【課題】大型電気機械スイッチおよびソリッドステートスイッチの代替手段で実現したデバイスを提供する。
【解決手段】スイッチ構造１００などのデバイスが実現され、このデバイスは、接点１０２および導体素子の片持ち梁１０４を備える。導体素子の片持ち梁１０４は、導体素子の片持ち梁１０４が接点１０２からいくつかの場合において、約４μｍ以下の距離、他の場合には約１μｍ以下の距離だけ隔てられている非接触位置と、導体素子の片持ち梁１０４が接点１０２と接触し、接点１０２との電気的連通を確立する接触位置との間で選択的に移動可能なように構成される。導体素子の片持ち梁１０４が非接触位置に配置されたとき、接点１０２および導体素子の片持ち梁１０４は、それらの間で３２０Ｖμｍ−１を超える大きさを有する、および／または約３３０Ｖ以上の電位差のある電界を維持するように構成される。 （もっと読む）

【課題】少ない数のアクチュエータにより複数の信号経路の継断が可能であり、ＭＥＭＳスイッチの小型化が可能な接点およびこの接点を用いたスイッチを提供する。
【解決手段】接点１は可動部１０および２組の固定接点電極対を備え、可動部１０の２つの側面に可動接点電極２１，２２が設けられている。固定接点電極３１，可動接点電極２１および固定接点電極３２が第１信号経路、固定接点電極３１，可動接点電極２２および固定接点電極３２が第２信号経路を構成する。可動部１０は杆（プッシュプルロッド）４０を介して駆動手段（アクチュエータ）に連結されている。可動部１０が杆４０の変位に連動して一軸方向（２方向）に変位することにより、２つの信号経路の一方が選択される。 （もっと読む）

【課題】二方向への動作を行い、スイッチの小型化を実現できる駆動装置およびこれを備えたスイッチを提供する。
【解決手段】第２の駆動部２Ｂにより、第１可動電極５２の初期位置を、第１初期位置Ｐ１と第２初期位置Ｐ２とに設定可能とする。オフ動作時には第１可動電極５２が第１初期位置Ｐ１にある。第２固定電極６１の電位を５Ｖとすると、静電力により第２可動電極６２が第２固定電極６１側に吸引されて杆４０が左へ小さく移動し、第１可動電極５２が第２初期位置Ｐ２に変位する。更に、第１固定電極５１および第２固定電極６１の電位を５Ｖとすると、第１可動電極５２が第１固定電極５１Ａ側に吸引されて杆４０が左へ大きく移動する。一方、オフ状態で第１固定電極５１の電位を５Ｖとすると、静電力により第１可動電極５２が第１固定電極５１Ｂ側に吸引され、杆４０が右へ大きく移動する。 （もっと読む）

【課題】低電圧で駆動することが可能なＭＥＭＳスイッチを提供することを目的とする。
【解決手段】アンカーと、固定電極と、信号線とが形成された基板と、アンカーに連接されたバネと、バネに連接された平行平板電極と、アンカーと平行平板電極との間で、バネに形成された接点と、平行平板電極に連接され、その端部が基板側に傾いた傾斜電極とを備え、平行平板電極及び傾斜電極と固定電極との間に電圧が印加されて、平行平板電極と傾斜電極とが基板側に向かう場合において、接点が信号線に接触することにより、電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】アイソレーションを向上させることの可能なシャントスイッチ、並びにそのシャントスイッチを内蔵した半導体デバイス、モジュールおよび電子機器を提供する。
【解決手段】高周波信号を伝送する伝送線路１１を、シャント線路１３によりグランド１２に接地する。このシャント線路１３を二つ以上並列化し、それら二つ以上のシャント線路１３の相互間のインピーダンスＺ３を、伝送線路１１のインピーダンスＺ２よりも高くする。シャント線路１３Ａ〜１３Ｃを経由した戻り信号の発生が抑えられ、各々のシャント線路１３Ａ〜１３ＣのインピーダンスＺ１が低減される。よって、オフ状態（閉動作）でのアイソレーションが改善される。 （もっと読む）

【課題】 可動電極に反りが発生しても、可動電極と固定電極との間の距離を十分に小さくすることができる可変容量素子を提供する。
【解決手段】 可変容量素子１の各固定電極１０を、基板２の上面２Ａにおいて、可動電極８の正方形に内接する円Ｃと対向する領域内に配置し、可動電極８の各頂点部分８Ａに対向する領域に固定電極１０が配置されない構成とする。また、固定電極１０と接続された引出電極１１を、平面視において、可動電極８の正方形の一辺の中心部分と交差するように配置する。 （もっと読む）

【課題】可動部の反りを抑制することができる可変容量素子を提供する。
【解決手段】 第１の可動部７のＸ軸方向の両側には、第２の可動部１０をそれぞれ配置し、第１，第２の可動部７，１０を絶縁状態の連結梁９を用いて連結する。第２の可動部１０は、支持梁１２を用いて支持部５に連結する。第２の可動部１０、連結梁９および支持梁１２は、第１の可動部７を挟んでＸ軸方向に対して対称な形状に形成する。これにより、第１，第２の可動部７，１０の反りが累積するのを防止して、第１の可動部７および第２の可動部１０を合わせた全体の反り量を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】小型化および低背化が可能であり、ウェハレベルパッケージ構造とすること。
【解決手段】基板１１と、基板の上方に設けられた固定コンタクト電極１３と、固定コンタクト電極１３に対向して設けられた可動コンタクト電極１２と、基板上においてそれらを囲むように設けられた壁部１７と、壁部１７に固定されて設けられ、可動コンタクト電極１２および固定コンタクト電極１３を含む空間を封止するための膜部材２０と、基板上において壁部１７の内側に設けられ、膜部材２０を空間の内側から支持するために可動コンタクト電極１２および固定コンタクト電極１３とは別に設けられた支持部１８とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板に開口を有する高周波デバイスを精度よく位置合わせすることが可能な高周波デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１に貫通電極下部１４Ｄ、開口１６および突起１７を設ける。基板１１の表面に、絶縁膜１２、誘電体層１３、絶縁膜１２と誘電体層１３とを貫通する貫通電極上部１４Ａおよびスイッチング素子１５を形成する。基板１１には、開口１６および突起１７を同時に形成したのち、基板１１を貫通すると共に貫通電極上部１４Ａと接する貫通電極下部１４Ｄを形成する。開口１６および突起１７を同時に形成することにより、インターポーザ基板などの実装基板に精度よく位置合わせすることが可能な高周波デバイス１を、工程数を増やすことなく得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】低消費電力でホットスイッチングが可能な電気部品を提供する。
【解決手段】第１電極２２と、第１電極２２と離間して対向し、第１アクチュエータ部２
５により可動される第２電極２４とを備えた第１電気部品１１と、第１電気部品１１に並
列接続されるとともに、第３電極４１と、第３電極４１と離間して対向し、第１アクチュ
エータ部２５の剛性より高い剛性を有する第２アクチュエータ部４３により可動される第
４電極４２とを備え、第４電極４２の可動状態に応じてインピーダンスＺ２が第１電気部
品１１のインピーダンスＺ１より高くまたは低くなる第２電気部品１４と、を具備する。 （もっと読む）