予め決めておき、この値とセンサ１６で検出した紫外線強度とが異なる場合には、昇降部材１５によってランプハウジング１２を昇降動させ、所定の強度の紫外線を処理基板Ｗに照射する。このようにして、処理基板Ｗの表面に形成したレジスト膜に、減圧下で、加熱と紫外線照射を施すことで、熱安定化処理が終了し、この後は通路６を介して処理空間Ｓ内に不活性ガスを充填し、処理基板Ｗを払い出し、この後例えばエッチングにてパターンを形成するとともにパターン間にめっき液を供給する。 （もっと読む）