【課題】近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、また用途の多様化に伴う非常に厳しい環境耐性のもとで、良好な信頼性特性を有する磁気ディスクを提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも磁性層と保護層が設けられた磁気ディスクであって、カーボン６０（Ｃ６０）をエッチング用のガスとして用いたＥＳＣＡ（エスカ）にて測定される磁性層中のアルゴン（Ａｒ）含有量が許容値となるように磁性層の成膜条件、具体的には成膜時のガス圧を設定し、この設定した成膜条件により磁性層を形成する。 （もっと読む）

【課題】反転機構を制御してビットパターン媒体内の反転磁場分布を厳格化する磁気異方性多層構造を提供する。
【解決手段】反転機構を制御してビットパターン媒体内の反転磁場分布を厳格化する磁気異方性多層構造が開示されている。本発明は交換スプリング概念をより可変でかつ高度な構造まで拡張する。異なる異方性または異方性勾配を有する３つ以上の層は、ＢＰＭの単純な硬質／軟質二重層交換スプリング概念を越えて書き込み可能利得を増加させる。本構造は、媒体構造全体にわたる磁壁伝搬の閾値またはピン留め層として働く薄く非常に硬質な高異方性中央層を有する。さらにまたはあるいは、通常使用される軟質表面層と硬質媒体層間の薄く非常に軟質な低異方性中央層は、媒体構造の中央内への磁壁の急速な初期伝搬を可能にする。媒体構造の様々な特性は、より高度な異方性多層スタックを使用すると、より独立して調整することができ最適化が図れる。 （もっと読む）

【課題】比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉末としてＣｒ：５０〜７０モル％を含有し、残部がＣｏからなるＣｒ−Ｃｏ合金粉末、Ｐｔ粉末、非磁性酸化物粉末、Ａ金属粉末（ただし、Ａ金属はＢ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの内の少なくとも１種を示す）およびＣｏ粉末を用意し、これら原料粉末を非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％、Ａ：０．５〜８原子％を含有し、残部：Ｃｏからなる成分組成となるように配合し混合して得られた混合粉末を金属製缶体に充填し、金属製缶体内部を真空にして封入し、この混合粉末を真空封入した金属製缶体を温度：８００℃以下で熱間圧延する。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体及び記憶装置において、記録密度を更に向上することを目的とする。
【解決手段】非磁性グラニュラ層と、前記非磁性グラニュラ層上に設けられた記録層を備え、前記記録層は、前記非磁性グラニュラ層上に設けられた第一グラニュラ磁性層と、前記第一グラニュラ磁性層上に設けられた第二グラニュラ磁性層を有し、前記非磁性グラニュラ層の金属粒子を磁気的に分離する非磁性材料が、前記第一グラニュラ磁性層の磁性粒子を磁気的に分離する非磁性材料とは異なるようにする。 （もっと読む）

【課題】多層磁性層の薄膜化に大いに寄与することができる多層構造膜を提供する。
【解決手段】多層構造膜の一具体例は、非磁性貴金属原子から形成される第１薄膜４３ａ、および、磁性原子または磁性合金から形成される第２薄膜４３ｂを重ね合わせる積層体４１と、この積層体４１の表面に重ね合わせられ、積層体４１の飽和磁化Ｍｓよりも大きい飽和磁化Ｍｓを有する強磁性膜４２とを備える。 （もっと読む）

【課題】
磁気結合された強磁性体と反強磁性体との結合および交換バイアスを使用して２進および多状態の磁気メモリ装置を提供する磁気材料および方法。
【解決手段】
本出願では、強磁性層とこれに隣接する反強磁性層との磁気結合によって発生する磁気交換バイアスに基づいて高密度の磁気記憶を実現するための技術、材料、装置を開示する。この磁気結合を使用すると、２進の磁気メモリ装置を安定させ、多状態の磁気メモリ装置を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】態様は、改良された書き易さを得るための高められた磁気特性を備えた記録媒体に関する。
【解決手段】一様に高い異方性及び狭い反転磁界分布のような、一様な磁気特性を得るように欠陥を減少させて改良された書き易さを可能にする方法、システム及び要素に関する例が示される。一部の例は、媒体の書き易さの改善を最大にするように、硬質層と軟質、半軟質または薄い半硬質の層との間に挿入された交換調整層を持つ記録媒体を有している。交換調整層は粒状であって、磁気記録または記憶装置の硬質層と、軟質、半軟質または半硬質の層との間の垂直結合を減少または最適化することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】既知のデータ記憶媒体の制約、短所、および／または欠点を克服する改良されたデータ記憶媒体を得る。
【解決手段】基板を供給するステップと、磁性材料および非磁性材料を含む第１の層を基板上に堆積するステップと、第１の層を加熱するステップと、磁性材料および非磁性材料を含む第２の層を第１の層上に堆積するステップと、第２の層および第１の層を加熱するステップと、を含むデータ記憶媒体の作製方法。本発明の方法に従って構成されたデータ記憶媒体も提供される。 （もっと読む）

【課題】高密度データ記憶のための媒体を提供する。
【解決手段】データ記憶媒体は、マルチフェロイック薄膜と、マルチフェロイック薄膜中に形成された強磁性記憶ドメインとを含む。マルチフェロイック薄膜は、ＢｉＦｅＯ_３又は任意のその他の強誘電性および反強磁性材料の少なくとも１つを含むように形成される。強磁性記憶ドメインは、イオン注入プロセスによってマルチフェロイック薄膜中に形成される。データ記憶媒体を採用したデータ記憶システムもまた提供される。 （もっと読む）

【課題】バラツキの少ない軟磁性膜を形成でき、スパッタリングの際の異常放電やパーティクルを低減したCo-Fe系合金ターゲット材を提供する。
【解決手段】原子比における組成式が((Co_100-X-Fex)_100-Y-Ni_Y)_100-Z-Ｍ_Z、20≦X≦80、0≦Y≦25、5≦Z≦20で表され、組成式のM元素が（Zr、Hf、Ta、Nb、Y、B）から選ばれる１種もしくは２種以上の元素であるCo-Fe系合金スパッタリングターゲット材で、ターゲット材のＸ線回折(110)ピークと(211)ピークとの強度比Ｉ_(110)/(211)の値について、半径方向面２、円周方向面３、スパッタ面４で測定したピーク強度比をそれぞれI(R)、I(C)、I(S)とした時に、I(R)/I(S)およびI(C)/I(S)の値が0.7〜1.3であり、かつ酸素含有量が100ppm以下であるCo-Fe系合金スパッタリングターゲット材。 （もっと読む）