国際特許分類[H01B3/02]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択 (29,859) | 絶縁材料を特徴とする絶縁体または絶縁物体;絶縁性または誘電性特性に対する材料の選択 (2,559) | 主として非有機物質からなるもの (714)
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国際特許分類[H01B3/02]に分類される特許
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誘電体磁器組成物、電子部品およびこれらの製造方法
[(CaxSr1−x)O]m[(TiyZr1−y−zHfz)O2]で示される組成の誘電体酸化物を含む主成分と、Mn酸化物および/またはAl酸化物を含む第1副成分と、ガラス成分とを少なくとも含む誘電体磁器組成物である。主成分に含まれる式中の組成モル比を示す記号m、x、yおよびzが、0.90≦m≦1.04、好ましくは1.005≦m≦1.025、0.5≦x<1、好ましくは0.6≦x≦0.9、0.01≦y≦0.10、好ましくは0.02≦y≦0.07、0<z≦0.20、好ましくは0<z≦0.10の関係にある。
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誘電体磁器組成物の製造方法、電子部品及び積層セラミックコンデンサ
【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性(例えば高い誘電率、CR積、IR寿命など)や温度特性(例えばX5Rを満足するなど)を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、ガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、ICP法により測定した不純物としてのSiO2 の存在量が60ppm以下に制御されたチタン酸バリウム原料を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。
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誘電体磁器組成物の製造方法、電子部品及び積層セラミックコンデンサ
【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性(例えば高い誘電率、CR積、IR寿命など)や温度特性(例えばX5Rを満足するなど)を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、ガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、X線源にCu−Kα線を用いたX線回折において、(111)面の回折ピークが観察され、該回折ピークの半値幅が0.2°以下に制御されたチタン酸バリウム原料を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。
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誘電体磁器組成物の製造方法、電子部品及び積層セラミックコンデンサ
【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性(たとえばDCバイアス特性)や温度特性(たとえばX5Rを満足するなど)を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、SiO2 及びCaOを主成分とするガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記チタン酸バリウムの原料と前記ガラス成分の原料を湿式混合し、かさ密度が3g/cm3 以下の仮焼前体を準備する工程と、準備された仮焼前体を、950℃未満で2時間超の時間、仮焼きして仮焼済体を得る工程と、得られた仮焼済体に前記添加物成分の原料を混合し、最終組成の誘電体原料を得る工程とを、有する誘電体磁器組成物の製造方法。
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誘電体磁器組成物およびその製造方法ならびに配線基板
【課題】高強度で信頼性の高い誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】少なくとも斜方晶のセルシアン結晶を含むことを特徴とする。
なし
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誘電体セラミック組成物およびセラミック多層基板
【課題】 比較的低い温度で焼結することが可能であって、電気特性にも優れた誘電体セラミック組成物を提供することにある。
【解決手段】 一般式I:(SrxCa1-x)1-yRe2y/3TiO3(ただし、一般式Iにおいて、0≦x≦1、0≦y≦0.5、ReはLa、SmおよびNdからなる群より選ばれる少なくとも1種)で表される誘電体セラミック成分100重量部に対して、酸化バリウムをBaO換算で30〜50モル%、酸化ケイ素をSiO2換算で30〜50モル%、および、酸化ホウ素をB2O3換算で10〜30モル%含んだBaO−SiO2−B2O3系を5〜35重量部含有する誘電体セラミック組成物。
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誘電体磁器組成物及び積層セラミック部品
【課題】 1000℃以下の低温でも焼結することができ、かつ誘電損失が低減された誘電体磁器組成物及び積層セラミック部品を得る。
【解決手段】 組成式a・Li2O−b・(CaO1-x−SrOx)−c・R2O3−d・TiO2(但し、xは0≦x<1を満足し、Rは希土類元素から選ばれる少なくとも1種であり、a、b、c及びdは、0≦a≦20mol%、0≦b≦45mol%、0<c≦20mol%、40≦d≦80mol%、及びa+b+c+d=100mol%を満足する。)で表される誘電体成分を含む誘電体磁器組成物であり、焼成後において、ペロブスカイト構造を有する主相と、希土類元素を含む針状相とが存在していること特徴としている。
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ガラスセラミックス誘電体材料およびその焼結体
【課題】 表層銀導体の位置を光学式読取装置で容易に認識できるアノーサイト系ガラスセラミックス誘電体材料を提供する。
【解決手段】 SiO2−Al2O3−CaO−B2O3系ガラス粉末と、Al2O3を含むセラミック粉末からなるガラスセラミックス誘電体材料において、ガラス粉末が、Fe2O3を0.1〜1.0質量%含有することを特徴とする。ガラス粉末は、質量%でSiO2 35.0〜65.0%、Al2O3 8.0〜25.0%、CaO 15.0〜35.0%、B2O3 4.0〜12.0%含有するガラスからなる。
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誘電体磁器組成物の製造方法、電子部品及び積層セラミックコンデンサ
【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性や温度特性を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、SiO2 及びCaOを主成分とするガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記添加物成分の原料を除いて、前記チタン酸バリウムの原料と前記ガラス成分の原料を混合し、前記チタン酸バリウムの原料をBaTiO3 に換算したときの該BaTiO3 100モルに対する前記ガラス成分の原料の比率が、Ca量に換算して0〜2モル(但し、0モルと2モルを除く)である混合粉体を準備する工程と、準備された混合粉体を950℃未満で2時間超の時間、仮焼きして仮焼粉体を得る工程と、得られた仮焼粉体に前記添加物成分の原料を混合し、最終組成の誘電体原料を得る工程とを、有する誘電体磁器組成物の製造方法。
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誘電体セラミック及び積層セラミック基板
【課題】 900℃以下の温度で焼成することができ、かつ抗折強度が高く、カッティングする際のチッピングによる損傷が少ない誘電体セラミック及び積層セラミック基板を得る。
【解決手段】 アルミナ粉末と、SiO2、CaO及びMgOを主成分として含む結晶性ガラス粉末と、SiO2、B2O3及びNa2Oを主成分として含む非晶質ガラス粉末とを原料とし、これを焼成することにより得られる誘電体セラミックであって、焼成後において、アルミナ結晶相と、ディオプサイド結晶相(Ca(Mg,Al)(Si,Al)2O6)と、マグネシアスピネル結晶相(MgAl2O4)とを含み、水銀圧入法により測定される空隙率が2.2%以下であることを特徴としている。
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