フォトパターン形成性塗布材料がこれまでに用いられなかった波長で半導体素子構造体の形成に用いられことを可能とするキャップ層。該フォトパターン形成性塗布材料を半導体基板へ層として塗布する。該キャップ層及びフォトレジスト層がそれぞれ該フォトパターン形成性層上に形成される。該キャップ層は放射線を吸収または反射し、そして該フォトパターン形成性層を該フォトレジスト層のパターン化に用いられた第1波長の放射線から保護する。該フォトパターン形成性塗布材料は第2波長の放射線に露光されると二酸化ケイ素系材料へ変換される。 （もっと読む）

電子装置を製造する方法であって、１９３ｎｍリソグラフィを用いて相互接続を構成する方法。低分子イオン中で解離するプラズマガスを使用する間、所望の線幅の変形が生じない。電子装置は、特には集積回路である。
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【課題】電気光学装置に設けられる半透過反射基板の製造時に、その下地層の部分的な剥離を防止する。
【解決手段】半透過反射基板の製造工程においては、まず、図５（ａ）に示すように第２基板１２０上に感光性樹脂１３２を塗布し、続いて、図５（ｂ）に示すようにフォトマスク１４５にて露光した後、現像して下地層１３０を形成する。このうち、露光処理においては、開口部１２５と凹凸面１３２ｂとが離間するように露光し、それらの間隙が平坦となるような処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 マイクロドリルの捻れ溝加工を高精度で行い，かつマイクロドリルを高歩留まりで大量生産する。
【解決手段】 所定部材を加工して，マイクロドリルのドリルボディ部を形成する工程と，少なくともドリルボディ部を含む所定領域を露光液でコーティングする露光液コーティング工程と，ドリルボディ部の露光液コーティング面にレーザビームを照射しながらマイクロドリルを直進回転移動させて，捻れ溝形成領域の露光液を除去する捻れ溝形成領域露光工程と，少なくともドリルボディ部をエッチング液に浸積し，露光液が除去された領域のドリルボディ部材をエッチング除去して，捻れ溝を形成する捻れ溝形成工程と，露光液を超音波洗浄により洗浄除去する露光液洗浄工程と，を含む。 （もっと読む）

【課題】回折光学素子の製造方法であって，回折面で切った断面形状が任意の非対称ブレーズド形状の回折光学素子を製造する方法において，とりわけシャープな非対称鋸歯形状の回折光学素子を製造する方法，望ましくはアスペクト比が１〜１．５程度であって，直角三角形ブレーズド形状の回折光学素子とするため方法を提供すること。
【解決手段】回折格子状のマスクが形成されてなる基板を，反応性イオンエッチングによって非対称形状の回折格子に形成してなる回折光学素子の製造方法において，基板上に回折格子状に形成されてなるマスクを２以上の異なるエッチングレートを具備した領域よりなるマスクとすること，或いは反応性イオンエッチングのイオン束流れ方向を基板法線方向に対して斜め方向からとすることによって，異方性エッチング特性を任意に制御することが可能となり，任意の非対称ブレーズド形状の回折光学素子が製造可能となる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の表面にさらに微細なパターンを形成することができる微細レジストパターン、微細パターンの形成方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板６上に、特定の元素を含む特定のガスに接触して特定の元素と結合し所定のエッチングガスに対する耐性が強化される性質を有するレジスト層９を形成する工程と、レジスト層９に第一の露光１０を行い、第一の露光領域９ｂと第一の非露光領域９ａとを形成する工程と、第一の露光領域９ｂに対して第二の露光１１を行い、第二の露光領域９ｃと第三の露光領域９ｄとを形成する工程と、レジスト層９を特定のガスにさらして第三の露光領域９ｄのみを特定の元素と結合させる工程と、第二の露光領域９ｃと第一の非露光領域９ａとをエッチングにより除去し第三の露光領域９ｅからなるレジストパターンを形成する工程とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 サブトラクティブ法で従来よりも配線ピッチの小さい導体パターンを形成することができて、高密度配線化の要求に対応できるようにする。
【解決手段】 配線基板１２の導体パターンをサブトラクティブ法で形成する場合に、導体パターンの線幅の細い部分（配線部１４）と線幅の太い部分（パッド部１６）とでは、最適なエッチング条件が異なることを考慮して、線幅の細い部分（配線部１４）を形成する工程と、線幅の太い部分（パッド部１６）を形成する工程とをエッチング条件を変えて別々に実施する。これにより、線幅の細い部分（配線部１４）と線幅の太い部分（パッド部１６）とをそれぞれ最適なエッチング条件でエッチングすることができて、サイドエッチング幅を少なくすることができ、その分、レジストパターンの線幅、ひいては、配線ピッチを小さくすることができて、配線密度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 シリル化プロセスを用いて微細なパターンの形成を可能とし、しかもシリル化部表面に形成されるＳｉＯ_x 層の除去を支障なく行うことのできる、半導体装置の製造方法が提供が望まれている。
【解決手段】 下地基板２０上の被パターニング層２３上にレジスト層２４を形成し、次にレジスト層２４の所定箇所を露光し、次いでこの露光工程後のレジスト層２４における未露光部分をシリル化する。続いて、露光した箇所のレジスト層２４をドライ現像によって除去し、シリル化された部分に対応した積層パターン３０を得る。次いで、積層パターン３０からその表層部に形成されたＳｉＯ_x層２９を除去してレジストパターン３２を形成する。その後、レジストパターン３２をマスクにして被パターニング層２３をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 レーザーダイレクト製版において、フレアー等を生じず、鮮明な画像を得ることができ、かつ高い耐刷性を有する光重合性印刷版の製版方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）付加重合可能なエチレン性不飽和結合を有する化合物と、（ｂ）光重合開始剤系と、（ｃ）光重合開始基を有するポリマー、及び（ｄ）バインダーとを、含有する感光層を有する光重合性平版印刷版をレーザー露光装置により一定の露光量で画像露光し、現像を行った後、前記露光量の少なくとも１００倍の露光量で全面露光を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 画線部と非画線部のコントラストに優れ、耐刷力に優れた感光性平版印刷版を提供する。
【解決手段】 少なくとも（ａ）アルカリ可溶性樹脂と（ｂ）光熱変換物質とを含むポジ型感光性組成物に於て、更に、（ｃ）熱の作用により該アルカリ可溶性樹脂を架橋しうる化合物を含み、かつ該光熱変換物質の共存下で露光された時に酸を発生する機能を有する化合物を実質的に含まないことを特徴とするポジ型感光性組成物。 （もっと読む）