【課題】線熱膨張係数を有しつつ、高い比誘電率を有する低温焼成基板材料を提供することである。また、異組成のガラス−セラミックス混合層を積層させた多層配線基板において、非対称の積層構造としても焼成品の反りを小さくすることである。
【解決手段】低温焼成基板材料は、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−アルカリ土類金属酸化物系ガラスを６０〜７８ｖｏｌ％、アルミナを０ｖｏｌ％を超えて１６ｖｏｌ％以下、チタニアを１０〜２６ｖｏｌ％、及び、コーディエライトを２〜１５ｖｏｌ％含有し、且つ、線熱膨張係数が５．９０×１０^−６〜６．４０×１０^−６／℃で、比誘電率が１０以上であることを特徴とする。多層配線基板とするときは、コーディエライトの含有量を調整し、層間の線熱膨張係数の差を０．２５×１０^−６／℃以内に制御する。 （もっと読む）

【課題】 α−石英成分の含有量を調整して、一定の比誘電率の差を確保しつつ、線熱膨張係数を制御できる低温焼成基板材料を提供する。また、この低温焼成基板材料により、低誘電率層と高誘電率層を有する多層配線基板において、大型化する集合基板の反りを低減でき、誘電率層の配置設計上の自由度を確保できる多層配線基板を提供する。
【解決手段】 低温焼成基板材料は、ＳｉＯ_２４６〜６０重量％、Ｂ_２Ｏ_３０．５〜５重量％、Ａｌ_２Ｏ_３６〜１７．５重量％及びアルカリ土類金属酸化物２５〜４５重量％の組成を有し、アルカリ土類金属酸化物中の少なくとも６０重量％がＳｒＯであるガラスを６０〜７８ｖｏｌ％、アルミナを１２〜３８ｖｏｌ％、及び、α−石英を２〜１０ｖｏｌ％を含有することを特徴とし、多層配線基板とするときはα−石英の含有量を調整し、層間の線熱膨張係数の差を０．２５×１０^−６／℃以内とする。 （もっと読む）

【課題】線熱膨張係数を有しつつ、高い比誘電率を有する低温焼成基板材料を提供することである。また、異組成のガラス−セラミックス混合層を積層させた多層配線基板において、非対称の積層構造としても焼成品の反りを小さくすることである。
【解決手段】本発明に係る低温焼成基板材料は、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−アルカリ土類金属酸化物系ガラスを６０〜７８ｖｏｌ％、チタニアを１４〜２７ｖｏｌ％、及び、コーディエライトを５〜１５．５ｖｏｌ％含有し、且つ、線熱膨張係数が５．９０×１０^−６〜６．４０×１０^−６／℃で、比誘電率が１０以上であることを特徴とする。多層配線基板とするときは、コーディエライトの含有量を調整し、層間の線熱膨張係数の差を小さくなるように制御する。 （もっと読む）

【課題】 １０００℃以下の低温でも焼結することができ、かつ誘電特性に優れた誘電体磁器組成物を得る。
【解決手段】 組成式ａ・Ｌｉ₂Ｏ−ｂ・（ＣａＯ_1-x−ＳｒＯ_x）−ｃ・Ｒ₂Ｏ₃−ｄ・ＴｉＯ₂（但し、ｘは０≦ｘ＜１を満足し、Ｒは希土類元素から選ばれる少なくとも１種であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、０≦ａ≦２０ｍｏｌ％、０≦ｂ≦４５ｍｏｌ％、０＜ｃ≦２０ｍｏｌ％、４０≦ｄ≦８０ｍｏｌ％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％を満足する。）で表される誘電体成分とガラス成分とを含む混合物を焼成することにより得られ、誘電体成分は原料を仮焼成することにより調製され、ガラス成分として少なくともビスマス系ガラスが含まれており、焼成後のＸ線回折チャートにおいて、ペロブスカイト構造を有する主相である第１の相のピーク強度に対する、希土類元素を含む第２の相のピーク強度の比（第２の相／第１の相）が２０％以下であること特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 低温焼結性セラミック材料と同時焼成でき、かつ機械的強度に優れた、さらに高温・高湿度下に長時間配置された場合における絶縁抵抗の低下が生じ難いセラミック焼結体やセラミック層を得ることを可能とする誘電体セラミック組成物を提供する。
【解決手段】 ｘＢａＯ−ｙ（Ｎｄ_1-mＭｅ_m）₂Ｏ₃−ｚＴｉＯ₂（但し、Ｍｅはランタノイド元素であり、０．１０≦ｘ≦０．２５、０．０５≦ｙ≦０．２５、０．６０≦ｚ≦０．７５、０≦ｍ≦１）で表される誘電体セラミックス１００重量部に対して、酸化ケイ素を３０〜６０モル％、酸化ホウ素を５〜３０モル％、酸化バリウムを１５〜５０モル％、酸化ストロンチウムを１〜１５モル％、及び酸化カルシウムを１〜１０モル％含有するガラスを５重量部以上、４５重量部以下の割合で含有し、さらに、酸化マンガンを１．５重量部超、３．０重量部以下の割合で含有する誘電体セラミック組成物。 （もっと読む）

Ｔｉを含有する誘電体からなり表層部にＴｉとＺｎとを含む酸化物を含有してなる誘電体粒子の集合体１００重量部に対してガラス成分を２．５〜２０重量部配合することで低温焼結誘電体磁器組成物が提供される。この低温焼結誘電体磁器組成物を８８０〜１０００℃で焼成することで低温焼結誘電体磁器を製造する。これにより、Ａｇ及びＣｕまたはこれらの少なくとも１つを含む合金からなる内部導体を有する積層構造電子部品を提供することができる。 （もっと読む）

セラミック多層モジュール（１）のような積層型セラミック電子部品に備える多層セラミック基板（２）において積層される絶縁性セラミック層（３）のための絶縁体セラミック組成物であって、
フォルステライトを主成分とする第１のセラミック粉末と、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３およびＴｉＯ_２より選ばれる少なくとも１種を主成分とする第２のセラミック粉末と、ホウケイ酸ガラス粉末とを含み、ホウケイ酸ガラス粉末は、リチウムをＬｉ_２Ｏ換算で３〜１５重量％、マグネシウムをＭｇＯ換算で３０〜５０重量％、ホウ素をＢ_２Ｏ_３換算で１５〜３０重量％、ケイ素をＳｉＯ_２換算で１０〜３５重量％、亜鉛をＺｎＯ換算で６〜２０重量％、および、アルミニウムをＡｌ_２Ｏ_３換算で０〜１５重量％含む。絶縁体セラミック組成物は、１０００℃以下の温度で焼成可能であり、その焼結体は、比誘電率が低く、共振周波数の温度係数が小さく、Ｑ値が高い。 （もっと読む）

【目的】 １０００℃以下の低温で焼成できる誘電体磁器組成物を得る。
【構成】 Ｃａ，Ｎｂ，Ｔｉの酸化物よりなる材料１００重量％に対して、ガラスを５〜３０重量％、ＣｕＯを１〜１５重量％混合し、焼結した誘電体磁器組成物である。ここで、Ｃａ，Ｎｂ，Ｔｉは、それぞれ、ＣａＴｉＯ₃ ，Ｎｂ₂ Ｏ₅ ，ＴｉＯ₂ に換算して、ＣａＴｉＯ₃ が５０．０〜９９．３モル％、Ｎｂ₂ Ｏ₅ が０．５３〜１１．５モル％、ＴｉＯ₂ が０．１７〜３８．５モル％の組成からなる。 （もっと読む）