国際特許分類［G03F7/40］の内容
物理学 (1,541,580) | 写真；映画；光波以外の波を使用する類似技術；電子写真；ホログラフイ (245,998) | フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造，例．印刷用，半導体装置の製造法用；そのための材料；そのための原稿；そのために特に適合した装置 (42,984) | フォトメカニカル法，例．フォトリソグラフ法，による凹凸化またはパターン化された表面，例．印刷表面，の製造；そのための材料，例．フォトレジストからなるもの；そのため特に適合した装置 (38,375) | 感光材料の処理；そのための装置 (4,777) | 画像様除去後の処理，例．加熱 (1,695)
国際特許分類［G03F7/40］に分類される特許
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感光性重合体組成物、パターンの製造法及び電子部品
感光性重合体組成物を（ａ）下記一般式（Ｉ）
【化１】
（式中、Ｕは４価の有機基を示し、Ｖは２価の有機基を示す。ｐは繰り返し単位数を表す整数である。）で表される繰り返し単位を有するポリアミド、（ｂ）光により酸を発生する化合物、および、（ｃ）下記一般式（ＩＩ）
【化２】
（式中、ｍ及びｎは各々独立に１か２の整数であり、Ｒは各々独立に水素、アルキル基又はアシル基であり、Ｒ1及びＲ2は各々独立に炭素数１〜３のフルオロアルキル基を示す。）で表される化合物を含有して構成する。
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凸版印刷用水現像感光性樹脂版
本発明は、露光工程、現像工程および後露光工程を含む凸版印刷用水現像感光性樹脂版の製造方法であって、露光工程以降に変性シリコーン化合物および／またはフッ素化合物を含有する液と感光性樹脂版を接触させることを含む、上記方法を提供する。 （もっと読む）
パターニングされたセラミック薄膜及びそれを製造するための方法
パターニングされたセラミック薄膜（１０）は、イオン伝導性セラミック、電極、ハードセラミックコーティング、透明導電性酸化物、透明半導電性酸化物、強誘電性酸化物、及び誘電性酸化物として有用である。そのセラミック薄膜（１０）は液体前駆体溶液から形成することができる。 （もっと読む）
新規な感光性樹脂組成物
１つ又はそれ以上のポリベンゾオキサゾール前駆体ポリマー、２〜約９の芳香族ヒドロキシル基を含む化合物と５−ナフトキノンジアジドスルホニル化合物及び４−ナフトキノンジアジドスルホニル化合物との縮合生成物であるジアゾナフトキノン光活性化合物、及び少なくとも１つの溶媒を含んでなるポジに働く感光性樹脂組成物、並びに、基材上にレリーフパターンを形成し、それによってコーティングされた基材を形成するためのこうした組成物の使用。 （もっと読む）
パターン形成されたシリコーン層をエッチングする方法
半導体材料をリワークする方法であって、（ｉ）シリコーン組成物を基板表面に塗布して膜を形成する段階と、（ｉｉ）前記膜の一部を放射線で照射し、前記表面の一部である非照射部と前記表面の残りの部分である照射部とを有する、部分的に照射された膜を作成する段階と、（ｉｉｉ）前記照射部が実質的に現像液に対して非可溶であり、前記非照射部が前記現像液に対して可溶であるような時間、前記部分的に照射された膜を加熱する段階と、（ｉＶ）前記加熱後の膜の非照射部を前記現像液で除去し、パターン形成された膜を作成する段階と（Ｖ）硬化シリコーン層を形成するのに十分な時間前記パターン形成された膜を加熱する段階と、（Ｖｉ）有機溶媒及び塩基を含む無水エッチング液に浸漬して硬化シリコーン層の全部または一部を除去する段階と、を含む方法。 （もっと読む）
画像形成材料を処理する装置および方法
印刷部数または印刷版の増加を含む、画像形成材料上の画像の耐久性を改善する装置および方法。前記装置および方法は、一例として、画像形成デバイスと、前焼きオーブンと、現像機と、前記画像に対して照射することができる赤外線ランプを用いる現像後処理ユニットとの使用を包含することができるが、これらに限定するものではない。 （もっと読む）
感光性樹脂組成物
アルカリ可溶性樹脂、キノンジアジド基を有する感光剤並びに硬化剤を含んでなる感光性樹脂組成物において、アルカリ可溶性樹脂がアクリル系樹脂であり、硬化剤がエポキシ基を含む硬化剤であり、さらに前記感光性樹脂組成物がカルボン酸を含んでなる感光性樹脂組成物、およびこの感光性樹脂組成物を用いて形成された平坦化膜あるいは層間絶縁膜を具備してなるフラットディスプレィパネルまたは半導体素子。前記カルボン酸としては、Ｃ１２〜１８の飽和脂肪酸、Ｃ１２〜Ｃ２４の不飽和脂肪残が好ましい。 （もっと読む）
微細パターン形成材料およびそれを用いた微細パターン形成方法
微細パターン形成材料を用いて実効的にレジストパターンを微細化する方法において、水のみを用いての現像によって現像欠陥の発生が低減された硬化被覆層パターンを形成することのできる微細パターン形成材料とそれを用いた微細パターンの形成方法を提供する。この微細パターン形成材料は、水溶性樹脂、水溶性架橋剤、および、水または水と水溶性有機溶媒との混合液からなる溶媒を含有し、前記微細パターン形成材料がアミン化合物を含んでなることを特徴とする。アミン化合物は、ヒドラジン、尿素、アミノ酸、グルコサミン誘導体、またはポリアリルアミン誘導体からなる第１級アミン化合物およびそれらのジメチルアンモニウム塩、トリメチルアンモニウム塩、テトラメチルアンモニウム塩、ジメチルエチルベンジルアンモニウム塩またはＮ−メチルピリジニウム塩からなる第４級アミン化合物が好ましい。 （もっと読む）
マイクロリソグラフィー用フォトレジスト組成物中の溶解阻害剤
本発明は、（ａ）ポリマーバインダーと、（ｂ）光活性化合物と、（ｃ）溶解阻害剤と、を含む、１０〜１６５ｎｍで使用するのに好適なフォトレジスト組成物に関する。ここで、溶解阻害剤は、少なくとも（ｉ）２個の芳香族基と（ｉｉ）フッ素と（ｉｉｉ）非ブロック化されたときにｐＫａ＜１２を有するブロック化酸基とを含む。好ましい溶解阻害剤は、架橋炭素原子がフッ素化脂肪族基で置換されている、場合によりブロック化されたビスフェノール誘導体である。 （もっと読む）
スピンオンフォトパターン形成性中間層誘電性材料の使用及びそれを利用する中間半導体素子構造体
フォトパターン形成性塗布材料がこれまでに用いられなかった波長で半導体素子構造体の形成に用いられことを可能とするキャップ層。該フォトパターン形成性塗布材料を半導体基板へ層として塗布する。該キャップ層及びフォトレジスト層がそれぞれ該フォトパターン形成性層上に形成される。該キャップ層は放射線を吸収または反射し、そして該フォトパターン形成性層を該フォトレジスト層のパターン化に用いられた第1波長の放射線から保護する。該フォトパターン形成性塗布材料は第2波長の放射線に露光されると二酸化ケイ素系材料へ変換される。 （もっと読む）
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