【課題】耐湿性に優れるとともに誘電率が低く、さらに耐薬品性の良好な高熱膨張の低温焼成磁器およびその製造方法、ならびに配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、３０〜５０質量％のクォーツと、５〜４０質量％のエンスタタイトと、１〜１５質量％のフォルステライトと、５〜１５質量％のガーナイトと、０．５〜５質量％のジルコニアと、０．０１〜２質量％のチタニアと、５〜３０質量％のガラス相とからなり、前記ガラス相１００質量％のうちの１０〜３０質量％がＣａＯであることを特徴とする低温焼成磁器である。 （もっと読む）

【課題】 誘電体フィルタや共振器に用いられる誘電体磁器組成物は、誘電率が高く、Ｑ値が高いことが望まれる。
【解決手段】 一般式ｘＭｇＴｉＯ_３・ｙＭｇ_２ＴｉＯ_４・ｚＣａＴｉＯ_３と表され、ｘ、ｙ、ｚがモル％でそれぞれ、６９．３≦ｘ≦８４．０、１４．１≦ｙ≦３０．０、０．８≦ｚ≦６．１の範囲にある組成物１００重量部に対して、Ｌｉ系ガラスが２５重量部〜３５重量部添加される。
【効果】 ｘＭｇＴｉＯ_３・ｙＭｇ_２ＴｉＯ_４・ｚＣａＴｉＯ_３と表され、ｘ、ｙ、ｚがモル％でそれぞれ、６９．３≦ｘ≦８４．０、１４．１≦ｙ≦３０．０、０．８≦ｚ≦６．１の範囲にある組成物１００重量部に対して、Ｌｉ系ガラスを２５重量部〜３５重量部添加するので、誘電率とＱ値を向上できると共に、焼結温度を導体パターンを構成する金属の融点よりも低くできる。 （もっと読む）

【課題】 低温焼成可能で、比誘電率εｒ等の誘電特性にも優れた誘電体磁器組成物を実現する。
【解決手段】 下記組成式（１）で表される酸化物誘電体を主組成成分とし、ホウ素酸化物及びガラス組成物から選ばれる少なくとも１種を含有する誘電体磁器組成物である。
ａＣａＯ−ｂＬｉＯ_１／２−ｃＢｉＯ_３／２−ｄＲＥＯ_３／２−ｅＴｉＯ_２・・・（１）
ただし、式中、ＲＥはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙｂ，Ｄｙ，Ｙから選択される少なくとも１種を表す。また、ａ〜ｅは各成分の比率（モル％）を表し、
１０≦ａ≦２５
１０≦ｂ≦２０
８≦ｃ≦１５
２≦ｄ≦１０
５０≦ｅ≦６０
０．６５≦ｂ／（ｃ＋ｄ）＜１．０
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００
なる関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】低温で焼結させることが可能であるとともに、収縮抑制工法により、平面方向の収縮を抑制しつつ焼成する工程を経て製造されるセラミック基板などの電子部品の原料として用いるのに適した低温焼結セラミック組成物を提供する。
【解決手段】(ａ)含有率が、７５重量％を超え、９５重量％以下である、１０００℃以下で焼結する、ガラスを含まないセラミック材料と、(ｂ)含有率が５重量％以上で、２５重量％未満のホウケイ酸ガラスとを含有し、１０００℃以下の焼成温度で焼成される低温焼結セラミック組成物において、ホウケイ酸ガラスとして、焼成温度より５０〜１５０℃低い軟化点を有するものを用いる。
本願発明の低温焼結セラミック組成物を主成分とする基板用グリーン層１ａと、収縮抑制層３１とを備えるグリーン積層体３２を形成し、低温焼結セラミック組成物は焼結するが、収縮抑制層３１は実質的に焼成しない焼成温度で焼成する。 （もっと読む）

【課題】１０００℃以下の温度で焼成可能であり、その焼結体は、比誘電率が低く、共振周波数の温度係数が小さく、Ｑ値が高く、さらに電気的絶縁信頼性が高い、ガラスセラミック組成物を提供する。
【解決手段】セラミック多層モジュール１に備える多層セラミック基板２において積層されるガラスセラミック層３のためのガラスセラミック組成物。フォルステライトを主成分とする第１のセラミック粉末と、ＣａＴｉＯ₃ 、ＳｒＴｉＯ₃ およびＴｉＯ₂ より選ばれる少なくとも１種を主成分とする第２のセラミック粉末と、Ｌｉ₂ Ｏ、ＭｇＯ、Ｂ₂ Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＺｎＯおよびＡｌ₂ Ｏ₃ を含むホウケイ酸ガラス粉末とを含む。ホウケイ酸ガラス粉末は、３重量％以上を占めており、ＣａＯ、ＢａＯおよびＳｒＯからなる群より選ばれる少なくとも１種の添加成分をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】 さらなる機械的強度の向上および各種外観不良の防止を実現する低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器を提供する。
【解決手段】 本発明の低温焼成磁器組成物は、ＳｉＯ_２を３０〜４０ｍｏｌ％、Ａｌ_２Ｏ_３を１〜２ｍｏｌ％、ＭｇＯを２８〜３５ｍｏｌ％、Ｂ_２Ｏ_３を１２〜２０ｍｏｌ％、ＺｎＯを１０〜１５ｍｏｌ％、ＣａＯを２〜６ｍｏｌ％含むガラス成分と、表面にＡｌ_２Ｏ_３粒子が被着しているＳｉＯ_２粉末からなるフィラー成分とで構成される。この低温焼成磁器組成物を８５０℃〜１０５０℃で焼成して得られる低温焼成磁器は、ＺｎＡｌ_４Ｏ_７の析出を抑え、ガーナイト結晶相およびクォーツ結晶相を主に析出させることができ、機械的強度を向上させることができる。さらにガラスの緻密化温度と結晶化開始温度との温度差を小さくすることで、ＣＯおよびＣＯ_２をシート内に留め、表面に発生する膨れを皆無とすることができる。 （もっと読む）

高い比誘電率値を有するナノ結晶性またはナノ粒子性の金属酸化物または金属炭酸塩を含有する誘電材料を提供する。詳細には、この誘電材料は、図３に示すように、ＤＣ限界に近い低周波数において、高い比誘電率値を示す。またこの誘電材料は、低い誘電体損失係数および高い電圧破壊限界を示し、そのため、コンデンサ、特に高エネルギー密度コンデンサに用いるのに適する。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも信頼性が高く、誘電率の温度特性がＸ６Ｓ特性を満足する誘電体セラミックス及びＮｉ内部電極積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】
ＡＢＯ_３＋ａＲｅ＋ｂＭ＋Ｚｒ酸化物（ただし、ＡＢＯ_３はチタン酸バリウム系固溶体をペロブスカイト構造を示す一般式で表したもの、ＲｅはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ及びＹから選ばれる少なくとも１種類の金属酸化物、ＭはＭｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＺｎから選ばれる金属元素の酸化物であり、ａ、ｂはそれぞれの酸化物を金属元素が１元素含まれる化学式に換算したときの、ＡＢＯ_３１ｍｏｌに対するｍｏｌ数を示す）で表記したとき、１．１００≦Ｂａ／Ｔｉ≦１．７００、０．０５≦ａ≦０．２５、０．０５≦ｂ≦０．２５の範囲であり、Ｚｒ酸化物は、Ｔｉに対するＺｒの比率で表記したとき、Ｔｉ：Ｚｒ＝９５：５〜６０：４０の範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高周波特性および耐落下衝撃性に優れた誘電体磁器を提供する。
【解決手段】 ３点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上であり、ガラスセラミックスを含んで構成され、結晶中にラメラ組織が存在することを特徴とする。さらに、少なくともディオプサイド型結晶とＡｌ_２Ｏ_３結晶とを含み、全体の結晶化度が７０％以上である。ディオプサイド型結晶を含むことで、高周波領域においてＱ値が大きく、高強度であり、耐候性に優れた誘電体磁器を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】低温同時焼成プロセスに適用可能であって、体積小型化、高品質、高安定化の必要条件を満たす誘電ガラスセラミックス組成物、誘電ガラスセラミックス基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】誘電ガラスセラミックス組成物はセラミックス材料とBa-B-Si（バリウム−ホウ素−ケイ素）ガラス材料からなる。誘電ガラスセラミックス基板と、その製造方法も開示される。セラミックス材料は、例えば、チタン酸ストロンチウムセラミックス、或いは、商用誘電セラミックス粉末である。Ba-B-Siガラス材料とセラミックス材料は有機キャリアと混合され、プレモールドに成型される。プレモールドは低温焼結され、誘電ガラスセラミックス組成物から構成される誘電ガラスセラミックス基板を形成する。 （もっと読む）