【課題】無負荷Ｑ値と機械的強度が高く、かつ焼成温度に対して非常に安定であり、十分な絶縁信頼性を有し、グリーンシートの作製も容易である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】組成式ｙＣａＯ−ｚＬｉＯ_1/2−ｗＭＯ_5/2−ｕＴｉＯ₂（Ｍは、ＮｂおよびＶからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素で、ｙ，ｚ，ｗ，ｕはｙ＋ｚ＋ｗ＋ｕ＝１、０．４５≦ｙ≦０．５５、０．１０≦ｚ≦０．２０、０．１６≦ｗ≦０．３８、０．０１≦ｕ≦０．２０で示される値）で表される第一成分と、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｔｉ，ＬａおよびＮｄからなる群から選ばれる少なくとも二種の元素を含むガラス組成物である第二成分とを含み、第二成分の含有率が２重量％以上５０重量％以下であり、さらに第三成分としてＣｕＯを前記第一、第二成分を合わせたものに対して０．２重量部以上５重量部以下含む誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】従来よりも更に低温焼成可能で、且つ高い比誘電率を有する誘電体セラミック材料とすることができる誘電体セラミック形成用組成物およびそれを用いた誘電体セラミック材料を提供すること。
【解決手段】平均粒径が０．０１〜０．５μｍのペロブスカイト（ＡＢＯ₃）系セラミック原料粉末と平均粒径が０．１〜５μｍのガラス粉末を含有し、且つ前記ガラス粉末の配合量が３〜１２重量％であることを特徴とする誘電体セラミック形成用組成物である。ペロブスカイト（ＡＢＯ₃）系セラミック原料粉末は、湿式反応により得られるペロブスカイト（ＡＢＯ₃）系セラミック原料粉末であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 １０００℃以下の温度で焼成でき、しかも、０．１ＧＨｚ以上の高周波領域における誘電損失が低く、かつ銀導体と同時焼成を行っても多層基板が変形しないガラスセラミックス焼結体及びマイクロ波用回路部材を提供することである。
【解決手段】 本発明のガラスセラミックス焼結体は、質量百分率で、ＳｉＯ₂ ３５〜６５％、ＣａＯ １０〜３０％、ＭｇＯ １０〜２０％、ＺｎＯ １５〜３５％の組成を含有する結晶性ガラス粉末４０〜１００％と、セラミックス粉末０〜６０％を含むガラスセラミックス誘電体材料を焼成して、主結晶としてディオプサイド（ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆）、ハーディストナイト（Ｃａ₂ＺｎＳｉ₂Ｏ₇）及びウイレマイト（Ｚｎ₂ＳｉＯ₄）の結晶を析出させたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】収縮の許容差を減少させることができる共焼成された金属化高誘電率セラミックコアの製造方法の提供。
【解決手段】コアテープの少なくとも１つの層を含む前駆体グリーン積層体を形成する工程であって、該コアテープは少なくとも２０の誘電率を有する工程と；該前駆体グリーン積層体を焼成する工程とを含む、共焼成された金属化高誘電率セラミックコアを製造するための方法。 （もっと読む）

【課題】より低誘電率を有する絶縁層を形成可能にする絶縁ペーストを提供する。
【解決手段】窒化窒化硼素化合物、ガラス粉末および有機ビヒクルを含むことを特徴とする絶縁ペーストとする。窒化硼素化合物は黒鉛化指数3.5以下の窒化硼素であることが好ましく、ガラス粉末の非誘電率が7以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】誘電体内へのガス泡の形成を防止可能な、あるいは少なくとも抑制可能な、改善されたエナメル組成物を提供する。
【解決手段】本発明は、誘電体として適用するためのエナメル組成物に関する。本発明はまた、誘電体として適用するための、そのようなエナメル組成物の用途に関する。本発明は、さらに、そのようなエナメル組成物を持つ誘電層に関する。加えて、本発明は、そのような誘電層と、ステンレス鋼から少なくとも部分的に製造した支持構造とのアセンブリに関する。この場合、誘電層は、ステンレス鋼から製造した支持構造の一部分上に設けられる。本発明は、さらに、そのようなアセンブリを製造するための方法に関する。 （もっと読む）

【課題】収縮の許容差を減少させることができる低温共焼成セラミック構造物の製造方法の提供。
【解決手段】コアテープの少なくとも１つの層を含む前駆体グリーン積層体を提供する工程であって、該コアテープは少なくとも２０の誘電率を有する工程と；自己束縛テープの１つまたは複数の層を提供する工程と；主テープの１つまたは複数の層を提供する工程と；コアテープ、自己束縛テープおよび主テープの層を揃える工程と；コアテープ、自己束縛テープおよび主テープの層を積層および共焼成してセラミック構造物を形成する工程とを含む、低温共焼成セラミック構造物を製造するための方法。 （もっと読む）

【課題】 低温で焼成しても良好な誘電特性を示す積層セラミックス基板及びその製造方法を得る。
【解決手段】 誘電体セラミックス材料の原料粉を仮焼成し、仮焼成粉を含むシートを複数積層した積層体を焼成して得られる積層セラミックス基板であり、誘電体セラミックス材料として少なくとも２種類の誘電体セラミックス材料を用い、そのうちの少なくとも１種類が一般式（Ｌｉ，Ｒ）ＴｉＯ₃−（Ｃａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃（Ｒ：希土類元素）で表されるペロブスカイト型結晶相を有する誘電体セラミックス材料である、各種類毎の仮焼成粉を混合した仮焼成混合粉を加熱後急冷することにより、仮焼成混合粉の誘電体セラミックス材料に結晶欠陥を導入したことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 低温で焼成することができ、且つ十分な誘電特性を有する誘電体磁器組成物及びそれを用いたセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】 本発明の誘電体磁器組成物は、ａＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｔａ_２／３）_２Ｏ_７−ｂＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）_２Ｏ_７−ｃＢｉ_２Ｓｎ_２Ｏ_７（ａ、ｂ及びｃはモル％であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００モル％である。）により表し、且つａ、ｂ及びｃの各々の相関を三角図を用いて表した場合に、ａ、ｂ及びｃは、各々に対応する値が、図１における特定の領域内にあることを特徴とする。また、本発明のセラミック電子部品は、上記の誘電体磁器組成物からなる未焼成セラミック基体が焼成されてなるセラミック基体と、その内部及び／又は表面に設けられた未焼成導体層が未焼成セラミック基体と同時焼成されてなる導体層（Ａｇ等を主成分とする。）と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高いだけでなく誘電損失も小さい回路基板の構成要素として使用できる誘電体の製造に好適な無鉛ガラスの提供。
【解決手段】軟化点が８４０℃以下のＳｉＯ_２−ＢａＯ−ＴｉＯ_２系無鉛ガラスで、ＢａＯ≦２５モル％、ＺｎＯ＜１モル％かつＡｌ_２Ｏ_３を含有し、焼成時にＢａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０結晶またはＢａＴｉ_４Ｏ_９結晶が析出する無鉛ガラス。モル％で、ＳｉＯ_２ ２５〜４５％、ＢａＯ ５〜２５％、ＴｉＯ_２ １８〜３５％、Ａｌ_２Ｏ_３ １〜１０％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜１５％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ ０〜１５％、ＷＯ_３＋ＺｒＯ_２ ０〜７％、からなり、ＺｎＯ＜１％である無鉛ガラス。 （もっと読む）