【課題】ＸＹステージモジュール、該ＸＹステージモジュールを採用した情報記録機器、及び前記ＸＹステージモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】ベースと、ベース上で第１方向、及び該第１方向に直交する第２方向に水平運動するＸＹステージと、ベースに設置されてＸＹステージを弾性支持する支持部と、ＸＹステージの回転を阻止させるスチフナと、スチフナの一側面に設けられるものであって、少なくとも一つ以上の移動コムを有する移動コム状構造体と、ベース上に固定されて移動コムと所定間隙で離隔されて噛み合う少なくとも一つ以上の固定コムを有する固定コム状構造体とを備えて、移動コムと固定コムとが相互に噛み合う程度によってＸＹステージの第１方向及び第２方向への変位を測定する位置センサーと、を備えるＸＹステージモジュールである。 （もっと読む）

【課題】外乱振動や装置運転姿勢の変動に対する安定性の向上したプローブ構造のストレージを提供する。
【解決手段】メディア部材、あるいはプローブ搭載カンチレバーアレイ部材の支持構造として、Ｘ−Ｙ方向に電磁アクチュエータで駆動し、個々のカンチレバーにはそれぞれＺ方向駆動用アクチュエータを設け、メディアとプローブとの相対的な位置決めを行う。さらに、可動部材に少なくとも３箇所以上の電磁極を具備し、その部材を二つの固定部材の間に配置し、固定部材の電磁極が可動部材の電磁極と互いに対向する位置に配置し、互いに反発あるいは吸引させることにより、可動部材を支持する。
【効果】アクチュエータがＸ−Ｙ二次元方向に動く際のＺ方向振れを一定値以下に抑え、サーボ帯域を高める。 （もっと読む）

【課題】メディアステージを備えるマイクロアクチュエータの製造方法を提供する。
【解決手段】メディア搭載面を有するメディアステージ及びメディアステージを駆動するコイルを、メディア搭載面の底面に備えるマイクロアクチュエータの製造方法であって、（ａ）第１基板上に所定深さと面積の溝を形成する段階と、（ｂ）第２基板上にコイルを形成する段階と、（ｃ）第２基板のコイルが形成された面と第１基板の溝が形成された面とをボンディングする段階と、（ｄ）第２基板における第１基板とボンディングされた面の裏面をメディア搭載面として加工する段階と、を含むことを特徴とするマイクロアクチュエータの製造方法。 （もっと読む）

【課題】データ書込み及び読取り用マルチプローブとその動作方法を提供する。
【解決手段】記録媒体に対するデータ書込み及び読取りに使われるマルチプローブにおいて、マルチプローブに含まれたあらゆるプローブは、記録媒体に/からデータを書込み/読出し可能な動作プローブであることを特徴とする。従来のマルチプローブとは違って、
別途の基準プローブを含まず、格子配列をなす動作プローブのみを含む。これにより、製造工程を単純化でき、基準プローブの存在によりデータ記録領域の減少という問題が生じえず、また、隣接した動作プローブを基準プローブとして使用するために、動作プローブ間の不均一性に影響されないという効果がある。 （もっと読む）

分子量子メモリを実現する装置、システム及び方法が開示される。一実施形態において、偏極電子源（１０４）及び逆極性の偏極電子源（１０６）が、プローブアセンブリの少なくとも１つのプローブ先端（１１７、１１９）に選択的に結合される。そして、この少なくとも１つのプローブ先端は、偏極電子電流源（１０４、１０６）から選択的に得られた時間変化する偏極電子電流を用いて情報が分子に書き込まれ得るように、分子に電気的に結合される。
（もっと読む）

【課題】耐久性と性能を向上させ製造工程を減少し得るカンチレバー構造を利用したナノ情報保存装置及びその製造方法を提供。
【解決手段】ナノ情報保存／再生装置は、犠牲基板に蒸着物質をパターン化して形成されたカンチレバーと、その一方面の先端に形成され蒸着物質が蒸着されて犠牲基板に形成された溝パターンに蒸着物質が充填されることでカンチレバーと同時に形成される探針と、多結晶シリコンから形成されカンチレバーに設置され探針を加熱するヒータと、カンチレバーに形成され媒体に書き込まれたデータを感知するデータ感知部と、データ感知部に接続してカンチレバーに形成された外部信号線との電気的接続を提供する信号接続パッドと、信号接続パッドに接続されて媒体へのデータ書き込みと再生を制御する信号伝達回路部と、カンチレバーを信号伝達回路部に支持させると共に信号接続パッドと信号伝達回路部間の電気的接続通路を提供する接合部とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体プローブ及びこれを用いた記録再生方法を提供する。
【解決手段】下部面に電極層が設けられた強誘電性媒体に情報を記録し、又は記録された情報を再生する半導体プローブであって、抵抗性チップと、媒体と対向する面に、電極層との間に電圧をオン／オフすることによって媒体とチップとの接触力を調節する静電力形成電極部が備わったカンチレバーと、を備えることを特徴とする半導体プローブである。また、該半導体プローブを用いる記録再生方法であって、媒体の電極層と半導体プローブの静電力形成電極部との間に電圧を印加して媒体とチップとの接触力に静電力を含める記録段階と、電極層と静電力形成電極部との間に電圧を印加せずに媒体とチップとの接触力に静電力を含めない再生段階と、を含むことを特徴とする記録再生方法である。 （もっと読む）

不揮発性メモリデバイス、及び不揮発性マイクロエレクトロメカニカルメモリセルを製造する方法。この方法は、原子層堆積法を用いて犠牲材料第１層を基板上に堆積させる第１の工程を有する。この方法の第２の工程は、犠牲材料第１層の少なくとも一部分上にカンチレバー（１０１）を設けることである。第３の工程は、原子層堆積法を用いて犠牲材料第２層を犠牲材料第１層上に、またカンチレバーの一部が犠牲材料によって囲まれるようにカンチレバーの一部の上に堆積させることである。第４の工程は、犠牲材料第２層の少なくとも一部分を覆う別材料層（１０７）を設けることである。最後に、最終工程は、カンチレバーを囲む犠牲材料をエッチングによって除去し、カンチレバーが内部に懸設されるキャビティ（１０２）を規定する工程である。 （もっと読む）

【課題】高密度に記録された磁化情報を読み取る検出方法および装置を提供する。
【解決手段】磁化３，４として情報が記録された磁気記録媒体５０の表面に金属探針５をナノメートルオーダの距離に近づけ、その領域に入射光１２０を偏光方向を変調しながら照射し、トンネル電流もしくは反射偏光強度の偏光依存性を測定する。 （もっと読む）

【課題】高分解能の抵抗性チップを備えた半導体探針及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１不純物がドーピングされており、その末端部で第１不純物と極性が異なる第２不純物が低濃度にドーピングされて突出した抵抗性凸部が形成されたカンチレバーと、カンチレバーで抵抗性凸部の両側に、第２不純物で高濃度にドーピングされた第１及び第２電極領域と、を備えることを特徴とする高分解能チップを備えた半導体探針である。 （もっと読む）